Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 6443)
Produkt | Warenkorb |
Transistor-Typ
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Max. Drain-Source Spannung
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Msx. Drain-Gate Spannung
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Max. Gate-Source Spannung
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Widerstand im offenen Kanal
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Max. Drainstrom
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Maximaler Leistungsverlust
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Montage
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Gehäuse
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Hersteller
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IRF7493TRPBF SOP-8 TECH PUBLIC
80V 9.3A 15mOhm@10V,5.6A 2.5W 4V@250uA 1 N-channel SOP-8 MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: TPIRF7493TRPBF;
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Hersteller:
TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer: TPIRF7493TRPBF RoHS Präzisionsgehäuse: SOP08t/r |
Auf Lager:
100 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
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MOT7N65F TO-220F
TRANSISTOR ODPOWIEDNIK: MAGNACHIP MDF7N65BTH;
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Hersteller:
MOT Hersteller-Teilenummer: MOT7N65F RoHS Präzisionsgehäuse: TO220iso |
Auf Lager:
200 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50/200 Menge (mehrere 1) |
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MOT10N65F TO-220F
TRANSISTOR ODPOWIEDNIK: MAGNACHIP MDF10N65BTH; STP10NK60ZFP;
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Hersteller:
MOT Hersteller-Teilenummer: MOT10N65F RoHS Präzisionsgehäuse: TO220iso |
Auf Lager:
200 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50/200 Menge (mehrere 1) |
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MOT65R099F TO-220F
650V 40A 99mOhm@10V 35W 4V@0.25mA TO-220F Single FETs, MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: ONSEMI FCPF099N65S3;
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Hersteller:
MOT Hersteller-Teilenummer: MOT65R099HF RoHS Präzisionsgehäuse: TO220iso |
Auf Lager:
100 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50/100 Menge (mehrere 1) |
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MOT2N7002 SOT-23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: 2N7002L; 2N7002-7-F; BSS138LT1G;
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Hersteller:
MOT Hersteller-Teilenummer: MOT2N7002 RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
6000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000/6000 Menge (mehrere 10) |
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MOT3400A3-5.8A SOT-23
TRANSISTOR MOT3400AB2 ODPOWIEDNIK: YJL3400B; AOS AO3400; MOT3400AB2; BSS306NH6327XTSA1; RC2304A; YFW3404B; PT3404; BSS306N-VB; LGE3404;
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Hersteller:
MOT Hersteller-Teilenummer: MOT3400AB2 RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
6000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
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MOT3401AA3 SOT-23
TRANSISTOR ODPOWIEDNIK: AOS AO3401;
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Hersteller:
MOT Hersteller-Teilenummer: MOT3401AA3 RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
6000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
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SQ3987EV-T1_GE3
TRANS DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SQ3987EV-T1_GE3 RoHS Präzisionsgehäuse: TSOP06 t/r |
Auf Lager:
50 Stk. |
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Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SQ3987EV-T1_GE3 Präzisionsgehäuse: TSOP06 |
Externes Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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MOT10N65 TO220 MOT
650V 10A 50W 800mOhm@10V,5A 2V 1 N-Channel TO-220 Single FETs, MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: STP10NK60Z;
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Hersteller:
MOT Hersteller-Teilenummer: MOT10N65A RoHS Präzisionsgehäuse: TO220 |
Auf Lager:
100 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50/100 Menge (mehrere 1) |
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MOT15N10D TO252(DPAK) MOT
100V 15A 34.7W 80mOhm@10V,8A 3V 1 N-Channel TO-252 Single FETs, MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: IRFR120N;
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Hersteller:
MOT Hersteller-Teilenummer: MOT15N10D RoHS Präzisionsgehäuse: TO252t/r |
Auf Lager:
2500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Menge (mehrere 1) |
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MOT3415A3 (with ESD) SOT23 MOT
30V 7A 25mOhm@10V 1.6W 2.5V@250uA 1 N-Channel SOT-23A-3L Single FETs, MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: AO3419;
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Hersteller:
MOT Hersteller-Teilenummer: MOT3415A3 RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
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MOT7N80F TO-220F MOT
TRANS ODPOWIEDNIK: MOT7N80F;
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Hersteller:
MOT Hersteller-Teilenummer: MOT7N80F RoHS Präzisionsgehäuse: TO220iso |
Auf Lager:
100 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50/100 Menge (mehrere 1) |
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MOT65R850F TO-220F MOT
650V 4A 20W 850mOhm@10V, TO-220F Single FETs, MOSFETs ROHS ; SUPER JUNCTION N-CHANNEL MOSFET ODPOWIEDNIK: ONSEMI FCPF850N65Z;
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Hersteller:
MOT Hersteller-Teilenummer: MOT65R850F RoHS Präzisionsgehäuse: TO220iso |
Auf Lager:
200 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50/200 Menge (mehrere 1) |
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MOT65R380F TO-220F MOT
650V 11A 31.8W 330mOhm@10V,5.5A 4.5V TO-220F Single FETs, MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: ONSEMI FCPF380N65FL1;
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Hersteller:
MOT Hersteller-Teilenummer: MOT65R380F RoHS Präzisionsgehäuse: TO220iso |
Auf Lager:
200 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50/200 Menge (mehrere 1) |
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IRF7316TRPBF-VB SO-8 VBSEMI ELEC
TRANSISTOR; SOP8; 30V; 7.3A; Dual P-chanel; VBsemi VBA4338;
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Hersteller:
VBsemi Hersteller-Teilenummer: VBA4338 RoHS Präzisionsgehäuse: SOP08t/r |
Auf Lager:
500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
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VBM1615 TO-220 VBsemi Elec
TRANS; 60v 50A ; TO-220 ; N-CHANEL; ODPOWIEDNIK: VBM1615; STP55NF06-VB; STP55NF06; (ORAZ STP55NF06L);
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Hersteller:
VBsemi Hersteller-Teilenummer: VBM1615 RoHS Präzisionsgehäuse: TO220 |
Auf Lager:
200 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50/200 Menge (mehrere 1) |
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MOT2301 SOT23 MOT
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 100mOhm; 3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Ersatz: TSM2301ACX;
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Auf Lager:
6000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 100mOhm | 3A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | MOT | |||||||||||||
MOT2305 SOT23 MOT
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; 1,83W; -55°C ~ 150°C; Ersatz: IRLML6402;
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Auf Lager:
6000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 55mOhm | 6A | 1,83W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | MOT | |||||||||||||
MOT2312B2 SOT23 MOT
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 28mOhm; 6,8A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Ersatz: IRLML6244; MOT2312; IRLML6244TRPBF; MOT2312B2; LGE8810; PT2312; YFW3416;
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Auf Lager:
6000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 28mOhm | 6,8A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | MOT | |||||||||||||
AO3400A SOT23 FUXINSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
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Hersteller:
FUXINSEMI Hersteller-Teilenummer: AO3400A RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 52mOhm | 5,8A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | FUXINSEMI | |||||||||||||
IRLML6244TRPBF SOT23(T/R) FUXIN
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 73mOhm; 6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLML6244TRPBF; SP001558344;
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Hersteller:
FUXINSEMI Hersteller-Teilenummer: IRLML6244TRPBF RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 73mOhm | 6A | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | FUXINSEMI | |||||||||||||
TP0610K SOT23(T/R) TECH PUBLIC
Transistor P-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 360mW; -55°C~150°C;
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Auf Lager:
300 Stk. |
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Standard-Verpackung: 300 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 500mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TECH PUBLIC | |||||||||||||
PTS4842 SOP8 HT SEMI
30V 7.7A 21m?@10V,7.7A 2W 2.5V 2 N-Channel SOP-8 MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: IRF7303;
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Hersteller:
HT SEMI Hersteller-Teilenummer: PTS4842 RoHS Präzisionsgehäuse: SOP08t/r |
Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
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YFW6H03S SOP8(T/R) YFW
Transistor 2xN-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF7303TRPBF;
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Auf Lager:
494 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 30mOhm | 7,8A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | YFW | |||||||||||||
SI4564DY SOIC8 VBSEMI
Transistor N/P-Kanal MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm; 7,6A; 3W; -55°C~150°C; SI4564DY-T1-GE3; SI4564DY-VB;
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Auf Lager:
200 Stk. |
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Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
N/P-MOSFET | 40V | 20V | 12mOhm | 7,6A | 3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VBsemi | |||||||||||||
AOD417 TO252(DPAK) TECH PUBLIC
Transistor P-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 50mOhm; 30A; 50W; -55°C ~ 175°C; AOD417 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
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Auf Lager:
300 Stk. |
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Standard-Verpackung: 300 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 50mOhm | 30A | 50W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | TECH PUBLIC | |||||||||||||
Auf Lager:
91 Stk. |
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Standard-Verpackung: 91 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 50mOhm | 30A | 50W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | TECH PUBLIC | |||||||||||||
Auf Lager:
409 Stk. |
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Standard-Verpackung: 409 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 50mOhm | 30A | 50W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | TECH PUBLIC | |||||||||||||
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-10-31
Anzahl der Stücke: 1
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YFW9435AS SOP8 YFW
Transistor P-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; IRF7406TR; IRF7406PBF; IRF7406TRPBF; IRF9335PBF; IRF7406PBF-GURT; CJQ4459A/SOP8; IRF7406TR(UMW); IRF7406PBF-HXY;
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Hersteller:
YFW Hersteller-Teilenummer: YFW9435AS RoHS Präzisionsgehäuse: SOP08t/r |
Auf Lager:
190 Stk. |
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Standard-Verpackung: 490 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 70mOhm | 5,8A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | YFW | |||||||||||||
Hersteller:
YFW Hersteller-Teilenummer: YFW9435AS RoHS Präzisionsgehäuse: SOP08t/r |
Auf Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 70mOhm | 5,8A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | YFW | |||||||||||||
IRLR2908
Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 24mOhm; 31A; 53,5W; -55°C~175°C; Äquivalent: IRLR2908TRPBF-TP; IRLR2908TRPBF-VB;
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Auf Lager:
100 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 24mOhm | 31A | 53,5W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | TECH PUBLIC | |||||||||||||
YJL05N04C
Transistor N-Kanal MOSFET; 40V; 20V; 50mOhm; 5A; 1,2W; -55°C~150°C; YJL05N04A IS EOL; REPLACEMENT: YJL05N04C.
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 50mOhm | 5A | 1,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | YY | |||||||||||||
YJL03N06C
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 95mOhm; 3A; 1,2W; -55°C~150°C; YJL03N06A IS EOL; REPLACEMENT: YJL03N06C.
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 95mOhm | 3A | 1,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | YY |
Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen
Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.
Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?
Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:
- Kristall,
- erste Elektrode,
- zweite Elektrode,
- Gate (Tor).
Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.
Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?
Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.
Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast
Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET.
Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.
Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.