BTS712N1

Symbol Micros: UIBTS712n1
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOIC20
4-Ch Smart High-Side Power Switch, Vbb 5÷34V, IL 1.7A/ch, Ron 165mΩ/ch BTS712N1XUMA1
Parametry
Rezystancja drenu (Rds on): 0,2 Ohm
Czas włączenia: 400us
Napięcie wejściowe zakres: 5V~34V
Producent: INFINEON
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 150°C
Producent: Infineon Symbol producenta: BTS712N1 RoHS Obudowa dokładna: SOIC20 karta katalogowa
Stan magazynowy:
9 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 20+ 40+
cena netto (PLN) 52,4100 44,5600 39,6600 37,9000 36,6500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Rezystancja drenu (Rds on): 0,2 Ohm
Czas włączenia: 400us
Napięcie wejściowe zakres: 5V~34V
Producent: INFINEON
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 150°C