ZXMS6004DN8-13

Symbol Micros: TZXMS6004DN8-13 Diodes
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOIC08
Tranzystor 2xN-MOSFET; 60V; 600mOhm; 1,3A; 1,56W; -40°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 600mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1,3A
Maksymalna tracona moc: 1,56W
Obudowa: SOIC08
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: ZXMS6004DN8-13 RoHS Obudowa dokładna: SOIC08t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
5000 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,6800 2,3300 1,8400 1,6800 1,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Rezystancja otwartego kanału: 600mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1,3A
Maksymalna tracona moc: 1,56W
Obudowa: SOIC08
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 150°C
Montaż: SMD