BC846BPDW1T1G

Symbol Micros: TBC846bpdw1t1g
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SC-88
Tranzystor NPN/PNP; 475; 380mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 380mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 475
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SC-88
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BC846BPDW1T1G RoHS Obudowa dokładna: SC-88 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6660 0,3160 0,1780 0,1350 0,1210
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 380mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 475
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SC-88
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN/PNP