ZXTN2010ZTA
Symbol Micros:
TZXTN2010ZTA Diodes
Obudowa: SOT89 t/r
Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R ODPOWIEDNIK: ZXTN2010ZTA-DIO-0;
Parametry
| Moc strat: | 1,5W |
| Producent: | DIODES |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 150 |
| Obudowa: | SOT89 |
| Częstotliwość graniczna: | 130MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 5A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXTN2010ZTA RoHS
Obudowa dokładna: SOT89 t/r
Stan magazynowy:
1000 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,8600 | 1,0200 | 0,8050 | 0,7460 | 0,7150 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXTN2010ZTA
Obudowa dokładna: SOT89 t/r
Magazyn zewnetrzny:
191000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1365 |
| Moc strat: | 1,5W |
| Producent: | DIODES |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 150 |
| Obudowa: | SOT89 |
| Częstotliwość graniczna: | 130MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 5A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |