MMBTA42 DIOTEC

Symbol Micros: TMMBTA42 DIOTEC
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor NPN; 200; 250mW; 300V; 500mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBTA42-DIO;
Parametry
Moc strat: 250mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 200
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 300V
Producent: DIOTEC Symbol producenta: MMBTA42 RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
7480 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5500 0,2610 0,1470 0,1120 0,1000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 250mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 200
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 300V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN