ZXTN2005G smd
Symbol Micros:
TZXTN2005g
Obudowa: SOT223t/r
Tranzystor NPN; 450; 3W; 25V; 7A; 150MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: | 3W |
Częstotliwość graniczna: | 150MHz |
Producent: | DIODES |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
Obudowa: | SOT223t/r |
Maksymalny prąd kolektora: | 7A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 25V |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXTN2005GTA RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 2,7400 | 1,7300 | 1,3700 | 1,2500 | 1,1900 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXTN2005GTA
Obudowa dokładna: SOT223t/r
Magazyn zewnętrzny:
1000 szt.
ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,4127 |
Moc strat: | 3W |
Częstotliwość graniczna: | 150MHz |
Producent: | DIODES |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
Obudowa: | SOT223t/r |
Maksymalny prąd kolektora: | 7A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 25V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |