ZXTP2012ZTA
Symbol Micros:
TZXTP2012ZTA Diodes
Obudowa: SOT89 t/r
Trans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Parametry
| Moc strat: | 3W |
| Producent: | DIODES |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
| Częstotliwość graniczna: | 120MHz |
| Obudowa: | SOT89 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 4,3A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXTP2012ZTA RoHS
Obudowa dokładna: SOT89 t/r
Stan magazynowy:
1000 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,1700 | 2,0100 | 1,5900 | 1,4500 | 1,3800 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXTP2012ZTA
Obudowa dokładna: SOT89 t/r
Magazyn zewnetrzny:
128000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3800 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXTP2012ZTA
Obudowa dokładna: SOT89 t/r
Magazyn zewnetrzny:
241000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3800 |
| Moc strat: | 3W |
| Producent: | DIODES |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
| Częstotliwość graniczna: | 120MHz |
| Obudowa: | SOT89 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 4,3A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |