ZXMP7A17GTA

Symbol Micros: TZXMP7a17g
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
Tranzystor P-MOSFET; 70V; 20V; 250mOhm; 3,7A; 3,9W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 250mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,7A
Maksymalna tracona moc: 3,9W
Obudowa: SOT223
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 70V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: ZXMP7A17GTA Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
55000 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2996
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: ZXMP7A17GTA Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2360
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: ZXMP7A17GTA Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
38000 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1917
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 250mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,7A
Maksymalna tracona moc: 3,9W
Obudowa: SOT223
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 70V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD