Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 6946)

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BSS138BK SOT23 TECH PUBLIC N-Channel 50V 360mA 0.35W Surface Mount SOT-23
BSS138BK RoHS || BSS138BK SOT23 TECH PUBLIC SOT23
Hersteller:
TECH PUBLIC
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BSS138BK RoHS
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SOT23t/r
 
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Geplantes Datum: 2026-03-15
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RCD30P03 TO-252 RealChip Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 55mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AOD417 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
RCD30P03 RoHS || RCD30P03 TO-252 RealChip TO252
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
RCD30P03 RoHS
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TO252t/r
 
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NX7002AK SOT23 (NEXPERIA replacement) Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 9,2Ohm; 190mA; 325mW; -55°C ~ 150°C;
NX7002AK-ES RoHS || NX7002AK SOT23 (NEXPERIA replacement) SOT23
Hersteller:
ElecSuper
Hersteller-Teilenummer:
NX7002AK-ES RoHS
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SOT23t/r
 
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Geplantes Datum: 2026-12-31
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T2N7002BK-ES SOT23 ELECSUPER N-Channel 60V 300mA 350mW Surface Mount SOT-23
T2N7002BK,LM(ES) RoHS || T2N7002BK-ES SOT23 ELECSUPER SOT23
Hersteller:
ElecSuper
Hersteller-Teilenummer:
T2N7002BK,LM(ES) RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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BSS138A SOT323 HT SEMI Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: BSS138PW;
BSS138A RoHS J1 || BSS138A SOT323 HT SEMI SOT323
Hersteller:
HT SEMI
Hersteller-Teilenummer:
BSS138A RoHS J1
Präzisionsgehäuse:
SOT323 t/r
 
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Preis netto (EUR) 0,0845 0,0332 0,0195 0,0142 0,0130
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3000
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2302 SOT23 HT SEMI MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
2302 RoHS A2sHB || 2302 SOT23 HT SEMI SOT23
Hersteller:
HT SEMI
Hersteller-Teilenummer:
2302 RoHS A2sHB
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
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Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0387 0,0141 0,0075 0,0056 0,0052
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BSS84 SOT23 REALCHIP Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 17Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Similar to: BSS84AK,215;
BSS84 RoHS || BSS84 SOT23 REALCHIP SOT23
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
BSS84 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
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Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0781 0,0309 0,0180 0,0131 0,0120
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3000
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YFW4406AS Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: YFW4406AS; IRF7401PBF; IRF7401TRPBF; SP001566310; SP001551308;
YFW4406AS RoHS || YFW4406AS SOP08
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
YFW4406AS RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
 
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3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2338 0,1111 0,0624 0,0475 0,0425
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3000
Menge (mehrere 1)
BSS138 SOT23 YFW Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 300mA; 300mW; -55°C ~ 150°C;
BSS138 RoHS || BSS138 SOT23 YFW SOT23
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
BSS138 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
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3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0679 0,0261 0,0128 0,0102 0,0097
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3000
Menge (mehrere 10)
IRLR2705TRPBF YFW Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 65mOhm; 28A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR2705PBF; IRLR2705TRPBF; IRLR2705TRLPBF; IRLR2705PBF-GURT; IRLR2705; YFW50N06AD; MOT30N06D; DH300N08D;
YFW50N06AD RoHS || IRLR2705TRPBF YFW TO252 (DPACK)
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
YFW50N06AD RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
 
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2500 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2500+
Preis netto (EUR) 0,3109 0,1666 0,1298 0,1175 0,1132
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2500
Menge (mehrere 1)
2N7002K SOT23 RealChip Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Podobny do: NX7002AK; 2N7002,215;
2N7002K RoHS || 2N7002K SOT23 RealChip SOT23
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
2N7002K RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
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3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0674 0,0259 0,0127 0,0101 0,0096
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3000
Menge (mehrere 10)
YFW15N06S SOP8 YFW Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 30mOhm; 7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: YFW15N06S; PTS6012; IRF7478PBF; IRF7478TRPBF; IRF7478PBF-GURT;
YFW15N06S RoHS || YFW15N06S SOP8 YFW SOP08
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
YFW15N06S RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
 
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1000 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3109 0,1716 0,1351 0,1251 0,1199
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1000
Menge (mehrere 1)
YFW65R380AF Tranzystor N-MOSFET; 600V; 600V; 30V; 450mOhm; 11A; 160W; -65°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: STP11NM60FD; STP11NM60FD-VB;
YFW65R380AF RoHS || YFW65R380AF TO220
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
YFW65R380AF RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220iso
 
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200 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 50+ 200+ 400+
Preis netto (EUR) 1,3316 0,9328 0,7453 0,7097 0,7002
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50/200
Menge (mehrere 1)
YFW30N10AC Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 63mOhm; 36A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRL540NPBF; IRL 540 NPBF; YFW30N10AC; IRL540NPBF-VB; IRL540N-CN;
YFW30N10AC RoHS || YFW30N10AC TO220
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
YFW30N10AC RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220
 
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200 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5340 0,3228 0,2492 0,2245 0,2136
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Standard-Verpackung:
50/200
Menge (mehrere 1)
TW40P03D TO252-2L(T/R) TWGMC 30V 35A 4W 1.5V@250uA TO-252-2L Single FETs, MOSFETs ROHS
TW40P03D RoHS || TW40P03D TO252-2L(T/R) TWGMC TO252
Hersteller:
TWGMC
Hersteller-Teilenummer:
TW40P03D RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
 
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150 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 40+ 150+ 600+
Preis netto (EUR) 0,3133 0,2044 0,1505 0,1296 0,1206
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Standard-Verpackung:
150
Menge (mehrere 1)
RC3407A SOT23 RealChip Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 165mOhm; 3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; odpowiednik: IRLML5203TRPBF; IRLML9303TRPBF;
RC3407A RoHS || RC3407A SOT23 RealChip SOT23
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
RC3407A RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1078 0,0425 0,0249 0,0182 0,0166
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
RC4805 SOIC8(T/R) RealChip Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 8A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7328TRPBF; IRF7328PBF; IRF7328PBF-GURT; IRF7328TRPBFXTMA1
RC4805 RoHS || RC4805 SOIC8(T/R) RealChip SOP08
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
RC4805 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
 
Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2730 0,1453 0,1132 0,1023 0,0990
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
BSS138W SOT323 RealChip Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6Ohm; 280mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; podobny do: BSS138PW; BSS138PW,115;
BSS138W RoHS || BSS138W SOT323 RealChip SOT323
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
BSS138W RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT323 t/r
 
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0757 0,0292 0,0142 0,0113 0,0108
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
IRF7201TRPBF SOP8 VBSEMI Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 50mOhm; 7,3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7201PBF; IRF7201TRPBF; IRF7201PBF-GURT; IRF7201TR(UMW); IRF7201-HXY; IRF7201PBF-HXY;
IRF7201TRPBF-VB RoHS || IRF7201TRPBF SOP8 VBSEMI SOP08
Hersteller:
VBsemi
Hersteller-Teilenummer:
IRF7201TRPBF-VB RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
 
Auf Lager:
25 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 25+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,5056 0,3014 0,2540 0,2167 0,2018
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Standard-Verpackung:
25
Menge (mehrere 1)
YFWG120N10AC TO220 YFW Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3710PBF; SP001551058; SKG45N10-T;
YFWG120N10AC RoHS || YFWG120N10AC TO220 YFW TO220
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
YFWG120N10AC RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220
 
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 0,9281 0,6812 0,5459 0,4676 0,4415
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
AO3400 XBLW Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 59mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3400 Alpha&Omega Semiconductor AOS; SL3400; YJL3400B;
AO3400 RoHS || AO3400 XBLW SOT23
Hersteller:
XBLW
Hersteller-Teilenummer:
AO3400 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1165 0,0534 0,0292 0,0218 0,0194
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
AO3416A SOT23 Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 51mOhm; 6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3416 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
AO3416A RoHS || AO3416A SOT23 SOT23
Hersteller:
XBLW
Hersteller-Teilenummer:
AO3416A RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
2985 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1567 0,0745 0,0418 0,0318 0,0285
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
AO3415A SOT23 XBLW Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 60mOhm; 4A; 0,35W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3415A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
AO3415A RoHS || AO3415A SOT23 XBLW SOT23
Hersteller:
XBLW
Hersteller-Teilenummer:
AO3415A RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
2985 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1436 0,0681 0,0385 0,0292 0,0261
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
RC4606 SOP8 RealChip Tranzystor 2xN/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm/98mOhm; 6,5A/4,9A; 2W; -55°C ; Odpowiednik: IRF7319TRPBF; IRF7319PBF; IRF7319PBF-GURT; IRF7319 SMD;
RC4606 RoHS || RC4606 SOP8 RealChip SOP08
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
RC4606 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
 
Auf Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2801 0,1526 0,1002 0,0864 0,0798
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
RC3400A SOT23 RealChip Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS; YJL3400B; RC3400A;
RC3400A RoHS || RC3400A SOT23 RealChip SOT23
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
RC3400A RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
 
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1123 0,0515 0,0280 0,0210 0,0187
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
AO3401 SOT23(T/R) 4.2A EASTRONIC P-Channel 30V 4A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
AO3401 RoHS || AO3401 SOT23(T/R) 4.2A EASTRONIC SOT23
Hersteller:
EASTRONIC
Hersteller-Teilenummer:
AO3401 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0983 0,0387 0,0226 0,0165 0,0151
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
AO3400 5.8A SOT23 EASTRONIC Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 59mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
AO3400 RoHS || AO3400 5.8A SOT23 EASTRONIC SOT23
Hersteller:
EASTRONIC
Hersteller-Teilenummer:
AO3400 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0949 0,0375 0,0218 0,0160 0,0146
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
AO4832 SOP8 XBLW Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 19mOhm; 10A; 2W; -55°C ~ 150°C;
AO4832 RoHS || AO4832 SOP8 XBLW SOP08
Hersteller:
XBLW
Hersteller-Teilenummer:
AO4832 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
 
Auf Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2967 0,1628 0,1068 0,0921 0,0850
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
IRF7493TRPBF SOP-8 TECH PUBLIC 80V 9.3A 15mOhm@10V,5.6A 2.5W 4V@250uA 1 N-channel SOP-8 MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: TPIRF7493TRPBF;
TPIRF7493TRPBF RoHS || IRF7493TRPBF SOP-8 TECH PUBLIC SOP08
Hersteller:
TECH PUBLIC
Hersteller-Teilenummer:
TPIRF7493TRPBF RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
 
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,7524 0,4723 0,3916 0,3489 0,3276
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 80V 20V 15mOhm 9,3A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 TECH PUBLIC
MOT7N65F TO-220F TRANSISTOR ODPOWIEDNIK: MAGNACHIP MDF7N65BTH;
MOT7N65F RoHS || MOT7N65F TO-220F TO220iso
Hersteller:
MOT
Hersteller-Teilenummer:
MOT7N65F RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220iso
 
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,8687 0,5507 0,4344 0,3940 0,3774
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Standard-Verpackung:
50/200
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 650V 4V 30V 1,12Ohm 7A 36W THT -55°C ~ 150°C TO-220F MOT
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.