BSP75GTA

Symbol Micros: UIBSP75gta
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
60V self-protected low-side IntelliFET MOSFET switch
Parametry
Napięcie wejściowe zakres: -0,2V ~ 10V
Rezystancja drenu (Rds on): 550 mOhm
Czas włączenia: 2,2us
Producent: DIODES
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 150°C
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: BSP75GTA Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnętrzny:
12000 szt.
ilość szt. 1000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 2,7504
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Napięcie wejściowe zakres: -0,2V ~ 10V
Rezystancja drenu (Rds on): 550 mOhm
Czas włączenia: 2,2us
Producent: DIODES
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 150°C

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta