Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5478)

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Max. Drain-Source Spannung
Msx. Drain-Gate Spannung
Max. Gate-Source Spannung
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Gehäuse
Hersteller
2N7002-TP N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 7,5 Ohm; 115mA; 200 mW; -55 °C ~ 150 °C;
2N7002-TP RoHS || 2N7002-TP SOT23-3
Hersteller:
Micro Commercial Components Corp.
Hersteller-Teilenummer:
2N7002-TP RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
Datenblatt
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21000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1840 0,0874 0,0491 0,0374 0,0334
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 7,5Ohm 115mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 Micro Comercial Components Corp.
2N7002A-7 N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 6Ohm; 220mA; 540 mW; -55 °C ~ 150 °C;
2N7002A-7 RoHS || 2N7002A-7 || 2N7002A || 2N7002A-7 SOT23
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
2N7002A-7 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2450 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1903 0,0905 0,0510 0,0386 0,0346
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 6Ohm 220mA 540mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
2N7002A-7
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
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51000 Stk.
Anzahl der Stücke 15000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0346
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3000
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20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 20V 6Ohm 220mA 540mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
 
Hersteller:
-
Hersteller-Teilenummer:
2N7002A
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
5600 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0346
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20
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20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 20V 6Ohm 220mA 540mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
2N7002BK N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2Ohm; 350mA; 440 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002BK,215; 2N7002BK.215;
2N7002BK,215 RoHS || 2N7002BK,215 || 2N7002BK SOT23
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
2N7002BK,215 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
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5500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1466 0,0697 0,0393 0,0297 0,0266
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3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 2Ohm 350mA 440mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
2N7002BK,215
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
258000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0266
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3000
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20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 20V 2Ohm 350mA 440mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
2N7002BK,215
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
654000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0266
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3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 20V 2Ohm 350mA 440mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
2N7002BK,215
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
2052000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0266
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3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 20V 2Ohm 350mA 440mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
2N7002BKS,115 2xN-Channel MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2Ohm; 300mA; 340 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002BKS,115;
2N7002BKS,115 RoHS || 2N7002BKS,115 || 2N7002BKS,115 SOT363
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
2N7002BKS,115 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1720 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2408 0,1216 0,0736 0,0584 0,0533
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
2xN-MOSFET 60V 20V 2Ohm 300mA 340mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
2N7002BKS,115
Präzisionsgehäuse:
SOT363
 
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6000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0533
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3000
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Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
2xN-MOSFET 60V 20V 2Ohm 300mA 340mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
2N7002BKS,115
Präzisionsgehäuse:
SOT363
 
Externes Lager:
54000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0533
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3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
2xN-MOSFET 60V 20V 2Ohm 300mA 340mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
2N7002BKS,115
Präzisionsgehäuse:
SOT363
 
Externes Lager:
360000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0533
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3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
2xN-MOSFET 60V 20V 2Ohm 300mA 340mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 NXP
2N7002BKW,115 N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2Ohm; 310mA; 330 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002BKW,115; 2N7002BKW.115; 2N7002BKW;
2N7002BKW,115 RoHS || 2N7002BKW,115 || 2N7002BKW,115 SOT323
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
2N7002BKW,115 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT323 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1690 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2289 0,1087 0,0612 0,0465 0,0416
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 2Ohm 310mA 330mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
2N7002BKW,115
Präzisionsgehäuse:
SOT323
 
Externes Lager:
66000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0416
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3000
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Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 20V 2Ohm 310mA 330mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 NXP
2N7002DW 2xN-Channel MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 13,5 Ohm; 115mA; 200 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002DW-7-F;
2N7002DW RoHS K72.. || 2N7002DW-7-F || 2N7002DW-TP || 2N7002DW SC70-6
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
2N7002DW RoHS K72..
Präzisionsgehäuse:
SC70-6 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
295 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2478 0,1368 0,0905 0,0753 0,0708
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
2xN-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 115mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SC70-6 DIODES
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
2N7002DW-7-F
Präzisionsgehäuse:
SC70-6
 
Externes Lager:
75000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0708
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
2xN-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 115mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SC70-6 DIODES
 
Hersteller:
Micro Commercial Components Corp.
Hersteller-Teilenummer:
2N7002DW-TP
Präzisionsgehäuse:
SC70-6
 
Externes Lager:
15000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0708
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
2xN-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 115mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SC70-6 DIODES
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
2N7002DW-7-F
Präzisionsgehäuse:
SC70-6
 
Externes Lager:
1077000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0708
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
2xN-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 115mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SC70-6 DIODES
2N7002ET1G N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3Ohm; 310mA; 420 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002ET1E3;
2N7002ET1G RoHS || 2N7002ET1G || 2N7002ET1G SOT23-3
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
2N7002ET1G RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1865 0,0886 0,0498 0,0379 0,0339
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 3Ohm 310mA 420mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
2N7002ET1G
Präzisionsgehäuse:
SOT23-3
 
Externes Lager:
3597000 Stk.
Anzahl der Stücke 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0339
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 20V 3Ohm 310mA 420mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 ON SEMICONDUCTOR
2N7002EW N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 5,3 Ohm; 340mA; 200 mW; -55°C~150°C;
2N7002EW RoHS || 2N7002EW SOT323
Hersteller:
AnBon
Hersteller-Teilenummer:
2N7002EW RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT323 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 4000+
Preis netto (EUR) 0,1894 0,0823 0,0517 0,0442 0,0421
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
MOSFET 60V 20V 30V 5,3Ohm 340mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 AnBon
2N7002H6327XTSA2 Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
2N7002H6327XTSA2 RoHS || 2N7002H6327XTSA2 Infineon SOT363
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
2N7002H6327XTSA2 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
17910 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2188 0,1110 0,0673 0,0533 0,0486
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 4Ohm 300mA 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 Infineon Technologies
2N7002K JSMICRO N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G; 2N7002KT3G; 2N7002KT7G; 2N7002K-TP;
2N7002K RoHS || 2N7002K JSMICRO SOT23
Hersteller:
JSMicro Semiconductor
Hersteller-Teilenummer:
2N7002K RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1071 0,0491 0,0266 0,0200 0,0179
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 3Ohm 500mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 JSMICRO
2N7002K VISHAY N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002KT1G; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3;
2N7002KT1G RoHS || 2N7002K-T1-GE3 || 2N7002KT1G || 2N7002K VISHAY SOT23
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
2N7002KT1G RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
980 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1414 0,0671 0,0379 0,0288 0,0257
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 4Ohm 300mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
 
Hersteller:
-
Hersteller-Teilenummer:
2N7002K-T1-GE3
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
147000 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0257
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 20V 4Ohm 300mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
2N7002KT1G
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
135000 Stk.
Anzahl der Stücke 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0257
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 20V 4Ohm 300mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
2N7002KW N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3Ohm; 310mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002KW-FAI; 2N7002KW-YAN; 2N7002KW-TP;
2N7002KW RoHS || 2N7002KW || 2N7002KW SOT323
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
2N7002KW RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT323 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
6000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2455 0,1358 0,0902 0,0753 0,0701
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 3Ohm 310mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
2N7002KW
Präzisionsgehäuse:
SOT323
 
Externes Lager:
114000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0701
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 20V 3Ohm 310mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
2N7002KW
Präzisionsgehäuse:
SOT323
 
Externes Lager:
381000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0701
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 20V 3Ohm 310mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
2N7002KW
Präzisionsgehäuse:
SOT323
 
Externes Lager:
12000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0701
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 20V 3Ohm 310mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 ON SEMICONDUCTOR
2N7002KW-Q Yangzhou Yangjie Elec. N-Channel MOSFET; 60V; 340mA; 350mW; 3 Ohm; -55°C ~ 150°C;
2N7002KWQ RoHS || 2N7002KW-Q  Yangzhou Yangjie Elec. SOT323
Hersteller:
YY
Hersteller-Teilenummer:
2N7002KWQ RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT323 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1240 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1092 0,0500 0,0274 0,0204 0,0182
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 2,5Ohm 340mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
2N7002P,215 N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2Ohm; 360mA; 420 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002P,215; 2N7002P,235; 2N7002P.215; 2N7002P;
2N7002P,215 RoHS || 2N7002P,215 || 2N7002P,215 SOT23-3
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
2N7002P,215 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2845 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1361 0,0624 0,0339 0,0255 0,0227
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 2Ohm 360mA 420mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
2N7002P,215
Präzisionsgehäuse:
SOT23-3
 
Externes Lager:
178000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0227
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3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 20V 2Ohm 360mA 420mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
2N7002P,215
Präzisionsgehäuse:
SOT23-3
 
Externes Lager:
1443000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0227
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 20V 2Ohm 360mA 420mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
2N7002P,215
Präzisionsgehäuse:
SOT23-3
 
Externes Lager:
42000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0227
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 20V 2Ohm 360mA 420mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
2N7002PS NXP 2xN-Channel MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 420 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002PS.115; 2N7002PS,125;
2N7002PS RoHS || 2N7002PS,125 || 2N7002PS,115 || 2N7002PS NXP SC-88
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
2N7002PS RoHS
Präzisionsgehäuse:
SC-88 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2990 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2455 0,1295 0,1005 0,0928 0,0888
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
2xN-MOSFET 60V 20V 2Ohm 320mA 420mW SMD -55°C ~ 150°C SC-88 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
2N7002PS,125
Präzisionsgehäuse:
SC-88
 
Externes Lager:
30000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0888
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
2xN-MOSFET 60V 20V 2Ohm 320mA 420mW SMD -55°C ~ 150°C SC-88 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
2N7002PS,115
Präzisionsgehäuse:
SC-88
 
Externes Lager:
1965000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0888
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
2xN-MOSFET 60V 20V 2Ohm 320mA 420mW SMD -55°C ~ 150°C SC-88 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
2N7002PS,115
Präzisionsgehäuse:
SC-88
 
Externes Lager:
9000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0888
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
2xN-MOSFET 60V 20V 2Ohm 320mA 420mW SMD -55°C ~ 150°C SC-88 NXP
2N7002PW NXP N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2Ohm; 310mA; 310 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002PW,115; 2N7002PW.115;
2N7002PW,115 RoHS || 2N7002PW,115 || 2N7002PW NXP SOT323
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
2N7002PW,115 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT323 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1763 0,0837 0,0470 0,0358 0,0320
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 2Ohm 310mA 310mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
2N7002PW,115
Präzisionsgehäuse:
SOT323
 
Externes Lager:
693000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0320
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 20V 2Ohm 310mA 310mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
2N7002PW,115
Präzisionsgehäuse:
SOT323
 
Externes Lager:
84000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0320
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 20V 2Ohm 310mA 310mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
2N7002PW,115
Präzisionsgehäuse:
SOT323
 
Externes Lager:
258000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0320
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 20V 2Ohm 310mA 310mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 NXP
2N7002T-7-F SOT-523 DIODES N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 13,5 Ohm; 115mA; 150 mW; -55 °C ~ 150 °C; Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A Automotive 3-Pin SOT-523 T/R
2N7002T-7-F RoHS || 2N7002T-7-F || 2N7002T-7-F SOT-523 DIODES SOT523
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
2N7002T-7-F RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT523
Datenblatt
Auf Lager:
79 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,1138 0,0519 0,0281 0,0209 0,0190
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 115mA 150mW SMD -55°C ~ 150°C SOT523 DIODES
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
2N7002T-7-F
Präzisionsgehäuse:
SOT523
 
Externes Lager:
90000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0310
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 115mA 150mW SMD -55°C ~ 150°C SOT523 DIODES
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
2N7002T-7-F
Präzisionsgehäuse:
SOT523
 
Externes Lager:
12000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0325
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 115mA 150mW SMD -55°C ~ 150°C SOT523 DIODES
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
2N7002T-7-F
Präzisionsgehäuse:
SOT523
 
Externes Lager:
66000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0323
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 115mA 150mW SMD -55°C ~ 150°C SOT523 DIODES
K2N7002W-7-F KUU N-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 13,5 Ohm; 115mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C;
K2N7002W-7-F RoHS || K2N7002W-7-F KUU SOT323
Hersteller:
kuu semiconductor
Hersteller-Teilenummer:
K2N7002W-7-F RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT323 t/r
 
Auf Lager:
600 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 600+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1531 0,0727 0,0409 0,0304 0,0278
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Standard-Verpackung:
600
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 115mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 KUU
2N7002WT1G N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2,5 Ohm; 310mA; 280 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002W;
2N7002WT1G RoHS || 2N7002WT1G || 2N7002WT1G SOT323
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
2N7002WT1G RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT323 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
11490 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1351 0,0641 0,0360 0,0274 0,0245
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 2,5Ohm 310mA 280mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
2N7002WT1G
Präzisionsgehäuse:
SOT323
 
Externes Lager:
1164000 Stk.
Anzahl der Stücke 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0245
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 20V 2,5Ohm 310mA 280mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
2N7002WT1G
Präzisionsgehäuse:
SOT323
 
Externes Lager:
1044000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0245
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 20V 2,5Ohm 310mA 280mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
2N7002WT1G
Präzisionsgehäuse:
SOT323
 
Externes Lager:
465000 Stk.
Anzahl der Stücke 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0245
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 20V 2,5Ohm 310mA 280mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 ON SEMICONDUCTOR
2N7008-G Microchip N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 30V; 7,5 Ohm; 230mA; 1W; -55 °C ~ 150 °C;
2N7008-G RoHS || 2N7008-G Microchip TO92
Hersteller:
Microchip
Hersteller-Teilenummer:
2N7008-G RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO92bul
Datenblatt
Auf Lager:
25 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 25+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,8719 0,5470 0,4652 0,4044 0,3787
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Standard-Verpackung:
25
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 60V 30V 7,5Ohm 230mA 1W THT -55°C ~ 150°C TO92 MICROCHIP
2SJ162 P-Channel-MOSFET-Transistor; 160V; 15V; 7A; 100 W; -55 °C ~ 150 °C;
2SJ162 RoHS || 2SJ162 TO 3P
Hersteller:
RENESAS
Hersteller-Teilenummer:
2SJ162 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO 3P
Datenblatt
Auf Lager:
2 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 5,8324 5,2317 5,0914 4,9465 4,8600
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Standard-Verpackung:
5
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 160V 15V 7A 100W THT -55°C ~ 150°C TO 3P Renesas
2SJ360 P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 1,2 Ohm; 1A; 1,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2SJ360(F); 2SJ360(TE12L,F); 2SJ360-VB;
2SJ360 RoHS || 2SJ360 SOT89
Hersteller:
VBsemi
Hersteller-Teilenummer:
2SJ360 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT89 t/r
 
Auf Lager:
70 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,6826 0,4278 0,3553 0,3179 0,2969
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 60V 60V 20V 1,2Ohm 1A 1,5W SMD -55°C ~ 150°C SOT89 TOSHIBA
                           
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-05-20
Anzahl der Stücke: 100
                     
2SK1118 N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 600V; 30V; 1,25 Ohm; 6A; 45W; -55 °C ~ 150 °C;
2SK1118 RoHS || 2SK1118 TO220iso
Hersteller:
PMC-Sierra
Hersteller-Teilenummer:
2SK1118 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220iso
 
Auf Lager:
18 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 24+ 96+ 288+
Preis netto (EUR) 2,0408 1,6200 1,4517 1,3862 1,3605
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Standard-Verpackung:
24
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 600V 600V 30V 1,25Ohm 6A 45W THT -55°C ~ 150°C TO220iso
2SK209-GR N-Channel-JFET-Transistor; 50V; 14mA; 150 mW; -55 °C ~ 125 °C; Äquivalent: 2SK209-GR(TE85L,F);
2SK209-GR(TE85L,F) RoHS || 2SK209-GR SC-59
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
2SK209-GR(TE85L,F) RoHS
Präzisionsgehäuse:
SC-59 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
450 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,3390 0,1884 0,1487 0,1351 0,1307
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
N-JFET 50V 14mA 150mW SMD -55°C ~ 125°C SC-59 TOSHIBA
2SK2746 N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 800V; 30V; 1,7 Ohm; 7A; 150 W; -55 °C ~ 150 °C;
2SK2746 || 2SK2746 TO 3P
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
2SK2746
Präzisionsgehäuse:
TO 3P
Datenblatt
Auf Lager:
17 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 2+ 5+ 10+ 17+
Preis netto (EUR) 2,2512 1,9099 1,6223 1,4821 1,4073
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung:
17
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 800V 800V 30V 1,7Ohm 7A 150W THT -55°C ~ 150°C TO 3P TOSHIBA
2SK2883 N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 800V; 30V; 3,6 Ohm; 3A; 75W; -55 °C ~ 150 °C;
2SK2883 RoHS || 2SK2883 TO220/FL
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
2SK2883 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220/FL
Datenblatt
Auf Lager:
25 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 2+ 3+ 5+ 25+
Preis netto (EUR) 1,5709 1,3184 1,2109 1,1057 0,9234
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
25
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 800V 800V 30V 3,6Ohm 3A 75W THT -55°C ~ 150°C TO220/FL TOSHIBA
2SK2963(TE12L,F) N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 20V; 950 mOhm; 1A; 1,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
2SK2963 RoHS || 2SK2963(TE12L,F) SOT89
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
2SK2963 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT89
Datenblatt
Auf Lager:
37 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,3231 0,9280 0,7878 0,7200 0,6966
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 100V 20V 950mOhm 1A 1,5W SMD -55°C ~ 150°C SOT89 TOSHIBA
2SK3018 KUU N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 13Ohm; 100mA; 200 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: K2SK3018-7-F;
2SK3018 RoHS || 2SK3018 KUU SOT23
Hersteller:
kuu semiconductor
Hersteller-Teilenummer:
2SK3018 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,1202 0,0549 0,0297 0,0221 0,0200
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 20V 13Ohm 100mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23
2SK3018-TP N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 13Ohm; 100mA; 200 mW; -55 °C ~ 150 °C;
2SK3018-TP RoHS || 2SK3018-TP || 2SK3018-TP SOT323
Hersteller:
Micro Commercial Components Corp.
Hersteller-Teilenummer:
2SK3018-TP RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT323 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1414 0,0671 0,0379 0,0288 0,0257
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 20V 13Ohm 100mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 Micro Comercial Components Corp.
 
Hersteller:
Micro Commercial Components Corp.
Hersteller-Teilenummer:
2SK3018-TP
Präzisionsgehäuse:
SOT323
 
Externes Lager:
102000 Stk.
Anzahl der Stücke 2203+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0520
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Standard-Verpackung:
1
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20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 30V 20V 13Ohm 100mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 Micro Comercial Components Corp.
2SK3565 N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 900V; 30V; 2,5 Ohm; 5A; 45W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2SK3565(Q,M); 2SK3565(STA4,Q,M);
2SK3565 RoHS || 2SK3565 TO220iso
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
2SK3565 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
60 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,5054 1,2016 1,0286 0,9234 0,8860
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 900V 900V 30V 2,5Ohm 5A 45W THT -55°C ~ 150°C TO220iso TOSHIBA
1    5  6  7  8  9  10  11  12  13    183

Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.