ZXTN2010ZTA

Symbol Micros: TZXTN2010ZTA Diodes
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT89 t/r
Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R ODPOWIEDNIK: ZXTN2010ZTA-DIO-0;
Parametry
Moc strat: 1,5W
Producent: DIODES
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 150
Obudowa: SOT89
Częstotliwość graniczna: 130MHz
Maksymalny prąd kolektora: 5A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: ZXTN2010ZTA RoHS Obudowa dokładna: SOT89 t/r  
Stan magazynowy:
1000 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,8600 1,0200 0,8050 0,7460 0,7150
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Moc strat: 1,5W
Producent: DIODES
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 150
Obudowa: SOT89
Częstotliwość graniczna: 130MHz
Maksymalny prąd kolektora: 5A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN