S8050

Symbol Micros: TS8050 ANB
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 300mW; 25V; 500mA; 150MHz; -55°C~150°C;
Parametry
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Producent: AnBon
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 25V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Producent: AnBon Symbol producenta: S8050 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2990 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,3490 0,1350 0,0657 0,0522 0,0499
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Producent: AnBon
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 25V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN