Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5478)
Produkt | Warenkorb |
Transistor-Typ
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Max. Drain-Source Spannung
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Msx. Drain-Gate Spannung
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Max. Gate-Source Spannung
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Widerstand im offenen Kanal
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Max. Drainstrom
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Maximaler Leistungsverlust
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Montage
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Gehäuse
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Hersteller
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IRLL3303
N-MOSFET-Transistor; 30V; 16V; 45mOhm; 6,5A; 2,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLL3303PBF; IRLL3303TRPBF;
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Auf Lager:
30 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 16V | 45mOhm | 6,5A | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRLML0100
N-MOSFET-Transistor; 100V; 16V; 235 mOhm; 1,6A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML0100TRPBF; IRLML0100PBF;
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Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML0100TRPBF RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
1740 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 100V | 16V | 235mOhm | 1,6A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML0100TRPBF Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
474000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 100V | 16V | 235mOhm | 1,6A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML0100TRPBF Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
210000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 100V | 16V | 235mOhm | 1,6A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML0100TRPBF Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
46900 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 100V | 16V | 235mOhm | 1,6A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRLML0060TR UMW
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 16V; 116mOhm; 2,7A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML0060TRPBF; SP001568948;
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Auf Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 16V | 116mOhm | 2,7A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
IRLML0100TRPBF HXY MOSFET
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 290 mOhm; 3A; 1W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML0100TRPBF; SP001568612;
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Auf Lager:
160 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 290mOhm | 3A | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | |||||||||||||
IRLML0100TR UMW
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 16V; 235mOhm; 1,6A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML0100TRPBF; SP001568612;
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Auf Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 100V | 16V | 235mOhm | 1,6A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
IRLML2803
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 400 mOhm; 1,2A; 540 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML2803TRPBF; IRLML2803PBF; IRLML2803GTRPBF;
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Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML2803TR RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
3217 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 400mOhm | 1,2A | 540mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML2803TRPBF Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
675000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 400mOhm | 1,2A | 540mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML2803TRPBF Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
153000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 400mOhm | 1,2A | 540mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML2803TRPBF Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
22700 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 400mOhm | 1,2A | 540mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRLML5203 UMW
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 145mOhm; 3A; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML5203TRPBF; IRLML5203GTRPBF; SP001567222; SP001558846;
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Auf Lager:
2450 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 145mOhm | 3A | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
IRLML6344 SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 5A; 29mOhm; 12V; 1,3 W; -55°C~150°C; Äquivalent: YJL3400A-F2-0000HF;
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Auf Lager:
2800 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 4,5V | 12V | 29mOhm | 5A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HOTTECH | ||||||||||||
Hersteller:
YY Hersteller-Teilenummer: YJL3400A-F2-0000HF RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 4,5V | 12V | 29mOhm | 5A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HOTTECH | ||||||||||||
IRLML6344TRPBF HXY MOSFET
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML6344TRPBF; SP001574050;
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Auf Lager:
504 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 55mOhm | 5,8A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | |||||||||||||
IRLML6346TR UMW
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 80mOhm; 3,4A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML6346TRPBF; SP001578770;
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Auf Lager:
400 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 80mOhm | 3,4A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
IRLML6401
P-Channel-MOSFET-Transistor; 12V; 8V; 125 mOhm; 4,3A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML6401TRPBF; IRLML6401GTRPBF; SP001577044; SP001568584;
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Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML6401TR RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
866 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 12V | 8V | 125mOhm | 4,3A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | INFINEON | |||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML6401TR RoHS F... Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
1500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 12V | 8V | 125mOhm | 4,3A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | INFINEON | |||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML6401TRPBF Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
903000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 12V | 8V | 125mOhm | 4,3A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | INFINEON | |||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML6401TRPBF Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
396000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 12V | 8V | 125mOhm | 4,3A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | INFINEON | |||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML6401TRPBF Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
507200 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 12V | 8V | 125mOhm | 4,3A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | INFINEON | |||||||||||||
IRLR3410TRPBF HXY MOSFET
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 130 mOhm; 15A; 34,7 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
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Auf Lager:
75 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 130mOhm | 15A | 34,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | HXY MOSFET | |||||||||||||
IRLR3410TRPBF JGSEMI
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 140 mOhm; 10A; 5W; -55 °C ~ 125 °C; Äquivalent: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
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Auf Lager:
200 Stk. |
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Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 140mOhm | 10A | 5W | SMD | -55°C ~ 125°C | TO252 (DPACK) | JGSEMI | |||||||||||||
IRLR3410TRPBF-ML MOSLEADER
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
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Auf Lager:
130 Stk. |
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Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 120mOhm | 15A | 34,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | MOSLEADER | |||||||||||||
IRLR8726TRPBF JGSEMI
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 11mOhm; 80A; 54W; -55 °C ~ 125 °C; Äquivalent: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;
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Auf Lager:
350 Stk. |
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Standard-Verpackung: 300 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 11mOhm | 80A | 54W | SMD | -55°C ~ 125°C | TO252 (DPACK) | JGSEMI | |||||||||||||
IRLR8726TR UMW
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;
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Auf Lager:
250 Stk. |
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Standard-Verpackung: 300 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 8mOhm | 86A | 75W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | UMW | |||||||||||||
IRLR8726TRPBF
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR8726TRLPBF; IRLR8726PBF; IRLR8726TRPBF; IRLR8726PBF-GURT; IRLR8726;
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Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR8726TRPBF RoHS Präzisionsgehäuse: TO252 (DPACK) t/r |
Auf Lager:
2890 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 8mOhm | 86A | 75W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR8726TRPBF Präzisionsgehäuse: TO252 (DPACK) |
Externes Lager:
4550 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 8mOhm | 86A | 75W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR8726TRPBF Präzisionsgehäuse: TO252 (DPACK) |
Externes Lager:
22000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 8mOhm | 86A | 75W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-05-13
Anzahl der Stücke: 2000
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-06-01
Anzahl der Stücke: 2000
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-05-19
Anzahl der Stücke: 10000
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MMBF5484
N-JFET-Transistor; 25V; 25V; 5mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBF5484 RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
5 Stk. |
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
N-JFET | 25V | 25V | 5mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBF5484 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
12000 Stk. |
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-JFET | 25V | 25V | 5mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBF5484 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
6000 Stk. |
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-JFET | 25V | 25V | 5mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||||
MMBFJ112
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
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Auf Lager:
1980 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-JEFT | -35V | 50Ohm | SMD | -55°C ~ 155°C | SOT23 | ONSEMI | ||||||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBFJ112 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
171000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-JEFT | -35V | 50Ohm | SMD | -55°C ~ 155°C | SOT23 | ONSEMI | ||||||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBFJ112 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
30000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-JEFT | -35V | 50Ohm | SMD | -55°C ~ 155°C | SOT23 | ONSEMI | ||||||||||||||||
NTD5865NLT4G
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 19mOhm; 46A; 71W; -55 °C ~ 175 °C;
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Hersteller:
TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer: NTD5865NLT4G RoHS Präzisionsgehäuse: TO252 (DPACK) t/r |
Auf Lager:
70 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 19mOhm | 46A | 71W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
NTD5867N
Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 33mOhm; 20A; 50W; -55°C~150°C; Substitute: NTD5867NLT4G; NTD5867NL-VB; NTD5867NLT4G-VB; NTD5867NLT4G;
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Auf Lager:
150 Stk. |
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Standard-Verpackung: 150 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 33mOhm | 20A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO252 | TECH PUBLIC | |||||||||||||
NTS4173PT1G
P-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 280 mOhm; 1,2A; 290 mW; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
2795 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 12V | 280mOhm | 1,2A | 290mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTS4173PT1G Präzisionsgehäuse: SOT323 |
Externes Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 30V | 12V | 280mOhm | 1,2A | 290mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTS4173PT1G Präzisionsgehäuse: SOT323 |
Externes Lager:
57000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 30V | 12V | 280mOhm | 1,2A | 290mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
SI2301CDS-T1-GE3
P-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 142 mOhm; 3.1A; 1,6 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS SOT23 VISHAY;
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Auf Lager:
7600 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 142mOhm | 3,1A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2301CDS-T1-GE3 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
444000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 142mOhm | 3,1A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
Hersteller:
- Hersteller-Teilenummer: SI2301CDS-T1-GE3 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
57000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 142mOhm | 3,1A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2301CDS-T1-E3 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
15000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 142mOhm | 3,1A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
SI2304DDS
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 3,3A; 60mOhm; -/+20V; 1,1 W; -55°C~150°C; Äquivalent: SI2304DDS-T1-GE3;
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Auf Lager:
500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 10V | 20V | 60mOhm | 3,3A | 1,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | ||||||||||||
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2304DDS-T1-GE3 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
216000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 30V | 10V | 20V | 60mOhm | 3,3A | 1,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | ||||||||||||
Hersteller:
- Hersteller-Teilenummer: SI2304DDS-T1-GE3 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
201000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 30V | 10V | 20V | 60mOhm | 3,3A | 1,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | ||||||||||||
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2304DDS-T1-GE3 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
90000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 30V | 10V | 20V | 60mOhm | 3,3A | 1,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | ||||||||||||
SI2308BDS
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 105mOhm; 3A; 350mW; -55°C~150°C; Substitute: SI2308BDS-VB; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-BE3; SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-GE3-VB;
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Auf Lager:
140 Stk. |
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Standard-Verpackung: 150 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 105mOhm | 3A | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TECH PUBLIC | |||||||||||||
AS3400
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 51mOhm; 5,6A; 1,2 W; -55°C~150°C;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 51mOhm | 5,6A | 1,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | AnBon | |||||||||||||
SI4435DDY
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 35mOhm; 11,4A; 5W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4435DDY-T1-GE3; SI4435DDY-T1-E3; SI4435DDY-GE3;
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Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI4435DDY-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse: SOP08t/r |
Auf Lager:
75 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 35mOhm | 11,4A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SI4435DDY-T1-GE3 Präzisionsgehäuse: SOP08 |
Externes Lager:
800 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 35mOhm | 11,4A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SI4435DDY-T1-GE3 Präzisionsgehäuse: SOP08 |
Externes Lager:
20000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 35mOhm | 11,4A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Hersteller:
- Hersteller-Teilenummer: SI4435DDY-T1-GE3 Präzisionsgehäuse: SOP08 |
Externes Lager:
291 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 35mOhm | 11,4A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
SI4459ADY
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 7,7 mOhm; 29A; 7,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3;
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Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI4459ADY-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse: SOP08t/r |
Auf Lager:
40 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 7,7mOhm | 29A | 7,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SI4459ADY-T1-GE3 Präzisionsgehäuse: SOP08 |
Externes Lager:
5000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 7,7mOhm | 29A | 7,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
SI9407BDY
P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 150 mOhm; 4,7A; 5W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI9407AEY; SI9407BDY-T1-E3; SI9407BDY-T1-GE3; SI9407BDY-GE3;
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Auf Lager:
14 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 4,7A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI9407BDY-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse: SOP08t/r |
Auf Lager:
3 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 4,7A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SI9407BDY-T1-GE3 Präzisionsgehäuse: SOP08 |
Externes Lager:
15000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 4,7A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SI9407BDY-T1-E3 Präzisionsgehäuse: SOP08 |
Externes Lager:
5000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 4,7A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SI9407BDY-T1-GE3 Präzisionsgehäuse: SOP08 |
Externes Lager:
5000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 4,7A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
SI9433BDY
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 60mOhm; 4,5A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI9433BDY-E3; SI9433BDY-T1-E3; SI9433BDY-T1-GE3;
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Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI9433BDY-T1-E3 RoHS Präzisionsgehäuse: SOP08t/r |
Auf Lager:
50 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 60mOhm | 4,5A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY |
Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen
Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.
Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?
Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:
- Kristall,
- erste Elektrode,
- zweite Elektrode,
- Gate (Tor).
Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.
Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?
Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.
Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast
Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET.
Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.
Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.