2SD882SQ-P SOT89 PJ

Symbol Micros: T2SD882 sot89 PJ
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT89
Tranzystor NPN; 320; 1W; 30V; 3A; 90MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 1W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 320
Częstotliwość graniczna: 90MHz
Producent: PJSEMI
Obudowa: SOT89
Maksymalny prąd kolektora: 3A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Producent: PJSEMI Symbol producenta: 2SD882SQ-P RoHS Obudowa dokładna: SOT89 t/r  
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2600 0,6880 0,4510 0,3890 0,3590
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Moc strat: 1W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 320
Częstotliwość graniczna: 90MHz
Producent: PJSEMI
Obudowa: SOT89
Maksymalny prąd kolektora: 3A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN