Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5478)

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Gehäuse
Hersteller
IRLL3303 N-MOSFET-Transistor; 30V; 16V; 45mOhm; 6,5A; 2,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLL3303PBF; IRLL3303TRPBF;
IRLL3303 RoHS || IRLL3303 SOT223
Hersteller:
International Rectifier
Hersteller-Teilenummer:
IRLL3303 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
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30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
Preis netto (EUR) 3,0600 2,6322 2,4639 2,3751 2,3540
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100
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N-MOSFET 30V 16V 45mOhm 6,5A 2,1W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon (IRF)
IRLML0100 N-MOSFET-Transistor; 100V; 16V; 235 mOhm; 1,6A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML0100TRPBF; IRLML0100PBF;
IRLML0100TRPBF RoHS || IRLML0100TRPBF || IRLML0100 SOT23
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
IRLML0100TRPBF RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
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Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2875 0,1585 0,1052 0,0879 0,0818
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3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 16V 235mOhm 1,6A 1,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon (IRF)
 
Hersteller:
Infineon
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IRLML0100TRPBF
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SOT23
 
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474000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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N-MOSFET 100V 16V 235mOhm 1,6A 1,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon (IRF)
 
Hersteller:
Infineon
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IRLML0100TRPBF
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
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210000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0818
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N-MOSFET 100V 16V 235mOhm 1,6A 1,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon (IRF)
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
IRLML0100TRPBF
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SOT23
 
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46900 Stk.
Anzahl der Stücke 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0856
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100
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N-MOSFET 100V 16V 235mOhm 1,6A 1,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon (IRF)
IRLML0060TR UMW N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 16V; 116mOhm; 2,7A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML0060TRPBF; SP001568948;
IRLML0060TR RoHS || IRLML0060TR UMW SOT23
Hersteller:
UMW
Hersteller-Teilenummer:
IRLML0060TR RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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1000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2268 0,1239 0,0814 0,0701 0,0648
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1000
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N-MOSFET 60V 16V 116mOhm 2,7A 1,25W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 UMW
IRLML0100TRPBF HXY MOSFET N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 290 mOhm; 3A; 1W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML0100TRPBF; SP001568612;
IRLML0100TRPBF RoHS || IRLML0100TRPBF HXY MOSFET SOT23
Hersteller:
HXY MOSFET
Hersteller-Teilenummer:
IRLML0100TRPBF RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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160 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,1697 0,0678 0,0395 0,0330 0,0309
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1000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 20V 290mOhm 3A 1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HXY MOSFET
IRLML0100TR UMW N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 16V; 235mOhm; 1,6A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML0100TRPBF; SP001568612;
IRLML0100TR RoHS || IRLML0100TR UMW SOT23
Hersteller:
UMW
Hersteller-Teilenummer:
IRLML0100TR RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2153 0,1178 0,0771 0,0666 0,0615
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 16V 235mOhm 1,6A 1,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 UMW
IRLML2803 N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 400 mOhm; 1,2A; 540 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML2803TRPBF; IRLML2803PBF; IRLML2803GTRPBF;
IRLML2803TR RoHS || IRLML2803TRPBF || IRLML2803 SOT23
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
IRLML2803TR RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
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3217 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2665 0,1419 0,1101 0,1015 0,0972
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3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 20V 400mOhm 1,2A 540mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon (IRF)
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
IRLML2803TRPBF
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
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675000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0972
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3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 30V 20V 400mOhm 1,2A 540mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon (IRF)
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
IRLML2803TRPBF
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
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153000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0972
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3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 30V 20V 400mOhm 1,2A 540mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon (IRF)
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
IRLML2803TRPBF
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
22700 Stk.
Anzahl der Stücke 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0972
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100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 30V 20V 400mOhm 1,2A 540mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon (IRF)
IRLML5203 UMW P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 145mOhm; 3A; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML5203TRPBF; IRLML5203GTRPBF; SP001567222; SP001558846;
IRLML5203 RoHS 1H MK. || IRLML5203 UMW SOT23
Hersteller:
UMW
Hersteller-Teilenummer:
IRLML5203 RoHS 1H MK.
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
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2450 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2062 0,1141 0,0757 0,0634 0,0589
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 145mOhm 3A 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 UMW
IRLML6344 SOT23 N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 5A; 29mOhm; 12V; 1,3 W; -55°C~150°C; Äquivalent: YJL3400A-F2-0000HF;
IRLML6344 RoHS || YJL3400A-F2-0000HF RoHS || IRLML6344 SOT23 SOT23
Hersteller:
HOTTECH
Hersteller-Teilenummer:
IRLML6344 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2800 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2455 0,1244 0,0753 0,0596 0,0545
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 4,5V 12V 29mOhm 5A 1,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HOTTECH
 
Hersteller:
YY
Hersteller-Teilenummer:
YJL3400A-F2-0000HF RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1891 0,0898 0,0505 0,0383 0,0344
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 4,5V 12V 29mOhm 5A 1,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HOTTECH
IRLML6344TRPBF HXY MOSFET N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML6344TRPBF; SP001574050;
IRLML6344TRPBF RoHS || IRLML6344TRPBF HXY MOSFET SOT23
Hersteller:
HXY MOSFET
Hersteller-Teilenummer:
IRLML6344TRPBF RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
504 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,1749 0,0699 0,0407 0,0339 0,0318
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 12V 55mOhm 5,8A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HXY MOSFET
IRLML6346TR UMW N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 80mOhm; 3,4A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML6346TRPBF; SP001578770;
IRLML6346TR RoHS || IRLML6346TR UMW SOT23
Hersteller:
UMW
Hersteller-Teilenummer:
IRLML6346TR RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
400 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2078 0,1145 0,0760 0,0631 0,0594
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 12V 80mOhm 3,4A 1,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 UMW
IRLML6401 P-Channel-MOSFET-Transistor; 12V; 8V; 125 mOhm; 4,3A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML6401TRPBF; IRLML6401GTRPBF; SP001577044; SP001568584;
IRLML6401TR RoHS || IRLML6401TR RoHS F... || IRLML6401TRPBF || IRLML6401 SOT23
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
IRLML6401TR RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
866 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2899 0,1604 0,1064 0,0888 0,0828
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 12V 8V 125mOhm 4,3A 1,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 INFINEON
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
IRLML6401TR RoHS F...
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
1500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2899 0,1604 0,1064 0,0888 0,0828
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 12V 8V 125mOhm 4,3A 1,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 INFINEON
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
IRLML6401TRPBF
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
903000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0828
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 12V 8V 125mOhm 4,3A 1,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 INFINEON
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
IRLML6401TRPBF
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
396000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0828
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 12V 8V 125mOhm 4,3A 1,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 INFINEON
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
IRLML6401TRPBF
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
507200 Stk.
Anzahl der Stücke 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0828
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 12V 8V 125mOhm 4,3A 1,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 INFINEON
IRLR3410TRPBF HXY MOSFET N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 130 mOhm; 15A; 34,7 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
IRLR3410TRPBF RoHS || IRLR3410TRPBF HXY MOSFET TO252 (DPACK)
Hersteller:
HXY MOSFET
Hersteller-Teilenummer:
IRLR3410TRPBF RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
75 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,5657 0,3553 0,2945 0,2618 0,2455
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 20V 130mOhm 15A 34,7W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) HXY MOSFET
IRLR3410TRPBF JGSEMI N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 140 mOhm; 10A; 5W; -55 °C ~ 125 °C; Äquivalent: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
IRLR3410TRPBF RoHS || IRLR3410TRPBF JGSEMI TO252 (DPACK)
Hersteller:
JGSEMI
Hersteller-Teilenummer:
IRLR3410TRPBF RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5213 0,3156 0,2431 0,2186 0,2081
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 20V 140mOhm 10A 5W SMD -55°C ~ 125°C TO252 (DPACK) JGSEMI
IRLR3410TRPBF-ML MOSLEADER N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
IRLR3410TRPBF-ML RoHS || IRLR3410TRPBF-ML MOSLEADER TO252 (DPACK)
Hersteller:
MOSLEADER
Hersteller-Teilenummer:
IRLR3410TRPBF-ML RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
130 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5306 0,3226 0,2478 0,2232 0,2125
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 20V 120mOhm 15A 34,7W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) MOSLEADER
IRLR8726TRPBF JGSEMI N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 11mOhm; 80A; 54W; -55 °C ~ 125 °C; Äquivalent: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;
IRLR8726TRPBF RoHS || IRLR8726TRPBF JGSEMI TO252 (DPACK)
Hersteller:
JGSEMI
Hersteller-Teilenummer:
IRLR8726TRPBF RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
350 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,3203 0,2099 0,1508 0,1293 0,1230
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 20V 11mOhm 80A 54W SMD -55°C ~ 125°C TO252 (DPACK) JGSEMI
IRLR8726TR UMW N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;
IRLR8726TR RoHS || IRLR8726TR UMW TO252 (DPACK)
Hersteller:
UMW
Hersteller-Teilenummer:
IRLR8726TR RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK)
Datenblatt
Auf Lager:
250 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,3226 0,2116 0,1519 0,1302 0,1239
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 20V 8mOhm 86A 75W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) UMW
IRLR8726TRPBF N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR8726TRLPBF; IRLR8726PBF; IRLR8726TRPBF; IRLR8726PBF-GURT; IRLR8726;
IRLR8726TRPBF RoHS || IRLR8726TRPBF || IRLR8726TRPBF TO252 (DPACK)
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
IRLR8726TRPBF RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
 
Auf Lager:
2890 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4675 0,2829 0,2176 0,1964 0,1868
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Standard-Verpackung:
2000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 20V 8mOhm 86A 75W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) Infineon (IRF)
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
IRLR8726TRPBF
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK)
 
Externes Lager:
4550 Stk.
Anzahl der Stücke 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2025
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Standard-Verpackung:
50
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Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 30V 20V 8mOhm 86A 75W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) Infineon (IRF)
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
IRLR8726TRPBF
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK)
 
Externes Lager:
22000 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1868
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 30V 20V 8mOhm 86A 75W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) Infineon (IRF)
                           
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-05-13
Anzahl der Stücke: 2000
                     
                           
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-06-01
Anzahl der Stücke: 2000
                     
                           
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-05-19
Anzahl der Stücke: 10000
                     
MMBF5484 N-JFET-Transistor; 25V; 25V; 5mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C;
MMBF5484 RoHS || MMBF5484 || MMBF5484 SOT23
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MMBF5484 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
5 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,8649 0,5423 0,4512 0,4021 0,3764
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-JFET 25V 25V 5mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MMBF5484
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
12000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3764
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-JFET 25V 25V 5mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MMBF5484
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
6000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3764
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-JFET 25V 25V 5mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
MMBFJ112 Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
MMBFJ112 RoHS || MMBFJ112 || MMBFJ112 SOT23
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MMBFJ112 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1980 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2875 0,1590 0,1057 0,0881 0,0821
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-JEFT -35V 50Ohm SMD -55°C ~ 155°C SOT23 ONSEMI
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MMBFJ112
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
171000 Stk.
Anzahl der Stücke 1539+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0821
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-JEFT -35V 50Ohm SMD -55°C ~ 155°C SOT23 ONSEMI
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MMBFJ112
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
30000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0821
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-JEFT -35V 50Ohm SMD -55°C ~ 155°C SOT23 ONSEMI
NTD5865NLT4G N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 19mOhm; 46A; 71W; -55 °C ~ 175 °C;
NTD5865NLT4G RoHS || NTD5865NLT4G TO252 (DPACK)
Hersteller:
TECH PUBLIC
Hersteller-Teilenummer:
NTD5865NLT4G RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
 
Auf Lager:
70 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,8392 0,5260 0,4371 0,3904 0,3647
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 19mOhm 46A 71W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) ON SEMICONDUCTOR
NTD5867N Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 33mOhm; 20A; 50W; -55°C~150°C; Substitute: NTD5867NLT4G; NTD5867NL-VB; NTD5867NLT4G-VB; NTD5867NLT4G;
NTD5867NLT4G RoHS || NTD5867N TO252
Hersteller:
TECH PUBLIC
Hersteller-Teilenummer:
NTD5867NLT4G RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
150 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 40+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 0,7364 0,4605 0,3670 0,3296 0,3203
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Standard-Verpackung:
150
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 33mOhm 20A 50W THT -55°C ~ 150°C TO252 TECH PUBLIC
NTS4173PT1G P-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 280 mOhm; 1,2A; 290 mW; -55 °C ~ 150 °C;
NTS4173PT1G RoHS || NTS4173PT1G || NTS4173PT1G SOT323
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
NTS4173PT1G RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT323 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2795 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3132 0,1664 0,1290 0,1190 0,1141
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 12V 280mOhm 1,2A 290mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
NTS4173PT1G
Präzisionsgehäuse:
SOT323
 
Externes Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1141
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 30V 12V 280mOhm 1,2A 290mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
NTS4173PT1G
Präzisionsgehäuse:
SOT323
 
Externes Lager:
57000 Stk.
Anzahl der Stücke 1737+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1141
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 30V 12V 280mOhm 1,2A 290mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 ON SEMICONDUCTOR
SI2301CDS-T1-GE3 P-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 142 mOhm; 3.1A; 1,6 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS SOT23 VISHAY;
SI2301CDS-T1-GE3 RoHS || SI2301CDS-T1-GE3 || SI2301CDS-T1-E3 || SI2301CDS-T1-GE3 SOT23
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SI2301CDS-T1-GE3 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
7600 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2922 0,1620 0,1078 0,0898 0,0837
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 20V 8V 142mOhm 3,1A 1,6W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
 
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SI2301CDS-T1-GE3
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
444000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0837
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 20V 8V 142mOhm 3,1A 1,6W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
 
Hersteller:
-
Hersteller-Teilenummer:
SI2301CDS-T1-GE3
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
57000 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0837
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 20V 8V 142mOhm 3,1A 1,6W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
 
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SI2301CDS-T1-E3
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
15000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1060
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 20V 8V 142mOhm 3,1A 1,6W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
SI2304DDS N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 3,3A; 60mOhm; -/+20V; 1,1 W; -55°C~150°C; Äquivalent: SI2304DDS-T1-GE3;
SI2304DDS-T1-GE3 RoHS || SI2304DDS-T1-GE3 || SI2304DDS SOT23
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SI2304DDS-T1-GE3 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,3179 0,1699 0,1323 0,1197 0,1157
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 10V 20V 60mOhm 3,3A 1,1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
 
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SI2304DDS-T1-GE3
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
216000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1157
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 30V 10V 20V 60mOhm 3,3A 1,1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
 
Hersteller:
-
Hersteller-Teilenummer:
SI2304DDS-T1-GE3
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
201000 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1157
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 30V 10V 20V 60mOhm 3,3A 1,1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
 
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SI2304DDS-T1-GE3
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
90000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1157
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 30V 10V 20V 60mOhm 3,3A 1,1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
SI2308BDS Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 105mOhm; 3A; 350mW; -55°C~150°C; Substitute: SI2308BDS-VB; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-BE3; SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-GE3-VB;
SI2308BDS RoHS E8. || SI2308BDS SOT23
Hersteller:
TECH PUBLIC
Hersteller-Teilenummer:
SI2308BDS RoHS E8.
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
140 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 40+ 150+ 750+
Preis netto (EUR) 0,2805 0,1788 0,1295 0,1108 0,1022
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Standard-Verpackung:
150
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 105mOhm 3A 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 TECH PUBLIC
AS3400 N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 51mOhm; 5,6A; 1,2 W; -55°C~150°C;
AS3400 RoHS || AS3400 SOT23
Hersteller:
AnBon
Hersteller-Teilenummer:
AS3400 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1774 0,0844 0,0475 0,0360 0,0323
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 12V 51mOhm 5,6A 1,2W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 AnBon
SI4435DDY P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 35mOhm; 11,4A; 5W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4435DDY-T1-GE3; SI4435DDY-T1-E3; SI4435DDY-GE3;
SI4435DDY-T1-GE3 RoHS || SI4435DDY-T1-GE3 || SI4435DDY SOP08
Hersteller:
Siliconix
Hersteller-Teilenummer:
SI4435DDY-T1-GE3 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
 
Auf Lager:
75 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,5540 0,3483 0,2875 0,2571 0,2408
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 35mOhm 11,4A 5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
 
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SI4435DDY-T1-GE3
Präzisionsgehäuse:
SOP08
 
Externes Lager:
800 Stk.
Anzahl der Stücke 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2557
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 30V 20V 35mOhm 11,4A 5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
 
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SI4435DDY-T1-GE3
Präzisionsgehäuse:
SOP08
 
Externes Lager:
20000 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2408
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 30V 20V 35mOhm 11,4A 5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
 
Hersteller:
-
Hersteller-Teilenummer:
SI4435DDY-T1-GE3
Präzisionsgehäuse:
SOP08
 
Externes Lager:
291 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,5623
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 30V 20V 35mOhm 11,4A 5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
SI4459ADY P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 7,7 mOhm; 29A; 7,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3;
SI4459ADY-T1-GE3 RoHS || SI4459ADY-T1-GE3 || SI4459ADY SOP08
Hersteller:
Siliconix
Hersteller-Teilenummer:
SI4459ADY-T1-GE3 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
 
Auf Lager:
40 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 1,3114 0,9164 0,7527 0,7013 0,6896
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 7,7mOhm 29A 7,8W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
 
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SI4459ADY-T1-GE3
Präzisionsgehäuse:
SOP08
 
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,6896
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 30V 20V 7,7mOhm 29A 7,8W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
SI9407BDY P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 150 mOhm; 4,7A; 5W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI9407AEY; SI9407BDY-T1-E3; SI9407BDY-T1-GE3; SI9407BDY-GE3;
SI9407BDY-T1-GE3 RoHS || SI9407BDY-T1-GE3 || SI9407BDY-T1-E3 || SI9407BDY SOP08
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SI9407BDY-T1-GE3 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
14 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,7738 0,4862 0,4044 0,3600 0,3366
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 60V 20V 150mOhm 4,7A 5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
 
Hersteller:
Siliconix
Hersteller-Teilenummer:
SI9407BDY-T1-GE3 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
 
Auf Lager:
3 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,8065 0,5073 0,4208 0,3740 0,3506
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 60V 20V 150mOhm 4,7A 5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
 
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SI9407BDY-T1-GE3
Präzisionsgehäuse:
SOP08
 
Externes Lager:
15000 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3506
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 60V 20V 150mOhm 4,7A 5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
 
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SI9407BDY-T1-E3
Präzisionsgehäuse:
SOP08
 
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Vishay
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SI9407BDY-T1-GE3
Präzisionsgehäuse:
SOP08
 
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P-MOSFET 60V 20V 150mOhm 4,7A 5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
SI9433BDY P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 60mOhm; 4,5A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI9433BDY-E3; SI9433BDY-T1-E3; SI9433BDY-T1-GE3;
SI9433BDY-T1-E3 RoHS || SI9433BDY SOP08
Hersteller:
Siliconix
Hersteller-Teilenummer:
SI9433BDY-T1-E3 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
 
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P-MOSFET 20V 12V 60mOhm 4,5A 1,3W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.