BTS640S2G

Symbol Micros: UIBTS640S2g
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO263/7
Smart High-Side Power Switch, Vbb 5÷34V, IL 11.4A, Ron 27mΩ BTS640S2GATMA1
Parametry
Napięcie wejściowe zakres: 5V ~ 34V
Rezystancja drenu (Rds on): 0,027 Ohm
Czas włączenia: N/A
Producent: INFINEON
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 150°C
Producent: Infineon Symbol producenta: BTS640S2GATMA1 Obudowa dokładna: TO263/7  
Magazyn zewnętrzny:
7000 szt.
ilość szt. 1000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 9,8930
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Napięcie wejściowe zakres: 5V ~ 34V
Rezystancja drenu (Rds on): 0,027 Ohm
Czas włączenia: N/A
Producent: INFINEON
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 150°C