Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 6369)

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Max. Drain-Source Spannung
Msx. Drain-Gate Spannung
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Gehäuse
Hersteller
SI2308BDS Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 105mOhm; 3A; 350mW; -55°C~150°C; Substitute: SI2308BDS-VB; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-BE3; SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-GE3-VB;
Micros Symbol: TSI2308bds c Infos
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Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
SI2308BDS RoHS E8. || SI2308BDS SOT23
Hersteller:
TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer:
SI2308BDS RoHS E8. Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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140 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 40+ 150+ 750+
Preis netto (EUR) 0,2593 0,1648 0,1193 0,1021 0,0941
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Standard-Verpackung:
150
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 105mOhm 3A 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 TECH PUBLIC
AS3400 N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 51mOhm; 5,6A; 1,2 W; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TSI3400 ANB Infos
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AS3400 RoHS || AS3400 SOT23
Hersteller:
AnBon Hersteller-Teilenummer:
AS3400 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1634 0,0776 0,0436 0,0332 0,0297
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 12V 51mOhm 5,6A 1,2W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 AnBon
SI4435DDY P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 35mOhm; 11,4A; 5W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4435DDY-T1-GE3; SI4435DDY-T1-E3; SI4435DDY-GE3;
Micros Symbol: TSI4435ddy Infos
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SI4435DDY-T1-GE3 RoHS || SI4435DDY-T1-GE3 || SI4435DDY SOP08
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI4435DDY-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r  
Auf Lager:
75 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5540 0,3088 0,2428 0,2291 0,2218
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 35mOhm 11,4A 5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
 
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI4435DDY-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:
SOP08  
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2218
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		P-MOSFET 30V 20V 35mOhm 11,4A 5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
 
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI4435DDY-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:
SOP08  
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2218
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		P-MOSFET 30V 20V 35mOhm 11,4A 5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
 
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI4435DDY-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:
SOP08  
Externes Lager:
650 Stk.
Anzahl der Stücke 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2573
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		P-MOSFET 30V 20V 35mOhm 11,4A 5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
SI4459ADY P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 7,7 mOhm; 29A; 7,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3;
Micros Symbol: TSI4459ady Infos
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SI4459ADY-T1-GE3 RoHS || SI4459ADY SOP08
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI4459ADY-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r  
Auf Lager:
40 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 1,2046 0,8416 0,6931 0,6436 0,6341
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 7,7mOhm 29A 7,8W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
SI9407BDY P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 150 mOhm; 4,7A; 5W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI9407AEY; SI9407BDY-T1-E3; SI9407BDY-T1-GE3; SI9407BDY-GE3;
Micros Symbol: TSI9407bdy Infos
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SI9407BDY-T1-GE3 RoHS || SI9407BDY-T1-GE3 || SI9407BDY-T1-E3 || SI9407BDY SOP08
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI9407BDY-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
14 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 700+
Preis netto (EUR) 0,7591 0,4785 0,3772 0,3442 0,3300
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 60V 20V 150mOhm 4,7A 5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
 
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI9407BDY-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r  
Auf Lager:
3 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 700+
Preis netto (EUR) 0,7591 0,4785 0,3772 0,3442 0,3300
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 60V 20V 150mOhm 4,7A 5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
 
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI9407BDY-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r  
Auf Lager:
190 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 700+
Preis netto (EUR) 0,7591 0,4785 0,3772 0,3442 0,3300
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Standard-Verpackung:
700
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 60V 20V 150mOhm 4,7A 5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
 
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI9407BDY-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:
SOP08  
Externes Lager:
25000 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3300
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		P-MOSFET 60V 20V 150mOhm 4,7A 5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
 
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI9407BDY-T1-E3 Präzisionsgehäuse:
SOP08  
Externes Lager:
2500 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3300
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		P-MOSFET 60V 20V 150mOhm 4,7A 5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
 
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI9407BDY-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:
SOP08  
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3300
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		P-MOSFET 60V 20V 150mOhm 4,7A 5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
SI9433BDY P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 60mOhm; 4,5A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI9433BDY-E3; SI9433BDY-T1-E3; SI9433BDY-T1-GE3;
Micros Symbol: TSI9433bdy Infos
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SI9433BDY-T1-E3 RoHS || SI9433BDY SOP08
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI9433BDY-T1-E3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r  
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,2777 0,9736 0,8062 0,7072 0,6719
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 20V 12V 60mOhm 4,5A 1,3W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
SI9926BDY 2xN-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 30mOhm; 6,2A; 1,14 W; -55 °C ~ 150 °C; SI9926BDY-T1-E3, SI9926BDY-T1-GE3
Micros Symbol: TSI9926bdy Infos
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SI9926BDY-T1-E3 RoHS || SI9926BDY SOP08
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI9926BDY-T1-E3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r  
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,6506 0,4125 0,3253 0,2970 0,2829
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
2xN-MOSFET 20V 12V 30mOhm 6,2A 1,14W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
SK3415 SHIKUES P-Channel-MOSFET-Transistor; 25V; 12V; 180 mOhm; 4,2A; 25 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3415;
Micros Symbol: TSK3415 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
SK3415 RoHS || SK3415 SHIKUES SC59
Hersteller:
SHIKUES Hersteller-Teilenummer:
SK3415 RoHS Präzisionsgehäuse:
SC59
Datenblatt
Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2155 0,1089 0,0655 0,0519 0,0479
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 25V 12V 180mOhm 4,2A SMD 25°C ~ 150°C SC59 SHIKUES
SKML2402 SHIKUES N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 10V; 80mOhm; 2A; 700 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML2402TRPBF; IRLML2402GTRPBF; SP001552710; SP001572972;
Micros Symbol: TSKML2402 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
SKML2402 RoHS || SKML2402 SHIKUES SOT23
Hersteller:
SHIKUES Hersteller-Teilenummer:
SKML2402 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2178 0,1030 0,0578 0,0436 0,0396
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 20V 10V 80mOhm 2A 700mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 SHIKUES
SKQ50N03BD SHIKUES N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 8mOhm; 50A; 30W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TSKQ50N03bd Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SKQ50N03BD RoHS || SKQ50N03BD SHIKUES DFN08(3.3x3.3)
Hersteller:
SHIKUES Hersteller-Teilenummer:
SKQ50N03BD RoHS Präzisionsgehäuse:
DFN08(3.3x3.3)
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3065 0,1950 0,1367 0,1186 0,1110
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 20V 8mOhm 50A 30W SMD -55°C ~ 175°C DFN08(3.3x3.3) SHIKUES
STF14NM50N N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 25V; 320 mOhm; 12A; 25W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSTF14NM50n Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
STF14NM50N RoHS || STF14NM50N || STF14NM50N TO220iso
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STF14NM50N RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,5983 1,2753 1,0915 0,9807 0,9406
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 500V 25V 320mOhm 12A 25W THT -55°C ~ 150°C TO220iso STMicroelectronics
 
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STF14NM50N Präzisionsgehäuse:
TO220iso  
Externes Lager:
1800 Stk.
Anzahl der Stücke 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,9406
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 500V 25V 320mOhm 12A 25W THT -55°C ~ 150°C TO220iso STMicroelectronics
 
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STF14NM50N Präzisionsgehäuse:
TO220iso  
Externes Lager:
1070 Stk.
Anzahl der Stücke 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,9406
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 500V 25V 320mOhm 12A 25W THT -55°C ~ 150°C TO220iso STMicroelectronics
 
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STF14NM50N Präzisionsgehäuse:
TO220iso  
Externes Lager:
2950 Stk.
Anzahl der Stücke 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,9406
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 500V 25V 320mOhm 12A 25W THT -55°C ~ 150°C TO220iso STMicroelectronics
STN1HNK60 N-MOSFET-Transistor; 600V; 600V; 30V; 8,5 Ohm; 400mA; 3,3 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSTN1HNK60 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
STN1HNK60 RoHS || STN1HNK60 || STN1HNK60 SOT223
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STN1HNK60 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
250 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 300+ 1200+
Preis netto (EUR) 0,4526 0,2758 0,2117 0,1879 0,1813
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 600V 600V 30V 8,5Ohm 400mA 3,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 STMicroelectronics
 
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STN1HNK60 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
684000 Stk.
Anzahl der Stücke 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1813
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 600V 600V 30V 8,5Ohm 400mA 3,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 STMicroelectronics
 
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STN1HNK60 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
112000 Stk.
Anzahl der Stücke 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1813
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 600V 600V 30V 8,5Ohm 400mA 3,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 STMicroelectronics
 
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STN1HNK60 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
60000 Stk.
Anzahl der Stücke 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1813
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 600V 600V 30V 8,5Ohm 400mA 3,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 STMicroelectronics
STN3NF06L N-MOSFET-Transistor; 60V; 16V; 120 mOhm; 4A; 3,3 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSTN3nf06l Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
STN3NF06L RoHS || STN3NF06L || STN3NF06L SOT223
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STN3NF06L RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
80 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,6884 0,4361 0,3442 0,3135 0,2994
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 16V 120mOhm 4A 3,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 STMicroelectronics
 
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STN3NF06L Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
60000 Stk.
Anzahl der Stücke 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2994
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 60V 16V 120mOhm 4A 3,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 STMicroelectronics
 
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STN3NF06L Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
208000 Stk.
Anzahl der Stücke 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2994
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 60V 16V 120mOhm 4A 3,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 STMicroelectronics
STW70N60M2 N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 25V; 40mOhm; 68A; 450 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSTW70N60M2 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
STW70N60M2 RoHS || STW70N60M2 || STW70N60M2 TO247
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STW70N60M2 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
28 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 7,0203 6,5936 6,3248 6,1858 6,1056
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 650V 25V 40mOhm 68A 450W THT -55°C ~ 150°C TO247 STMicroelectronics
 
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STW70N60M2 Präzisionsgehäuse:
TO247  
Externes Lager:
950 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 6,1056
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 650V 25V 40mOhm 68A 450W THT -55°C ~ 150°C TO247 STMicroelectronics
 
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STW70N60M2 Präzisionsgehäuse:
TO247  
Externes Lager:
2140 Stk.
Anzahl der Stücke 90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 6,1056
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Standard-Verpackung:
30
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Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 650V 25V 40mOhm 68A 450W THT -55°C ~ 150°C TO247 STMicroelectronics
 
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STW70N60M2 Präzisionsgehäuse:
TO247  
Externes Lager:
570 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 6,1056
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Standard-Verpackung:
30
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Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 650V 25V 40mOhm 68A 450W THT -55°C ~ 150°C TO247 STMicroelectronics
STW88N65M5 N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 25V; 29mOhm; 84A; 450 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSTW88N65M5 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
STW88N65M5 RoHS || STW88N65M5 || STW88N65M5 TO247
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STW88N65M5 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
5 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 10+ 20+ 40+
Preis netto (EUR) 12,9868 12,2324 12,0438 11,9071 11,8058
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Standard-Verpackung:
5
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 650V 25V 29mOhm 84A 450W THT -55°C ~ 150°C TO247 STMicroelectronics
 
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STW88N65M5 Präzisionsgehäuse:
TO247  
Externes Lager:
1200 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 11,8058
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 650V 25V 29mOhm 84A 450W THT -55°C ~ 150°C TO247 STMicroelectronics
 
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STW88N65M5 Präzisionsgehäuse:
TO247  
Externes Lager:
1440 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 11,8058
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 650V 25V 29mOhm 84A 450W THT -55°C ~ 150°C TO247 STMicroelectronics
 
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STW88N65M5 Präzisionsgehäuse:
TO247  
Externes Lager:
1850 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 11,8058
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 650V 25V 29mOhm 84A 450W THT -55°C ~ 150°C TO247 STMicroelectronics
SUM90P10-19L-E3 P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 21mOhm; 90A; 375W; -55°C ~ 175°C;
Micros Symbol: TSUM90P10-19l Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SUM90P10-19L-E3 RoHS || SUM90P10-19L-E3 || SUM90P10-19L-E3 TO263 (D2PAK)
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SUM90P10-19L-E3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO263t/r (D2PAK)  
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 96+
Preis netto (EUR) 3,1942 2,8383 2,6238 2,5177 2,4564
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Standard-Verpackung:
96
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 100V 20V 21mOhm 90A 375W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) VISHAY
 
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SUM90P10-19L-E3 Präzisionsgehäuse:
TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
38400 Stk.
Anzahl der Stücke 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,4564
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Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		P-MOSFET 100V 20V 21mOhm 90A 375W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) VISHAY
 
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SUM90P10-19L-E3 Präzisionsgehäuse:
TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
72800 Stk.
Anzahl der Stücke 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,4564
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Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		P-MOSFET 100V 20V 21mOhm 90A 375W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) VISHAY
WPM2015 SOT23 P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; +/-8V; 2,4A; 110mOhm; 1,1 W; -55°C~150°C; Äquivalent: HXY MOSFET WPM2015; WILLSEMI WPM2015-3/TR; VBSEMI WPM2015-3/TR; WPM2015-HXY;
Micros Symbol: TWPM2015 c Infos
Datenblatt
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WPM2015-HXY RoHS || WPM2015-3/TR RoHS || WPM2015 SOT23 SOT23
Hersteller:
HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer:
WPM2015-HXY RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
300 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2079 0,1042 0,0620 0,0514 0,0462
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 20V 8V 110mOhm 2,4A 1,1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 KUU
 
Hersteller:
kuu semiconductor Hersteller-Teilenummer:
WPM2015-3/TR RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
300 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,1971 0,0929 0,0519 0,0415 0,0358
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 20V 8V 110mOhm 2,4A 1,1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 KUU
IRF7401TR N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7401PBF; IRF7401TRPBF; SP001566310; SP001551308;
Micros Symbol: TIRF7401 c Infos Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
YFW4406AS RoHS || IRF7401TR SOP08
Hersteller:
YFW Hersteller-Teilenummer:
YFW4406AS RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r  
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 40+ 180+ 720+
Preis netto (EUR) 0,4338 0,2829 0,2091 0,1780 0,1669
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 20V 12V 30mOhm 8,7A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 UMW
 
Hersteller:
YFW Hersteller-Teilenummer:
YFW4406AS RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r  
Auf Lager:
180 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 40+ 180+ 720+
Preis netto (EUR) 0,4338 0,2829 0,2091 0,1780 0,1669
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Standard-Verpackung:
180
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 20V 12V 30mOhm 8,7A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 UMW
2N6027 PUT-Transistor; 300 mW; -50 °C ~ 100 °C; Äquivalent: 2N6027G; 2N6027RL1G; 2N6027RLRAG; 2N6027G-T92-B;
Micros Symbol: T2N6027 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
2N6027G-T92-B RoHS || 2N6027 PBFREE || 2N6027 TO92
Hersteller:
UTC Hersteller-Teilenummer:
2N6027G-T92-B RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92ammoformed
Datenblatt
Auf Lager:
854 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2405 0,1313 0,0860 0,0745 0,0686
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
PUT 40V 150mA 300mW THT -50°C ~ 100°C TO92 UTC
 
Hersteller:
Central Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
2N6027 PBFREE Präzisionsgehäuse:
TO92  
Externes Lager:
2507 Stk.
Anzahl der Stücke 76+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,3038
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		PUT 40V 150mA 300mW THT -50°C ~ 100°C TO92 UTC
2N7000 N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7000BU (Masse); 2N7000-G; 2N7000-D26Z; 2N7000TA;
Micros Symbol: T2N7000 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
2N7000BU RoHS || 2N7000TA || 2N7000-D26Z || 2N7000 TO92
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
2N7000BU RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92bul  
Auf Lager:
350 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2522 0,1339 0,1037 0,0957 0,0917
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Standard-Verpackung:
1000/2000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 9Ohm 200mA 400mW THT -55°C ~ 150°C TO92 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
2N7000TA Präzisionsgehäuse:
TO92  
Externes Lager:
12000 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0917
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 60V 60V 20V 9Ohm 200mA 400mW THT -55°C ~ 150°C TO92 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
2N7000TA Präzisionsgehäuse:
TO92  
Externes Lager:
40000 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0917
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 60V 60V 20V 9Ohm 200mA 400mW THT -55°C ~ 150°C TO92 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
2N7000-D26Z Präzisionsgehäuse:
TO92  
Externes Lager:
112000 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0917
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 60V 60V 20V 9Ohm 200mA 400mW THT -55°C ~ 150°C TO92 ON SEMICONDUCTOR
2N7000 TO92(ammo formed PIN) LGE N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 5,3 Ohm; 200mA; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7000-LGE; (ONS: 2N7000TA; 2N7000-D26Z; 2N7000-D74Z; 2N7000-D75Z);
Micros Symbol: T2N7000 f Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
2N7000 RoHS || 2N7000 TO92(ammo formed PIN) LGE TO92ammoformed
Hersteller:
LGE Hersteller-Teilenummer:
2N7000 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92bul  
Auf Lager:
5980 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,1414 0,0566 0,0328 0,0273 0,0257
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Standard-Verpackung:
1000/10000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 5,3Ohm 200mA 400mW THT -55°C ~ 150°C TO92ammoformed
2N7000 N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 6Ohm; 200mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; 2N7000-LGE;
Micros Symbol: T2N7000 LGE Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
2N7000 RoHS || 2N7000 TO92
Hersteller:
LGE Hersteller-Teilenummer:
2N7000 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92bul
Datenblatt
Auf Lager:
1600 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,1700 0,0679 0,0396 0,0330 0,0309
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 6Ohm 200mA 350mW THT -55°C ~ 150°C TO92 LGE
                           
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-10-30
Anzahl der Stücke: 2000
                     
2N7002 GALAXY N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 13,5 Ohm; 115mA; 200 mW; -50 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-7-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
Micros Symbol: T2N7002 GAL Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
2N7002 RoHS || 2N7002 GALAXY SOT23
Hersteller:
GALAXY Hersteller-Teilenummer:
2N7002 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3010 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0865 0,0342 0,0199 0,0146 0,0133
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 115mA 200mW SMD -50°C ~ 150°C SOT23 GALAXY
7002 SOT23 GAOGE N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 4Ohm; 340mA; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-7-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
Micros Symbol: T2N7002 GAO Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
7002 RoHS || 7002 SOT23 GAOGE SOT23
Hersteller:
GAOGE Hersteller-Teilenummer:
7002 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
5496 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0566 0,0212 0,0113 0,0085 0,0078
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 60V 4Ohm 340mA SMA -55°C ~ 150°C SOT23 GAOGE
2N7002 HXY MOSFET N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: 2N7002-7-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
Micros Symbol: T2N7002 HXY Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
2N7002 RoHS || 2N7002 HXY MOSFET SOT23
Hersteller:
HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer:
2N7002 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0754 0,0290 0,0142 0,0113 0,0108
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 60V 20V 3Ohm 300mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HXY MOSFET
2N7002 JSMICRO N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 13,5 Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: 2N7002-7-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
Micros Symbol: T2N7002 JSM Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
2N7002 RoHS || 2N7002 JSMICRO SOT23
Hersteller:
JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
2N7002 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
7350 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0512 0,0191 0,0102 0,0076 0,0070
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 115mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 JSMICRO
2N7002 MLCCBASE N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225 mW; -50 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: T2N7002 MLC Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
2N7002 RoHS || 2N7002 MLCCBASE SOT23
Hersteller:
MLCCBASE Hersteller-Teilenummer:
2N7002 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0773 0,0304 0,0178 0,0130 0,0119
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 60V 20V 7Ohm 115mA 225mW SMD -50°C ~ 150°C SOT23 MLCCBASE
2N7002 SLKOR N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 7,5 Ohm; 115mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-7-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
Micros Symbol: T2N7002 SLK Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
2N7002 RoHS || 2N7002 SLKOR SOT23
Hersteller:
SLKOR Hersteller-Teilenummer:
2N7002 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
8460 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0813 0,0321 0,0187 0,0137 0,0125
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 60V 20V 7,5Ohm 115mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 SLKOR
2N7002 SHIKUES N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 4Ohm; 430mA; 830 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-7-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
Micros Symbol: T2N7002 SHK Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
2N7002 RoHS || 2N7002 SHIKUES SOT23
Hersteller:
SHIKUES Hersteller-Teilenummer:
2N7002 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
15000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0691 0,0266 0,0130 0,0103 0,0099
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Standard-Verpackung:
3000/15000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 60V 20V 4Ohm 430mA 830mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 SHIKUES
2N7002 UMW N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225 mW; -50 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-7-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
Micros Symbol: T2N7002 UMW Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
2N7002 RoHS || 2N7002 UMW SOT23
Hersteller:
UMW Hersteller-Teilenummer:
2N7002 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 6000+
Preis netto (EUR) 0,0658 0,0252 0,0122 0,0097 0,0094
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Standard-Verpackung:
3000/6000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 60V 20V 7Ohm 115mA 225mW SMD -50°C ~ 150°C SOT23 UMW
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