Tranzystory (wyszukane: 9762)

1    299  300  301  302  303  304  305  306  307    326
Produkt Koszyk
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Obudowa
Producent
Moc strat
Współczynnik wzmocnienia prądowego
Częstotliwość graniczna
Ładunek bramki
Maksymalna moc rozpraszana
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalny prąd kolektora
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
Maksymalny prąd kolektora
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-bramka
Temperatura pracy (zakres)
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Montaż
Napięcie kolektor-emiter
Napięcie bramka-emiter
Układy tranzystorowe [T/N]
2SAR544R Trans GP BJT PNP 80V 2.5A 1000mW T/R ODPOWIEDNIK: 2SAR544R-DIO;
2SAR544R  
  SOT23 DIOTEC 1W 390 280MHz 2,5A 80V PNP -55°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
IGW20N60H3FKSA1 IGBT 600V 40A 170W
IGW20N60H3FKSA1 TO247
  TO247
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
IGW30N65L5XKSA1 IGBT 650V 85A 227W
IGW30N65L5XKSA1 TO247
  TO247
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
APT13F120S Tranzystor: N-MOSFET, unipolarny, 1,2kV, 9A, Idm: 50A, 625W, D3PAK APT13F120S
APT13F120S  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
2SB1188 China PNP -1500mA -32V 1200mW 150MHz 2SB1188G-P-AB3-R; 2SB1188-LGE;
2SB1188 China SOT89
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
IGW75N65H5XKSA1 Infineon Technologies IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3 TrenchStop -40+175°C
IGW75N65H5XKSA1 Infineon Technologies TO247
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
IHW15N120R3 Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 254W; 5,1V~6,4V; 165nC; -40°C~175°C; IHW15N120R3FKSA1
IHW15N120R3 TO247
  TO247 Infineon Technologies 165nC 254W 30A 45A 5,1V ~ 6,4V -40°C ~ 175°C THT 1200V 20V
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
APT5018BLLG Tranzystor: N-MOSFET, unipolarny, 500V, 27A, Idm: 108A, 300W APT5018BLLG
APT5018BLLG  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
2SB1560 TO3P RoHS Tranzystor PNP; 20000; 100W; 150V; 10A; 50MHz; -55°C ~ 150°C; (komplementarne 2SB1560-P + 2SD2390);
2SB1560 TO3P RoHS TO 3P
                                                   
Pozycja dostępna na zamówienie
TO 3P PMC-Sierra 100W 20000 50MHz 10A 150V PNP -55°C ~ 150°C
                                                     
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-12-30
Ilość szt.: 120
                                               
APT68GA60LD40 Tranzystor IGBT; PT; 600V; 300V; 198nC; 68A; 520W; -55°C~150°C;
APT68GA60LD40 TO264
  4,7Ohm 68A 520W TO264 MICROCHIP 600V IGBT -55°C ~ 150°C 30V THT
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
AUIRF7313QTR Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm; 6,9A; 2,4W; -55°C ~ 175°C;
AUIRF7313QTR SOP08
  46mOhm 6,9A 2,4W SOP08 International Rectifier 30V 2xN-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
2SC1318A TO92 LGE Tranzystor: NPN; bipolarny; 70V; 0,5A; 0,75W; TO92 ODPOWIEDNIK: 2SC1318A-LGE;
2SC1318A TO92 LGE TO92
  TO92 LGE 750mW 340 120MHz 500mA 70V NPN -55°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
2SC1384 TO92L LGE Tranzystor: NPN; bipolarny; 50V; 1A; 1W; TO92L odpowiednik: 2SC1384-LGE;
2SC1384 TO92L LGE TO92
  TO92 LGE 1W 340 200MHz 1A 50V NPN -55°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
IKB10N60TATMA1 Infineon Technologies IGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C
IKB10N60TATMA1 Infineon Technologies TO263 (D2PAK)
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
2SC2078 SLKOR Tranzystor NPN; 200; 12W; 35V; 5A; 200MHz; -65°C ~ 175°C;
2SC2078 SLKOR TO220
  TO220 SLKOR 12W 200 200MHz 5A 35V NPN -65°C ~ 175°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
2SC2240 TOSHIBA Tranzystor NPN; 700; 300mW; 120V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 125°C; Komplementarny do 2SA970; 2SC2240-G = 2SC2240-GR;
2SC2240 TOSHIBA TO92
                                                   
Pozycja dostępna na zamówienie
TO92 TOSHIBA 300mW 700 100MHz 100mA 120V NPN -55°C ~ 125°C
                                                     
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-10-30
Ilość szt.: 1000
                                               
IKB30N65EH5 TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT IKB30N65EH5ATMA1
IKB30N65EH5  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
2SC2712 China NPN 150mA 50V 150mW 80MHz
2SC2712 China SOT23
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
AUIRLR3636 MOSFET N-CH 60V 99A Automotive AUIRLR3636TRL
AUIRLR3636 DPAK
  8,3mOhm 99A 143W D-PAK 60V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 16V SMD
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
2SC2983 DIOTEC Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 15000mW; ODPOWIEDNIK: 2SC2983-DIO;
2SC2983 DIOTEC TO252 (DPACK)
  TO252 (DPACK) DIOTEC 15W 240 100MHz 1,5A 160V NPN -55°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
BF245B Tranzystor N-FET; 30V; 30V; 30V; 15mA; 300mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BF545B SMD SOT23; obsolete;
BF245B TO92
  15mA 300mW TO92 30V N-FET 30V -65°C ~ 150°C 30V THT
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
2SC3264 MT-200 Tranzystor NPN; 50; 200W; 230V; 17A; 60MHz; -55°C ~ 150°C;
2SC3264 MT-200 MT-200
  MT-200 Inchange Semiconductors 200W 50 60MHz 17A 230V NPN -55°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
IKD15N60RATMA1 Infineon Technologies IGBT 600V 30A TO252-3 TrenchStop -40+175°C
IKD15N60RATMA1 Infineon Technologies TO252/3 (DPAK)
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
2SC3356 SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
2SC3356 SOT23
  SOT23 TECH PUBLIC 200mW 250 7GHz 100mA 12V NPN -55°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
BC846B RFG Taiwan Semiconductor Corporation TRANSISTOR, NPN, 65V, 0.1A, 200A BC846B RF
BC846B RFG Taiwan Semiconductor Corporation  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
IKFW60N60DH3EXKSA1 Infineon Technologies IGBT 600V 50A TO247-3 TrenchStop -40+175°C
IKFW60N60DH3EXKSA1 Infineon Technologies TO247
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
IKP15N65H5XKSA1 Infineon Technologies IGBT 650V 30A 105W PG-TO220-3 TrenchStop -40+175°C
IKP15N65H5XKSA1 Infineon Technologies  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
BSC014N03MS INFINEON Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 1,75mOhm; 100A; 139W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC014N03MSGATMA1;
BSC014N03MS INFINEON TDSON-8
  1,75mOhm 100A 139W TDSON-8 Infineon Technologies 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
BSC028N06NS N-MOSFET 60V 100A BSC028N06NSATMA1;
BSC028N06NS TDSON08
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
BSC030P03NS3G Infineon Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 4,6mOhm; 100A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC030P03NS3GAUMA1;
BSC030P03NS3G Infineon TDSON08
  4,6mOhm 100A 125W TDSON08 Infineon Technologies 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V SMD
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
1    299  300  301  302  303  304  305  306  307    326