IRFR5410
Symbol Micros:
TIRFR5410 TEC
Obudowa: TO252
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 210mOhm; 13A; 66W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IRFR5410TRPBF; IRFR5410TRLPBF; IRFR5410PBF; IRFR5410PBF-GURT
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 210mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 13A |
| Maksymalna tracona moc: | 66W |
| Obudowa: | TO252 |
| Producent: | TECH PUBLIC |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 10V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 210mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 13A |
| Maksymalna tracona moc: | 66W |
| Obudowa: | TO252 |
| Producent: | TECH PUBLIC |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 10V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |