Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 6910)
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Transistor-Typ
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Max. Drain-Source Spannung
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Msx. Drain-Gate Spannung
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Max. Gate-Source Spannung
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Widerstand im offenen Kanal
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Max. Drainstrom
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Maximaler Leistungsverlust
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Montage
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Gehäuse
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Hersteller
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BSS138BK SOT23 TECH PUBLIC
N-Kanal 50 V 360 mA 0,35 W Oberflächenmontage SOT-23
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0 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 50V | 20V | 4,5Ohm | 360mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 155°C | SOT23 | TECH PUBLIC | |||||||||||||
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2026-04-30
Anzahl der Stücke: 3000
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LGE3401 SOT23 LGE
Transistor P-Kanal MOSFET; 30V; 12V; 120mOhm; 4,2A; 1,2W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: KO3401; AO3401; MOT3401AA3; LGE3401; C-CDM3401;
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Hersteller:
LGE Hersteller-Teilenummer: LGE3401 RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 12V | 120mOhm | 4,2A | 1,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | LGE | |||||||||||||
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MOT4606S SOIC-8 MOT
Transistor N+P-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 27mOhm; 6,5A/-7A; 2W; -55°C ~ 150°C; LTB:31-JULY-2024; Äquivalent: IRFR7404TRPBF; IRF7404PBF; IRF7404PBF-GURT;
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Auf Lager:
600 Stk. |
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Standard-Verpackung: 600 Menge (mehrere 1) |
N/P-MOSFET | 30V | 20V | 27mOhm | 6,5A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | MOT | |||||||||||||
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IRLR2705TRPBF MOT
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 50W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLR2705PBF; IRLR2705TRPBF; IRLR2705TRLPBF; IRLR2705PBF-GURT; IRLR2705; YFW50N06AD; MOT30N06D; DH300N08D;
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Auf Lager:
500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 40mOhm | 30A | 50W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | MOT | |||||||||||||
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MOT150N03A TO-220 MOT
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,8mOhm; 150A; 130W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRL2203N;
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Auf Lager:
200 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50/200 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 4,8mOhm | 150A | 130W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | MOT | |||||||||||||
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YFW30N06AD TO-252 YFW
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 35W; -55°C ~ 150°C; Ähnlich: STD20NF06T4;
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Auf Lager:
1065 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1065 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 40mOhm | 30A | 35W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | YFW | |||||||||||||
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YFW60N06AT TO220 YFW
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 25mOhm; 60A; 75W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: STP55NF06;
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Auf Lager:
500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50/500 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 25mOhm | 60A | 75W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | YFW | |||||||||||||
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MOT55N06B TO220 MOT
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 22mOhm; 55A; 100W; -55°C ~ 150°C; Ähnlich: FQP50N06; IRLZ44NPBF; STP55NF06;
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Auf Lager:
200 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50/200 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 22mOhm | 55A | 100W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | MOT | |||||||||||||
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MOT100N07E D2PAK MOT
Transistor N-Kanal MOSFET; 70V; 20V; 6,5mOhm; 100A; 136W; -55°C ~ 150°C; Ähnlich: IRF3205STRLPBF; PTY12HN06;
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Auf Lager:
107 Stk. |
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Standard-Verpackung: 107 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 70V | 20V | 6,5mOhm | 100A | 136W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | MOT | |||||||||||||
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Auf Lager:
73 Stk. |
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Standard-Verpackung: 73 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 70V | 20V | 6,5mOhm | 100A | 136W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | MOT | |||||||||||||
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MOT5N50F TO-220F MOT
Transistor N-Kanal MOSFET; 500V; 30V; 1,85Ohm; 5A; 30W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF830PBF;
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Auf Lager:
900 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50/900 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 1,85Ohm | 5A | 30W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | MOT | |||||||||||||
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MOT4435BS SOIC-8 MOT
Transistor P-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 40mOhm; 9,1A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Ähnlich: IRFR7404TRPBF; IRF7404PBF; IRF7404PBF-GURT;
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Auf Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 40mOhm | 9,1A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | MOT | |||||||||||||
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MOT5N50MD TO-252 MOT
Transistor N-Kanal MOSFET; 500V; 30V; 2,2Ohm; 5A; 50W; -55°C ~ 150°C; Ähnlich: IRFR420TRPBF;
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Auf Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 2,2Ohm | 5A | 50W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | MOT | |||||||||||||
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YFWG50N10AD TO-252 YFW
Transistor N-Kanal MOSFET; 100V; 20V; 25mOhm; 50A; 82W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLR3110ZPBF; IRLR3110ZTRPBF; IRLR3110ZTRLPBF; IRLR3110ZTRRPBF; IRLR3110ZPBF-GURT;
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Auf Lager:
500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 25mOhm | 50A | 82W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | YFW | |||||||||||||
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SI2323DS-T1-GE3-L SOT23 PIELENST
Transistor P-Kanal MOSFET; 20V; 10V; 80mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
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Auf Lager:
600 Stk. |
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Standard-Verpackung: 600 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 20V | 10V | 80mOhm | 4,2A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | PIELENST | |||||||||||||
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2N7002NXAKR SOT-23 TECH PUBLIC
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 2,5Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
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Auf Lager:
370 Stk. |
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Standard-Verpackung: 370 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,5Ohm | 300mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TECH PUBLIC | |||||||||||||
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Auf Lager:
230 Stk. |
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Standard-Verpackung: 230 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,5Ohm | 300mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TECH PUBLIC | |||||||||||||
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Hersteller:
REALCHIP Hersteller-Teilenummer: BSS123 RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
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Hersteller:
REALCHIP Hersteller-Teilenummer: BSS84K RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
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RC2300A SOT23 REALCHIP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 82mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS806NEH6327XTSA1; BSS806NEH6327;
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Hersteller:
REALCHIP Hersteller-Teilenummer: RC2300A RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
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RC4812 SOP-8 REALCHIP
ODPOWIEDNIK: IRF9956TRPBF;
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Hersteller:
REALCHIP Hersteller-Teilenummer: RC4812 RoHS Präzisionsgehäuse: SOP08t/r |
Auf Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
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Hersteller:
REALCHIP Hersteller-Teilenummer: RC4816 RoHS Präzisionsgehäuse: SOP08t/r |
Auf Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
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Hersteller:
REALCHIP Hersteller-Teilenummer: RC4828 RoHS Präzisionsgehäuse: SOP08t/r |
Auf Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
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RC3422 SOT23-3 RealChip
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 12V; 210mOhm; 2,1A; 1,25W; -55°C ~ 150°C;
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Hersteller:
REALCHIP Hersteller-Teilenummer: RC3422 RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23-3 t/r |
Auf Lager:
500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
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RC4406A SOP-8 RealChip
ODPOWIEDNIK: IRF7403TRPBF; IRF7201TRPBF;
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Hersteller:
REALCHIP Hersteller-Teilenummer: RC4406A RoHS Präzisionsgehäuse: SOP08Wt/r |
Auf Lager:
500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
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RC3400 SOT23 REALCHIP
Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 350mW; -55°C ~ 150°C; AO3400 Alpha&Omega Semiconductor AOS; YJL3400B; AOS AO3400; MOT3400AB2; BSS306NH6327XTSA1; RC2304A; YFW3404B; PT3404; BSS306N-VB; LGE3404;
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Auf Lager:
9000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000/9000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 5,8A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||
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YFW15N06S SOP8 YFW
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 30mOhm; 7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; PTS6012; IRF7478PBF; IRF7478TRPBF; IRF7478PBF-GURT; Wycofano z produkcji; IRF7478; PTS6012; YFW15N06S; TPM60V8NS8;
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Auf Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
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RC2302A SOT23 RealChip
Trasiystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 82mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C; TSM2302CX; BSS205NH6327; BSS214NH6327; BSS806NH6327XTSA1; BSS205N; BSS205NH6327XTSA1; MOT2302AB2; PT2302B; RC2302A;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
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RCP55N06 TO220 REALCHIP
Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 110W; -55°C ~ 175°C;
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Hersteller:
REALCHIP Hersteller-Teilenummer: RCP55N06 RoHS Präzisionsgehäuse: TO220 |
Auf Lager:
200 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50/200 Menge (mehrere 1) |
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RC2305A SOT23 REALCHIP
Transistor P-Kanal MOSFET; 20V; 8V; 113mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; DMP2305U-7; SI2305; LGE2305; KI2305;
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Hersteller:
REALCHIP Hersteller-Teilenummer: RC2305A RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
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T2N7002BK-ES SOT23 ELECSUPER
N-Kanal 60V 300mA 350mW Surface Mount SOT-23
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
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PTD30P25 TO252 HT SEMI
Transistor P-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 55mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 175°C; ähnlich wie: YFW60P03AD; PTD40P20; HSU3103; DOD23-O4; DOD30P03; TW40P03D; SP30P20TH; PTD30P25; AOD417;
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Auf Lager:
2500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Menge (mehrere 1) |
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen
Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.
Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?
Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:
- Kristall,
- erste Elektrode,
- zweite Elektrode,
- Gate (Tor).
Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.
Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?
Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.
Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast
Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET.
Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.
Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.