Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 6953)

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8205A TSSOP8(T/R) HT SEMI Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 27mOhm; 6A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; PT8205; Similar to: HX8205A; MS8205A; FS8205A; SC8205A; 8205A/A; BLM8205A; WSP8205A;
PT8205 RoHS 8205A || 8205A TSSOP8(T/R) HT SEMI TSSOP08
Hersteller:
HT SEMI
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PT8205 RoHS 8205A
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TSSOP08 t/r
 
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Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
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PT3400 SOT-23(T/R) HT SEMI Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; -50°C ~ 150°C; AO3400; YJL3400B;
PT3400 RoHS A07T || PT3400 SOT-23(T/R) HT SEMI SOT23
Hersteller:
HT SEMI
Hersteller-Teilenummer:
PT3400 RoHS A07T
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SOT23t/r
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Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1286 0,0610 0,0344 0,0262 0,0234
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3000
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N-MOSFET 30V 12V 52mOhm 5,8A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HT
PT3404 SOT-23(T/R) HT SEMI 30V 5.8A 19mOhm@10V SOT-23 Single FETs, MOSFETs RoHS BSS306N;
PT3404 RoHS A49T || PT3404 SOT-23(T/R) HT SEMI SOT23
Hersteller:
HT SEMI
Hersteller-Teilenummer:
PT3404 RoHS A49T
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
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Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1286 0,0610 0,0344 0,0262 0,0234
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N-MOSFET 30V 20V 41mOhm 5,8A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HT
PT4606A SOP-8 HT SEMI Tranzystor 2xN/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm/98mOhm; 6,5A/4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7319TRPBF; IRF7319PBF; IRF7319PBF-GURT; IRF7319 SMD; YFW6G03S; RC4606; Podobny do: IRF7319TRPBF;
PT4606A RoHS APH5DJ || PT4606A SOP-8 HT SEMI SOP08
Hersteller:
HT SEMI
Hersteller-Teilenummer:
PT4606A RoHS APH5DJ
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
 
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Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2408 0,1335 0,0888 0,0741 0,0690
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3000
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BSP297 SOT-223 TECH PUBLIC N-CHANNEL 200V 1A 2.1W Surface Mount SOT-223
BSP297 RoHS || BSP297 SOT-223 TECH PUBLIC SOT223
Hersteller:
TECH PUBLIC
Hersteller-Teilenummer:
BSP297 RoHS
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SOT223t/r
 
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Anzahl der Stücke 2+ 10+ 40+ 150+ 600+
Preis netto (EUR) 0,5773 0,3483 0,2735 0,2431 0,2309
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150
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IRF7201TRPBF SOP8 VBSEMI Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 50mOhm; 7,3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7201PBF; IRF7201TRPBF; IRF7201PBF-GURT; IRF7201TR(UMW); IRF7201-HXY; IRF7201PBF-HXY;
IRF7201TRPBF-VB RoHS || IRF7201TRPBF SOP8 VBSEMI SOP08
Hersteller:
VBsemi
Hersteller-Teilenummer:
IRF7201TRPBF-VB RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
 
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Anzahl der Stücke 2+ 10+ 25+ 100+ 400+
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Geplantes Datum: 2026-05-20
Anzahl der Stücke: 500
                     
LGE350N04 SOT23 LGE N-Channel 40 V 4A (Ta) 2.5W Surface Mount SOT-23 Podobny do: YJL05N04A; YJL05N04A-F2-0000HF; SI2318A-TP;
LGE350N04 RoHS || LGE350N04 SOT23 LGE SOT23
Hersteller:
LGE
Hersteller-Teilenummer:
LGE350N04 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
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Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1517 0,0720 0,0404 0,0309 0,0276
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3000
Menge (mehrere 1)
BSS138A SOT323 HT SEMI Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; BSS138PW;
BSS138A RoHS J1 || BSS138A SOT323 HT SEMI SOT323
Hersteller:
HT SEMI
Hersteller-Teilenummer:
BSS138A RoHS J1
Präzisionsgehäuse:
SOT323 t/r
 
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Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0832 0,0327 0,0192 0,0140 0,0128
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3000
Menge (mehrere 10)
RCD30P03 TO-252 RealChip Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 55mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AOD417 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
RCD30P03 RoHS || RCD30P03 TO-252 RealChip TO252
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
RCD30P03 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
 
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Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2758 0,1470 0,1143 0,1033 0,1000
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500
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NX7002AK SOT23 (NEXPERIA replacement) Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 9,2Ohm; 190mA; 325mW; -55°C ~ 150°C;
NX7002AK-ES RoHS || NX7002AK SOT23 (NEXPERIA replacement) SOT23
Hersteller:
ElecSuper
Hersteller-Teilenummer:
NX7002AK-ES RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
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Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,0993 0,0395 0,0232 0,0171 0,0153
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1000
Menge (mehrere 10)
AO3401 SOT23(T/R) 4.2A EASTRONIC P-Channel 30V 4A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
AO3401 RoHS || AO3401 SOT23(T/R) 4.2A EASTRONIC SOT23
Hersteller:
EASTRONIC
Hersteller-Teilenummer:
AO3401 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
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Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0968 0,0381 0,0223 0,0163 0,0149
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3000
Menge (mehrere 10)
2302 SOT23 HT SEMI MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
2302 RoHS A2sHB || 2302 SOT23 HT SEMI SOT23
Hersteller:
HT SEMI
Hersteller-Teilenummer:
2302 RoHS A2sHB
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
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3000 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0381 0,0139 0,0074 0,0055 0,0051
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3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 20V 10V 40mOhm 3,5A 1,25W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HT
LGE50N06D TO252 LGE Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 136W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: NDT70N06; LGE50N06D; SUD50N06-09L-E3;
LGE50N06D RoHS || LGE50N06D TO252 LGE TO252
Hersteller:
LGE
Hersteller-Teilenummer:
LGE50N06D RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
 
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500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2688 0,1480 0,0979 0,0816 0,0767
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500
Menge (mehrere 1)
LGE3407 SOT23 LGE Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 78mOhm; 4,3A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3400A 003;
LGE3407 RoHS || LGE3407 SOT23 LGE SOT23
Hersteller:
LGE
Hersteller-Teilenummer:
LGE3407 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
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2990 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1402 0,0666 0,0374 0,0285 0,0255
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3000
Menge (mehrere 1)
YFWG120N10AC TO220 YFW Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3710PBF; SP001551058; SKG45N10-T;
YFWG120N10AC RoHS || YFWG120N10AC TO220 YFW TO220
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
YFWG120N10AC RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220
 
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100 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 0,9139 0,6708 0,5376 0,4605 0,4348
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50
Menge (mehrere 1)
TW40P03D TO252-2L(T/R) TWGMC 30V 35A 4W 1.5V@250uA TO-252-2L Single FETs, MOSFETs ROHS
TW40P03D RoHS || TW40P03D TO252-2L(T/R) TWGMC TO252
Hersteller:
TWGMC
Hersteller-Teilenummer:
TW40P03D RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
 
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150 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 40+ 150+ 600+
Preis netto (EUR) 0,3085 0,2013 0,1482 0,1276 0,1187
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150
Menge (mehrere 1)
BSS138W SOT323 RealChip Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6Ohm; 280mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; podobny do: BSS138PW; BSS138PW,115;
BSS138W RoHS || BSS138W SOT323 RealChip SOT323
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
BSS138W RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT323 t/r
 
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3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0746 0,0288 0,0140 0,0112 0,0107
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3000
Menge (mehrere 10)
RC4805 SOIC8(T/R) RealChip Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 8A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7328TRPBF; IRF7328PBF; IRF7328PBF-GURT; IRF7328TRPBFXTMA1
RC4805 RoHS || RC4805 SOIC8(T/R) RealChip SOP08
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
RC4805 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
 
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500 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2688 0,1431 0,1115 0,1007 0,0975
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
BSS84 SOT23 REALCHIP Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 17Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Similar to: BSS84AK,215;
BSS84 RoHS || BSS84 SOT23 REALCHIP SOT23
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
BSS84 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
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3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0769 0,0304 0,0177 0,0129 0,0118
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
YFW4406AS Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: YFW4406AS; IRF7401PBF; IRF7401TRPBF; SP001566310; SP001551308;
YFW4406AS RoHS || YFW4406AS SOP08
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
YFW4406AS RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
 
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2302 0,1094 0,0615 0,0467 0,0418
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
BSS138 SOT23 YFW Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 300mA; 300mW; -55°C ~ 150°C;
BSS138 RoHS || BSS138 SOT23 YFW SOT23
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
BSS138 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0669 0,0257 0,0126 0,0100 0,0096
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
IRLR2705TRPBF YFW Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 65mOhm; 28A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR2705PBF; IRLR2705TRPBF; IRLR2705TRLPBF; IRLR2705PBF-GURT; IRLR2705; YFW50N06AD; MOT30N06D; DH300N08D;
YFW50N06AD RoHS || IRLR2705TRPBF YFW TO252 (DPACK)
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
YFW50N06AD RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
 
Auf Lager:
2500 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2500+
Preis netto (EUR) 0,3062 0,1641 0,1279 0,1157 0,1115
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Standard-Verpackung:
2500
Menge (mehrere 1)
2N7002K SOT23 RealChip Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Podobny do: NX7002AK; 2N7002,215;
2N7002K RoHS || 2N7002K SOT23 RealChip SOT23
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
2N7002K RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0664 0,0255 0,0125 0,0099 0,0095
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
YFW15N06S SOP8 YFW Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 30mOhm; 7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: YFW15N06S; PTS6012; IRF7478PBF; IRF7478TRPBF; IRF7478PBF-GURT;
YFW15N06S RoHS || YFW15N06S SOP8 YFW SOP08
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
YFW15N06S RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
 
Auf Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3062 0,1690 0,1330 0,1232 0,1180
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
YFW65R380AF Tranzystor N-MOSFET; 600V; 600V; 30V; 450mOhm; 11A; 160W; -65°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: STP11NM60FD; STP11NM60FD-VB;
YFW65R380AF RoHS || YFW65R380AF TO220
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
YFW65R380AF RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220iso
 
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 50+ 200+ 400+
Preis netto (EUR) 1,3113 0,9186 0,7340 0,6989 0,6895
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Standard-Verpackung:
50/200
Menge (mehrere 1)
YFW30N10AC Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 63mOhm; 36A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRL540NPBF; IRL 540 NPBF; YFW30N10AC; IRL540NPBF-VB; IRL540N-CN;
YFW30N10AC RoHS || YFW30N10AC TO220
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
YFW30N10AC RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220
 
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5259 0,3179 0,2454 0,2211 0,2104
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Standard-Verpackung:
50/200
Menge (mehrere 1)
T2N7002BK-ES SOT23 ELECSUPER N-Channel 60V 300mA 350mW Surface Mount SOT-23
T2N7002BK,LM(ES) RoHS || T2N7002BK-ES SOT23 ELECSUPER SOT23
Hersteller:
ElecSuper
Hersteller-Teilenummer:
T2N7002BK,LM(ES) RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0832 0,0327 0,0192 0,0140 0,0128
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
RC2302A SOT23 RealChip Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 82mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Podobny do: BSS205NH6327; BSS214NH6327; BSS806NH6327XTSA1; BSS205N; BSS205NH6327XTSA1; MOT2302AB2; PT2302B; RC2302A;
RC2302A RoHS || RC2302A SOT23 RealChip SOT23
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
RC2302A RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0683 0,0262 0,0128 0,0102 0,0097
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
RC2305A SOT23 REALCHIP Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 113mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: DMP2305U-7; SI2305; LGE2305; KI2305;
RC2305A RoHS || RC2305A SOT23 REALCHIP SOT23
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
RC2305A RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
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RC2309A SOT23 RealChip Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 300mOhm; 1,8A; 1,38W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2311GN; AP2311GH-HF; AP2311GN-HF-3; AP2311GN-HF-VB; AP2311GN-VB;
RC2309A RoHS || RC2309A SOT23 RealChip SOT23
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
RC2309A RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.