ZXTP2012G

Symbol Micros: TZXTP2012g
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223t/r
Tranzystor PNP; 300; 3W; 60V; 5,5A; 120MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 3W
Producent: Zetex
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 120MHz
Obudowa: SOT223t/r
Maksymalny prąd kolektora: 5,5A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: ZXTP2012GTA RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r  
Stan magazynowy:
1000 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,7000 2,3500 1,8500 1,6900 1,6100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Moc strat: 3W
Producent: Zetex
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 120MHz
Obudowa: SOT223t/r
Maksymalny prąd kolektora: 5,5A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP