ZXTN2005G smd

Symbol Micros: TZXTN2005g
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223t/r
Tranzystor NPN; 450; 3W; 25V; 7A; 150MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 3W
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Producent: DIODES
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Obudowa: SOT223t/r
Maksymalny prąd kolektora: 7A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 25V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: ZXTN2005GTA RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,7400 1,7300 1,3700 1,2500 1,1900
Dodaj do porównywarki
Towar dostępny
do wyczerpania zapasów
Sposób pakowania:
1000/2000
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: ZXTN2005GTA Obudowa dokładna: SOT223t/r  
Magazyn zewnętrzny:
1000 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,4127
Dodaj do porównywarki
Towar dostępny
do wyczerpania zapasów
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 3W
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Producent: DIODES
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Obudowa: SOT223t/r
Maksymalny prąd kolektora: 7A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 25V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN