MMBTA13

Symbol Micros: TMMBTA13 LGE
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN Darlington; 10000; 30V; 1.2A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBTA13-LGE
Parametry
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 10000
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 1,2A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN
Producent: LGE Symbol producenta: MMBTA13 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
2995 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5900 0,2710 0,1470 0,1100 0,0983
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 10000
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 1,2A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN