D44H11G

Symbol Micros: TD44H11G ONS
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Transistor NPN; Bipolar; 80V; 20V; 50MHz; 10A; 2W; -55°C~150°C;
Parametry
Moc strat: 2W
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 10A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: D44H11G RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
70 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,3000 4,0500 3,3500 2,9400 2,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Moc strat: 2W
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 10A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN