ZVP2106A
Symbol Micros:
TZVP2106A Diodes
Obudowa: TO92
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5Ohm; 280mA; 700mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 280mA |
| Maksymalna tracona moc: | 700mW |
| Obudowa: | TO92 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 280mA |
| Maksymalna tracona moc: | 700mW |
| Obudowa: | TO92 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |