SN65HVD3082EDR

Symbol Micros: UISN65hvd3082ed
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
RS-485 Transceiver; Half-Duplex; 0.2Mbps; 5V; -40÷85°C; SN65HVD3082EDR, SN65HVD3082EDG4, SN65HVD3082EDRG4; SN65HVD3082ED;
Parametry
Obudowa: SOP08
Układ dupleksowy: Half Duplex
Typ układu scalonego: Interfejs
Interfejs: RS-485
Producent: Texas Instruments
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 85°C
Rodzaj: Transceiver
Producent: Texas Instruments Symbol producenta: SN65HVD3082EDR RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2646 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,8200 2,4200 1,9100 1,7400 1,6600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Obudowa: SOP08
Układ dupleksowy: Half Duplex
Typ układu scalonego: Interfejs
Interfejs: RS-485
Producent: Texas Instruments
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 85°C
Rodzaj: Transceiver
Opis szczegółowy

SN65HVD3082EDR – Niskomocowy transceiver RS-485 / RS-422

SN65HVD3082EDR to półdupleksowy transceiver magistrali RS-485 oraz RS-422 wyprodukowany przez firmę Texas Instruments, zaprojektowany do niezawodnej, dwukierunkowej transmisji danych w przemysłowych i komercyjnych sieciach magistralowych. Urządzenie działa przy zasilaniu napięciem 5 V i jest w pełni zgodne ze standardem TIA/EIA-485A. Układ charakteryzuje się bardzo niskim poborem prądu oraz obciążeniem magistrali wynoszącym 1/8 Unit Load, co pozwala na podłączenie do 256 węzłów na jednej magistrali. Układ wyposażono w funkcję odporności na awarie (fail-safe), bezglitchowe włączanie i wyłączanie zasilania oraz zaawansowaną ochronę ESD i zabezpieczenia termiczne, co gwarantuje stabilność układu w środowiskach narażonych na zakłócenia elektryczne. Układ jest dostarczany w standardowej obudowie SOIC-8 i zachowuje zgodność z wyprowadzeniami popularnego standardu SN75176.

SN65HVD3082EDR – Specyfikacja techniczna

  • Typ urządzenia: Półdupleksowy transceiver RS-485 / RS-422
  • Napięcie zasilania VCC: od 4,5V do 5,5V (nominalnie 5V)
  • Szybkość transmisji danych: do 200kbps
  • Prąd zasilania w trybie aktywnym: 0,3mA (typowo bez obciążenia)
  • Prąd zasilania w trybie wyłączenia (Shutdown): 1nA (typowo)
  • Obciążenie magistrali: 1/8 Unit Load (do 256 urządzeń na magistrali)
  • Ochrona ESD (zaciski magistrali A, B i GND): do ±15kV (Human Body Model)
  • Ochrona ESD (wszystkie wyprowadzenia): do ±4kV (Human Body Model)
  • Odporność na szybkie stany przejściowe (EFT/Burst): ±4kV
  • Zakres napięcia wejściowego magistrali: od -7V do 12V
  • Histereza odbiornika: typowo 30mV
  • Zabezpieczenie przed uszkodzeniem odbiornika (Fail-safe): otwarte, zwarte lub bezczynne linie magistrali
  • Zabezpieczenie termiczne (Thermal Shutdown): aktywacja przy temperaturze złącza około 165°C
  • Zakres temperatury pracy (obudowa SOIC D): od -40°C do 105°C
  • Typ obudowy: SOIC-8 (D, 8-pin)
  • Zgodność ze standardami: TIA/EIA-485A, footprint zgodny z SN75176

SN65HVD3082EDR – Zastosowanie i obszary aplikacji

Transceiver SN65HVD3082EDR znajduje szerokie zastosowanie w systemach automatyki przemysłowej oraz budynkowej, gdzie kluczowe są wysoka odporność na zakłócenia, stabilność komunikacji na długich dystansach oraz niski pobór energii. Doskonale sprawdza się w sieciach liczników energii, inteligentnych systemach pomiarowych oraz aplikacjach zasilanych bateryjnie, w których tryb ultra-niskiego poboru prądu Shutdown (1 nA) znacząco wydłuża czas pracy urządzenia.

Zoptymalizowany czas narastania i opadania sygnału ogranicza emisję zakłóceń elektromagnetycznych (EMI) oraz zmniejsza odbicia sygnału w niesymetrycznych lub długich przewodnikach z skrętki dwużyłowej. Układ jest powszechnie stosowany w falownikach elektrycznych, układach sterowania silnikami, architekturach łączności wewnętrznej w szafach telekomunikacyjnych oraz rozproszonych systemach sterowania procesami produkcyjnymi. Integracja zabezpieczeń przed przepięciami i stanami nieustalonymi sprawia, że SN65HVD3082EDR stanowi niezawodne rozwiązanie do pracy w trudnych warunkach środowiskowych.