Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 6443)

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Hersteller
IRF7493TRPBF SOP-8 TECH PUBLIC 80V 9.3A 15mOhm@10V,5.6A 2.5W 4V@250uA 1 N-channel SOP-8 MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: TPIRF7493TRPBF;
TPIRF7493TRPBF RoHS || IRF7493TRPBF SOP-8 TECH PUBLIC SOP08
Hersteller:
TECH PUBLIC
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TPIRF7493TRPBF RoHS
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SOP08t/r
 
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Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
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MOT7N65F TO-220F TRANSISTOR ODPOWIEDNIK: MAGNACHIP MDF7N65BTH;
MOT7N65F RoHS || MOT7N65F TO-220F TO220iso
Hersteller:
MOT
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MOT7N65F RoHS
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TO220iso
 
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Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,8598 0,5450 0,4299 0,3900 0,3735
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50/200
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MOT10N65F TO-220F TRANSISTOR ODPOWIEDNIK: MAGNACHIP MDF10N65BTH; STP10NK60ZFP;
MOT10N65F RoHS || MOT10N65F TO-220F TO220iso
Hersteller:
MOT
Hersteller-Teilenummer:
MOT10N65F RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220iso
 
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Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5873 0,3547 0,2725 0,2467 0,2344
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MOT65R099F TO-220F 650V 40A 99mOhm@10V 35W 4V@0.25mA TO-220F Single FETs, MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: ONSEMI FCPF099N65S3;
MOT65R099HF RoHS || MOT65R099F TO-220F TO220iso
Hersteller:
MOT
Hersteller-Teilenummer:
MOT65R099HF RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220iso
 
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Anzahl der Stücke 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 2,0062 1,5927 1,3860 1,3601 1,3367
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MOT2N7002 SOT-23 Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: 2N7002L; 2N7002-7-F; BSS138LT1G;
MOT2N7002 RoHS || MOT2N7002 SOT-23 SOT23
Hersteller:
MOT
Hersteller-Teilenummer:
MOT2N7002 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
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Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 6000+
Preis netto (EUR) 0,0561 0,0208 0,0110 0,0081 0,0077
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3000/6000
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MOT3400A3-5.8A SOT-23 TRANSISTOR MOT3400AB2 ODPOWIEDNIK: YJL3400B; AOS AO3400; MOT3400AB2; BSS306NH6327XTSA1; RC2304A; YFW3404B; PT3404; BSS306N-VB; LGE3404;
MOT3400AB2 RoHS || MOT3400A3-5.8A SOT-23 SOT23
Hersteller:
MOT
Hersteller-Teilenummer:
MOT3400AB2 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
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6000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1099 0,0432 0,0254 0,0185 0,0169
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3000
Menge (mehrere 10)
MOT3401AA3 SOT-23 TRANSISTOR ODPOWIEDNIK: AOS AO3401;
MOT3401AA3 RoHS || MOT3401AA3 SOT-23 SOT23
Hersteller:
MOT
Hersteller-Teilenummer:
MOT3401AA3 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
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6000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1067 0,0420 0,0247 0,0180 0,0164
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3000
Menge (mehrere 10)
SQ3987EV-T1_GE3 TRANS DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
SQ3987EV-T1_GE3 RoHS || SQ3987EV-T1_GE3 || SQ3987EV-T1_GE3 TSOP06
Hersteller:
Vishay
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SQ3987EV-T1_GE3 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TSOP06 t/r
 
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Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,8269 0,5239 0,4134 0,3759 0,3594
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200
Menge (mehrere 1)
 
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SQ3987EV-T1_GE3
Präzisionsgehäuse:
TSOP06
 
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Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3594
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Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
MOT10N65 TO220 MOT 650V 10A 50W 800mOhm@10V,5A 2V 1 N-Channel TO-220 Single FETs, MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: STP10NK60Z;
MOT10N65A RoHS || MOT10N65 TO220 MOT TO220
Hersteller:
MOT
Hersteller-Teilenummer:
MOT10N65A RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220
 
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100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,5873 0,3524 0,2678 0,2514 0,2344
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50/100
Menge (mehrere 1)
MOT15N10D TO252(DPAK) MOT 100V 15A 34.7W 80mOhm@10V,8A 3V 1 N-Channel TO-252 Single FETs, MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: IRFR120N;
MOT15N10D RoHS || MOT15N10D TO252(DPAK) MOT TO252
Hersteller:
MOT
Hersteller-Teilenummer:
MOT15N10D RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
 
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Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2500+
Preis netto (EUR) 0,2467 0,1362 0,0904 0,0754 0,0705
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2500
Menge (mehrere 1)
MOT3415A3 (with ESD) SOT23 MOT 30V 7A 25mOhm@10V 1.6W 2.5V@250uA 1 N-Channel SOT-23A-3L Single FETs, MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: AO3419;
MOT3415A3 RoHS || MOT3415A3 (with ESD) SOT23 MOT SOT23
Hersteller:
MOT
Hersteller-Teilenummer:
MOT3415A3 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
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3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1386 0,0637 0,0345 0,0258 0,0231
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3000
Menge (mehrere 1)
MOT7N80F TO-220F MOT TRANS ODPOWIEDNIK: MOT7N80F;
MOT7N80F RoHS || MOT7N80F TO-220F MOT TO220iso
Hersteller:
MOT
Hersteller-Teilenummer:
MOT7N80F RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220iso
 
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100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,6366 0,3994 0,3124 0,2960 0,2772
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50/100
Menge (mehrere 1)
MOT65R850F TO-220F MOT 650V 4A 20W 850mOhm@10V, TO-220F Single FETs, MOSFETs ROHS ; SUPER JUNCTION N-CHANNEL MOSFET ODPOWIEDNIK: ONSEMI FCPF850N65Z;
MOT65R850F RoHS || MOT65R850F TO-220F MOT TO220iso
Hersteller:
MOT
Hersteller-Teilenummer:
MOT65R850F RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220iso
 
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200 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,7235 0,4581 0,3618 0,3289 0,3148
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50/200
Menge (mehrere 1)
MOT65R380F TO-220F MOT 650V 11A 31.8W 330mOhm@10V,5.5A 4.5V TO-220F Single FETs, MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: ONSEMI FCPF380N65FL1;
MOT65R380F RoHS || MOT65R380F TO-220F MOT TO220iso
Hersteller:
MOT
Hersteller-Teilenummer:
MOT65R380F RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220iso
 
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200 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 0,8880 0,6507 0,5239 0,4487 0,4228
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Menge (mehrere 1)
IRF7316TRPBF-VB SO-8 VBSEMI ELEC TRANSISTOR; SOP8; 30V; 7.3A; Dual P-chanel; VBsemi VBA4338;
VBA4338 RoHS || IRF7316TRPBF-VB SO-8 VBSEMI ELEC SOP08
Hersteller:
VBsemi
Hersteller-Teilenummer:
VBA4338 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
 
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500 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,3289 0,1818 0,1435 0,1304 0,1261
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500
Menge (mehrere 1)
VBM1615 TO-220 VBsemi Elec TRANS; 60v 50A ; TO-220 ; N-CHANEL; ODPOWIEDNIK: VBM1615; STP55NF06-VB; STP55NF06; (ORAZ STP55NF06L);
VBM1615 RoHS || VBM1615 TO-220 VBsemi Elec TO220
Hersteller:
VBsemi
Hersteller-Teilenummer:
VBM1615 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220
 
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200 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,8222 0,5215 0,4111 0,3735 0,3571
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50/200
Menge (mehrere 1)
MOT2301 SOT23 MOT Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 100mOhm; 3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Ersatz: TSM2301ACX;
MOT2301AB2 RoHS || MOT2301 SOT23 MOT SOT23
Hersteller:
MOT
Hersteller-Teilenummer:
MOT2301AB2 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
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6000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0914 0,0359 0,0210 0,0154 0,0140
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
P-MOSFET 20V 12V 100mOhm 3A 1,25W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 MOT
MOT2305 SOT23 MOT Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; 1,83W; -55°C ~ 150°C; Ersatz: IRLML6402;
MOT2305B2 RoHS || MOT2305 SOT23 MOT SOT23
Hersteller:
MOT
Hersteller-Teilenummer:
MOT2305B2 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
6000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0963 0,0378 0,0222 0,0162 0,0148
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
P-MOSFET 20V 12V 55mOhm 6A 1,83W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 MOT
MOT2312B2 SOT23 MOT Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 28mOhm; 6,8A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Ersatz: IRLML6244; MOT2312; IRLML6244TRPBF; MOT2312B2; LGE8810; PT2312; YFW3416;
MOT2312B2 RoHS || MOT2312B2 SOT23 MOT SOT23
Hersteller:
MOT
Hersteller-Teilenummer:
MOT2312B2 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
6000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1238 0,0568 0,0310 0,0231 0,0206
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 20V 12V 28mOhm 6,8A 1,25W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 MOT
AO3400A SOT23 FUXINSEMI Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
AO3400A RoHS || AO3400A SOT23 FUXINSEMI SOT23
Hersteller:
FUXINSEMI
Hersteller-Teilenummer:
AO3400A RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0991 0,0390 0,0228 0,0167 0,0152
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 30V 12V 52mOhm 5,8A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 FUXINSEMI
IRLML6244TRPBF SOT23(T/R) FUXIN N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 73mOhm; 6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLML6244TRPBF; SP001558344;
IRLML6244TRPBF RoHS || IRLML6244TRPBF SOT23(T/R) FUXIN SOT23
Hersteller:
FUXINSEMI
Hersteller-Teilenummer:
IRLML6244TRPBF RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1912 0,0909 0,0512 0,0388 0,0348
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 20V 12V 73mOhm 6A 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 FUXINSEMI
TP0610K SOT23(T/R) TECH PUBLIC Transistor P-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 360mW; -55°C~150°C;
TP0610K RoHS || TP0610K SOT23(T/R) TECH PUBLIC SOT23
Hersteller:
TECH PUBLIC
Hersteller-Teilenummer:
TP0610K RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
300 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2537 0,1271 0,0756 0,0627 0,0564
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 60V 20V 3Ohm 500mA 360mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 TECH PUBLIC
PTS4842 SOP8 HT SEMI 30V 7.7A 21m?@10V,7.7A 2W 2.5V 2 N-Channel SOP-8 MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: IRF7303;
PTS4842 RoHS || PTS4842 SOP8 HT SEMI SOP08
Hersteller:
HT SEMI
Hersteller-Teilenummer:
PTS4842 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
 
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2537 0,1287 0,0780 0,0618 0,0564
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
YFW6H03S SOP8(T/R) YFW Transistor 2xN-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF7303TRPBF;
YFW6H03S RoHS || YFW6H03S SOP8(T/R) YFW SOP08
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
YFW6H03S RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
494 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2312 0,1276 0,0843 0,0702 0,0660
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
2xN-MOSFET 30V 20V 30mOhm 7,8A 1,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 YFW
SI4564DY SOIC8 VBSEMI Transistor N/P-Kanal MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm; 7,6A; 3W; -55°C~150°C; SI4564DY-T1-GE3; SI4564DY-VB;
SI4564DY-VB RoHS || SI4564DY SOIC8 VBSEMI SOP08
Hersteller:
VBsemi
Hersteller-Teilenummer:
SI4564DY-VB RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,7682 0,4863 0,3829 0,3500 0,3336
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
N/P-MOSFET 40V 20V 12mOhm 7,6A 3W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VBsemi
AOD417 TO252(DPAK) TECH PUBLIC Transistor P-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 50mOhm; 30A; 50W; -55°C ~ 175°C; AOD417 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
AOD417 RoHS || AOD417 TO252(DPAK) TECH PUBLIC TO252 (DPACK)
Hersteller:
TECH PUBLIC
Hersteller-Teilenummer:
AOD417 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
300 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,3641 0,2396 0,1724 0,1475 0,1405
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 50mOhm 30A 50W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) TECH PUBLIC
 
Hersteller:
TECH PUBLIC
Hersteller-Teilenummer:
AOD417 RoHS
Präzisionsgehäuse:
DPAK
Datenblatt
Auf Lager:
91 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,3641 0,2396 0,1724 0,1475 0,1405
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Standard-Verpackung:
91
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 50mOhm 30A 50W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) TECH PUBLIC
 
Hersteller:
TECH PUBLIC
Hersteller-Teilenummer:
AOD417 RoHS
Präzisionsgehäuse:
DPAK
Datenblatt
Auf Lager:
409 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,3641 0,2396 0,1724 0,1475 0,1405
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Standard-Verpackung:
409
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 50mOhm 30A 50W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) TECH PUBLIC
                           
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-10-31
Anzahl der Stücke: 1
                     
YFW9435AS SOP8 YFW Transistor P-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; IRF7406TR; IRF7406PBF; IRF7406TRPBF; IRF9335PBF; IRF7406PBF-GURT; CJQ4459A/SOP8; IRF7406TR(UMW); IRF7406PBF-HXY;
YFW9435AS RoHS || YFW9435AS SOP8 YFW SOP08
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
YFW9435AS RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
 
Auf Lager:
190 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 10+ 30+ 100+ 490+
Preis netto (EUR) 0,2213 0,1583 0,1038 0,0771 0,0632
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Standard-Verpackung:
490
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 70mOhm 5,8A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 YFW
 
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
YFW9435AS RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
 
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1000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 10+ 30+ 100+ 490+
Preis netto (EUR) 0,2213 0,1583 0,1038 0,0771 0,0632
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 70mOhm 5,8A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 YFW
IRLR2908 Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 24mOhm; 31A; 53,5W; -55°C~175°C; Äquivalent: IRLR2908TRPBF-TP; IRLR2908TRPBF-VB;
IRLR2908TRPBF-TP RoHS || IRLR2908 TO252
Hersteller:
TECH PUBLIC
Hersteller-Teilenummer:
IRLR2908TRPBF-TP RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 0,9138 0,6061 0,5027 0,4534 0,4346
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 20V 24mOhm 31A 53,5W SMD -55°C ~ 175°C TO252 TECH PUBLIC
YJL05N04C Transistor N-Kanal MOSFET; 40V; 20V; 50mOhm; 5A; 1,2W; -55°C~150°C; YJL05N04A IS EOL; REPLACEMENT: YJL05N04C.
YJL05N04C-F2-0000HF RoHS || YJL05N04C SOT23
Hersteller:
YY
Hersteller-Teilenummer:
YJL05N04C-F2-0000HF RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1116 0,0439 0,0256 0,0188 0,0171
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 40V 20V 50mOhm 5A 1,2W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 YY
YJL03N06C Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 95mOhm; 3A; 1,2W; -55°C~150°C; YJL03N06A IS EOL; REPLACEMENT: YJL03N06C.
YJL03N06C-F2-0000HF RoHS || YJL03N06C SOT23
Hersteller:
YY
Hersteller-Teilenummer:
YJL03N06C-F2-0000HF RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1083 0,0496 0,0270 0,0202 0,0180
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 95mOhm 3A 1,2W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 YY
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.