IR2101STR Infineon Technologies driver MOSFET oraz IGBT
Symbol Micros:
UIIR2101s
Obudowa: SOP08
High+Low Side Non-Inv. Driver, Vmax 600V, Io+/Io- 130/270mA, tON/OFF 160/150ns IR2101STRPBF; IR2101SPBF; IR2101S;
Parametry
| Zakres napięcia zasilania: | 10V~20V |
| Obudowa: | SOP08 |
| Prąd: | 0,36A |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Typ układu scalonego: | Driver |
| Temperatura pracy (zakres): | -40°C ~ 125°C |
| Liczba kanałów: | 0 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IR2101STR RoHS
Obudowa dokładna: SOP08t/r
Stan magazynowy:
400 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,0000 | 3,3200 | 2,7500 | 2,4800 | 2,3800 |
| Zakres napięcia zasilania: | 10V~20V |
| Obudowa: | SOP08 |
| Prąd: | 0,36A |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Typ układu scalonego: | Driver |
| Temperatura pracy (zakres): | -40°C ~ 125°C |
| Liczba kanałów: | 0 |
Opis szczegółowy
IR2101STR
to szybki i niezawodny driver, czyli układ scalony przeznaczony do sterowania tranzystorami MOSFET oraz IGBT w aplikacjach wysokiego napięcia. Wyposażony jest w dwa niezależne kanały wyjściowe – dla tranzystora górnego i dolnego – – z dopasowanymi czasami opóźnienia sygnału, wynoszącymi typowo 160ns podczas włączania i 150ns podczas wyłączania. Dzięki temu IR2101STR zapewnia precyzyjne sterowanie i minimalizuje ryzyko zakłóceń krzyżowych.Układ obsługuje napięcia zasilania w zakresie od 10 do 20V i jest wyposażony w mechanizmy zabezpieczające, takie jak blokada podnapięciowa (UVLO), która chroni tranzystory przed uszkodzeniem w przypadku zbyt niskiego napięcia zasilania. Dodatkowo kanał pływający pozwala na sterowanie tranzystorami w konfiguracji high-side, umożliwiając pracę z napięciami pływającymi do 600V.