Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 7064)

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Max. Drainstrom
Msx. Drain-Gate Spannung
Max. Drain-Source Spannung
Max. Gate-Source Spannung
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Widerstand im offenen Kanal
Betriebstemperatur (Bereich)
Transistor-Typ
IRF9310TRPBF SOP-8 ELECSUPER P-Channel 30V 21A 4.2W Surface Mount SOP-8 IRF9310TRPBF(ES);
IRF9310TRPBF RoHS || IRF9310TRPBF SOP-8 ELECSUPER SOP08
Hersteller:
ElecSuper
Hersteller-Teilenummer:
IRF9310TRPBF RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
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500 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 40+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 0,6840 0,4278 0,3408 0,3065 0,2974
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
SOP08 ElecSuper 21A 30V 20V 42W SMD 8,3mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
 
Hersteller:
ElecSuper
Hersteller-Teilenummer:
IRF9310TRPBF RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
45 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 40+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 0,6840 0,4278 0,3408 0,3065 0,2974
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Standard-Verpackung:
150
Menge (mehrere 1)
SOP08 ElecSuper 21A 30V 20V 42W SMD 8,3mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
8205A TSSOP8(T/R) HT SEMI Transistor 2xN-Kanal MOSFET; 20V; 12V; 32mOhm; 6A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; PT8205; Ähnlich: HX8205A; MS8205A; FS8205A; SC8205A; 8205A/A; BLM8205A; WSP8205A;
PT8205 RoHS || 8205A TSSOP8(T/R) HT SEMI TSSOP08
Hersteller:
HT SEMI
Hersteller-Teilenummer:
PT8205 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TSSOP08 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
4400 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,1258 0,0503 0,0293 0,0245 0,0229
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Standard-Verpackung:
5000
Menge (mehrere 1)
TSSOP08 HT 6A 20V 12V 1,6W SMD 32mOhm -55°C ~ 150°C 2xN-MOSFET
BSS138BW SOT323 KINGTRONICS Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Ähnlich wie: BSS138PW,115;
BSS138 RoHS || BSS138BW SOT323 KINGTRONICS SOT323
Hersteller:
KINGTRONICS
Hersteller-Teilenummer:
BSS138 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT323 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0668 0,0256 0,0126 0,0100 0,0095
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT323 Kingtronics 320mA 60V 20V 420mW SMD 1,6Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSS138A SOT323 HT SEMI Transistor N-Kanal MOSFET; 50V; 20V; 3Ohm; 340mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS138PW;
BSS138A RoHS || BSS138A SOT323 HT SEMI SOT323
Hersteller:
HT SEMI
Hersteller-Teilenummer:
BSS138A RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT323 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1500 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0814 0,0320 0,0188 0,0137 0,0125
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT323 HT SEMI 340mA 50V 20V 350mW SMD 3Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
AOD603A TO252/4 Transistor N/P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 85mOhm/150mOhm; 13A/13A; 27W/42,5W; -55°C ~ 175°C;
AOD603A RoHS || AOD603A TO252/4 TO252-4
Hersteller:
import
Hersteller-Teilenummer:
AOD603A RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252/5-2 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
150 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4369 0,2859 0,2052 0,1793 0,1681
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
TO252-4L IMPORT 13A 60V 20V 27W SMD 85mOhm -55°C ~ 175°C N/P-MOSFET
2302 SOT23 HT SEMI MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
2302 RoHS || 2302 SOT23 HT SEMI SOT23
Hersteller:
HT SEMI
Hersteller-Teilenummer:
2302 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0373 0,0136 0,0072 0,0054 0,0050
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 HT 3,5A 20V 10V 1,25W SMD 40mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
2N7002BK-MS SOT-23 MSKSEMI 60V 300mA 2.2Ohm@10V,0.3A 350mW One N-Kanal SOT-23 Single FETs, MOSFETs RoHS
2N7002BK-MS RoHS || 2N7002BK-MS SOT-23 MSKSEMI SOT23
Hersteller:
MSKSEMI
Hersteller-Teilenummer:
2N7002BK-MS RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0613 0,0229 0,0123 0,0092 0,0084
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 MSK 300mA 60V 20V 350mW SMD 3Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSP297 SOT-223 TECH PUBLIC N-Kanal 200V 1A 2.1W Surface Mount SOT-223
BSP297 RoHS || BSP297 SOT-223 TECH PUBLIC SOT223
Hersteller:
TECH PUBLIC
Hersteller-Teilenummer:
BSP297 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
150 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 40+ 150+ 600+
Preis netto (EUR) 0,5650 0,3408 0,2676 0,2379 0,2260
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Standard-Verpackung:
150
Menge (mehrere 1)
SOT223 TECH PUBLIC 1A 200V 20V 2,1W SMD 1,35Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
YFWG120N10AC TO220 YFW Transistor N-Kanal MOSFET; 100V; 20V; 3,8mOhm; 120A; 210W; -55°C ~ 150°C; Entspricht: IRF3710PBF; SP001551058; SKG45N10-T;
YFWG120N10AC RoHS || YFWG120N10AC TO220 YFW TO220
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
YFWG120N10AC RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 0,8944 0,6565 0,5261 0,4506 0,4255
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO220 YFW 120A 100V 20V 210W THT 3,8mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
YFW4406AS Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 12A; 3W; -55°C ~ 150°C; Äquivalente Bezeichnungen: YFW4406AS; IRF7401PBF; IRF7401TRPBF; SP001566310; SP001551308;
YFW4406AS RoHS || YFW4406AS SOP08
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
YFW4406AS RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2253 0,1071 0,0602 0,0458 0,0409
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
SOP08 YFW 12A 30V 20V 3W SMD 18mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
YFW65R380AF Transistor N-MOSFET; 650V; 30V; 380mOhm; 11A; 84,5W; -55°C ~ 150°C; Äquivalente: STP11NM60FD; STP11NM60FD-VB;
YFW65R380AF RoHS || YFW65R380AF TO220
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
YFW65R380AF RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 50+ 200+ 400+
Preis netto (EUR) 1,2833 0,8990 0,7183 0,6840 0,6748
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Standard-Verpackung:
50/200
Menge (mehrere 1)
TO220 YFW 11A 650V 30V 84,5W THT 380mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
YFW30N10AC Transistor N-Kanal MOSFET; 100V; 20V; 45mOhm; 30A; 88W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRL540NPBF; IRL 540 NPBF; YFW30N10AC; IRL540NPBF-VB; IRL540N-CN;
YFW30N10AC RoHS || YFW30N10AC TO220
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
YFW30N10AC RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
197 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5147 0,3111 0,2402 0,2164 0,2059
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Standard-Verpackung:
50/200
Menge (mehrere 1)
TO220 YFW 30A 100V 20V 88W THT 45mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSS138 SOT23 YFW Transistor N-Kanal MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
BSS138 RoHS || BSS138 SOT23 YFW SOT23
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
BSS138 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0654 0,0252 0,0123 0,0098 0,0094
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 YFW 220mA 50V 20V 350mW SMD 6Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
MOT2310B2 SOT23 MOT 60V 3A 1.7W 3V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS Ähnlich wie: SI2308BDS-T1-E3; RC2310A; MOT2310B2; LGE2308; YFW3N06; TSM2308CX RFG;
MOT2310B2 RoHS || MOT2310B2 SOT23 MOT SOT23
Hersteller:
MOT-
Hersteller-Teilenummer:
MOT2310B2 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1043 0,0478 0,0261 0,0195 0,0174
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
SOT23 MOT 3A 60V 20V 1,7W SMD 115mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
YFW15N06S SOP8 YFW Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 15A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: PTS6012; IRF7478PBF; IRF7478TRPBF; IRF7478PBF-GURT; Die Produktion wurde eingestellt; IRF7478; PTS6012; YFW15N06S; TPM60V8NS8;
YFW15N06S RoHS || YFW15N06S SOP8 YFW SOP08
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
YFW15N06S RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2997 0,1654 0,1302 0,1206 0,1155
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
SOP08 YFW 15A 60V 20V 1,5W SMD 20mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSS138 SOT23-3(T/R) FUXIN Transistor N-Kanal MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS138-TP-ES; BSS138-TP;
BSS138 RoHS || BSS138 SOT23-3(T/R) FUXIN SOT23
Hersteller:
FUXINSEMI
Hersteller-Teilenummer:
BSS138 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0734 0,0284 0,0138 0,0110 0,0105
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 FUXIN 220mA 50V 20V 350W SMD 6Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
                           
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2026-10-31
Anzahl der Stücke: 6000
                     
RC2302A SOT23 RealChip Trasiystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 82mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C; TSM2302CX; BSS205NH6327; BSS214NH6327; BSS806NH6327XTSA1; BSS205N; BSS205NH6327XTSA1; MOT2302AB2; PT2302B; RC2302A;
RC2302A RoHS || RC2302A SOT23 RealChip SOT23
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
RC2302A RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0668 0,0256 0,0126 0,0100 0,0095
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 RealChip 3A 20V 10V 1,4W SMD 60mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
T2N7002BK-ES SOT23 ELECSUPER N-Kanal 60V 300mA 350mW Surface Mount SOT-23
T2N7002BK,LM(ES) RoHS || T2N7002BK-ES SOT23 ELECSUPER SOT23
Hersteller:
ElecSuper
Hersteller-Teilenummer:
T2N7002BK,LM(ES) RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0814 0,0320 0,0188 0,0137 0,0125
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 ElecSuper 300mA 60V 20V 350mW SMD 3Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSS123 SOT23 RealChip Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
BSS123 RoHS || BSS123 SOT23 RealChip SOT23
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
BSS123 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2950 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0638 0,0247 0,0120 0,0096 0,0091
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 RealChip 170mA 100V 20V 350mW SMD 10mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
YFW4406AS SOP08 YFW Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 12A; 3W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: YFW4406AS; IRF7401PBF; IRF7401TRPBF; SP001566310; SP001551308; IRF7401TRPBF-VB; IRF7401TR(UMW); IRF7401TRPBF
YFW4406AS RoHS || YFW4406AS SOP08 YFW SOP08t/r
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
YFW4406AS RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
180 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 10+ 20+ 60+ 180+
Preis netto (EUR) 0,2139 0,1391 0,0938 0,0558 0,0389
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Standard-Verpackung:
180
Menge (mehrere 1)
SOP08 YFW 12A 30V 20V 3W SMD 18mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
 
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
YFW4406AS RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+
Preis netto (EUR) 0,2139 0,0389
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
SOP08 YFW 12A 30V 20V 3W SMD 18mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
RFP50N06 TO220AB VBSEMI ELEC Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 11mOhm; 60A; 136W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: VBM1615;
RFP50N06 RoHS || RFP50N06 TO220AB VBSEMI ELEC TO220
Hersteller:
VBsemi
Hersteller-Teilenummer:
RFP50N06 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 0,9745 0,6496 0,5010 0,4849 0,4644
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Standard-Verpackung:
50/100
Menge (mehrere 1)
TO220 VBsemi 60A 60V 20V 136W THT 11mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
2N7002NXAKR SOT-23 TECH PUBLIC Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 2,5Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
2N7002NXAKR RoHS || 2N7002NXAKR SOT-23 TECH PUBLIC SOT23
Hersteller:
TECH PUBLIC
Hersteller-Teilenummer:
2N7002NXAKR RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
370 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,0988 0,0393 0,0223 0,0168 0,0152
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Standard-Verpackung:
370
Menge (mehrere 10)
SOT23 TECH PUBLIC 300mA 60V 20V 350mW SMD 2,5Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
 
Hersteller:
TECH PUBLIC
Hersteller-Teilenummer:
2N7002NXAKR RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
230 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,0988 0,0393 0,0222 0,0167 0,0151
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Standard-Verpackung:
230
Menge (mehrere 10)
SOT23 TECH PUBLIC 300mA 60V 20V 350mW SMD 2,5Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
YFW60N06AT TO220 YFW Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 25mOhm; 60A; 75W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: STP55NF06;
YFW60N06AT RoHS || YFW60N06AT TO220 YFW TO220
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
YFW60N06AT RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Preis netto (EUR) 0,5604 0,3363 0,2585 0,2310 0,2239
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50/500
Menge (mehrere 1)
TO220 YFW 60A 60V 20V 75W THT 25mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
YFWG50N10AD TO-252 YFW Transistor N-Kanal MOSFET; 100V; 20V; 25mOhm; 50A; 82W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLR3110ZPBF; IRLR3110ZTRPBF; IRLR3110ZTRLPBF; IRLR3110ZTRRPBF; IRLR3110ZPBF-GURT;
YFWG50N10AD RoHS || YFWG50N10AD TO-252 YFW TO252
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
YFWG50N10AD RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
Datenblatt
Auf Lager:
450 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2974 0,1649 0,1302 0,1183 0,1144
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
TO252 YFW 50A 100V 20V 82W SMD 25mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
YFWG80N10AD DPAK YFW Transistor N-Kanal MOSFET; 100V; 20V; 9,4mOhm; 80A; 96W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLR3110ZPBF; IRLR3110ZTRPBF; IRLR3110ZTRLPBF; IRLR3110ZTRRPBF; IRLR3110ZPBF-GURT;
YFWG80N10AD RoHS || YFWG80N10AD DPAK YFW TO252
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
YFWG80N10AD RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
Datenblatt
Auf Lager:
450 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Preis netto (EUR) 0,4575 0,2745 0,2102 0,1892 0,1828
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
TO252 YFW 80A 100V 20V 96W SMD 9,4mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
YFW100N03AD TO-252 YFW Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 5,1mOhm; 100A; 85W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich: FDD8896;
YFW100N03AD RoHS || YFW100N03AD TO-252 YFW DPAK
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
YFW100N03AD RoHS
Präzisionsgehäuse:
DPAK t/r
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,3157 0,2068 0,1485 0,1272 0,1210
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
TO252 (DPAK) YFW 100A 30V 20V 85W SMD 5,1mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
BSS138W (=BSS138PW) SOT323 YFW Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS138PW,115; BSS138PW.115; BSS138PW NXP;
BSS138W RoHS || BSS138W (=BSS138PW) SOT323 YFW SOT323
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
BSS138W RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT323 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0892 0,0352 0,0205 0,0150 0,0137
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT323 YFW 220mA 50V 20V 300mW SMD 6Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
IRF7468TRPBF SOP-8 TECH PUBLIC Transistor N-Kanal MOSFET; 40V; 20V; 15mOhm; 12A; 1,47W; -55°C ~ 150°C;
IRF7468TRPBF-TP RoHS || IRF7468TRPBF SOP-8 TECH PUBLIC SOP08
Hersteller:
TECH PUBLIC
Hersteller-Teilenummer:
IRF7468TRPBF-TP RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,3019 0,1679 0,1324 0,1203 0,1164
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
SOP08 TECH PUBLIC 12A 40V 20V 1,47W SMD 15mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
YFW3400B SOT-23 YFW Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: YJL3400A-F2-0000HF; YJL3400A; YFW3400B;
YFW3400B RoHS || YFW3400B SOT-23 YFW SOT23
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
YFW3400B RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1096 0,0503 0,0275 0,0205 0,0183
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
SOT23 YFW 5,8A 30V 12V 1,4W SMD 52mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
PT3400 SOT-23(T/R) HT SEMI Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; -50°C ~ 150°C; AO3400; YJL3400B;
PT3400 RoHS || PT3400 SOT-23(T/R) HT SEMI SOT23
Hersteller:
HT SEMI
Hersteller-Teilenummer:
PT3400 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1258 0,0597 0,0336 0,0256 0,0229
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
SOT23 HT 5,8A 30V 12V 1,4W SMD 52mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.