BTS640S2G
Symbol Micros:
UIBTS640S2g
Obudowa: TO263/7
Smart High-Side Power Switch, Vbb 5÷34V, IL 11.4A, Ron 27mΩ BTS640S2GATMA1
Parametry
| Napięcie wejściowe zakres: | 5V ~ 34V |
| Rezystancja drenu (Rds on): | 0,027 Ohm |
| Czas włączenia: | N/A |
| Producent: | INFINEON |
| Temperatura pracy (zakres): | -40°C ~ 150°C |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BTS640S2GATMA1
Obudowa dokładna: TO263/7
Magazyn zewnętrzny:
7000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 9,8930 |
| Napięcie wejściowe zakres: | 5V ~ 34V |
| Rezystancja drenu (Rds on): | 0,027 Ohm |
| Czas włączenia: | N/A |
| Producent: | INFINEON |
| Temperatura pracy (zakres): | -40°C ~ 150°C |