ZXMP7A17GTA
Symbol Micros:
TZXMP7a17g
Obudowa: SOT223
Tranzystor P-MOSFET; 70V; 20V; 250mOhm; 3,7A; 3,9W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 250mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 3,7A |
Maksymalna tracona moc: | 3,9W |
Obudowa: | SOT223 |
Producent: | DIODES |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 70V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXMP7A17GTA
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
55000 szt.
ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,2996 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXMP7A17GTA
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,2360 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXMP7A17GTA
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
38000 szt.
ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,1917 |
Rezystancja otwartego kanału: | 250mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 3,7A |
Maksymalna tracona moc: | 3,9W |
Obudowa: | SOT223 |
Producent: | DIODES |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 70V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |