Transistors (results: 9647)
Product | Cart |
Open channel resistance
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Max. drain current
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Max. power loss
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Case
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Manufacturer
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Power dissipation
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Current gain factor
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Cutoff frequency
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Gate charge
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Max. dissipated power
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Max. drain-source voltage
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Max. collector current
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Max collector-emmiter voltage
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Max. collector current
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Max collector current (impulse)
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Forvard volatge [Vgeth]
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Transistor type
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Max. drain-gate voltage
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Operating temperature (range)
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Max. gate-source Voltage
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Mounting
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Collector-emitter voltage
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Gate-emitter voltage
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Transistor circuits [Y/N]
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2N6040G
Trans Darlington PNP 60V 8A 75W
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8A | 75W | TO220 | ONSEMI | PNP | -65°C ~ 150°C | THT | ||||||||||||||||||||
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Item available on a request
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2N7002
N-Channel(with ESD) MOSFET 0.43A 60V 4000mΩ
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5Ohm | 300mA | 830mW | SOT-23 | MIC | 60V | N-MOSFET | 60V | -65°C ~ 150°C | 30V | SMD | ||||||||||||||
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Item in delivery
Estimated time: 2025-07-30
Quantity of pieces: 15000
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Item in delivery
Estimated time: 2025-09-20
Quantity of pieces: 15000
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2N7002 SOT23 CJ
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 7,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
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7Ohm | 115mA | 225mW | SOT23 | Jiangsu Changjing electronics technology | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
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2N7002CK,215
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4,4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Obsolete = wycofano z produkcji;
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4,4Ohm | 300mA | 350mW | SOT23-3 | NXP | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
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2N7002E-T1-GE3
Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 2N7002E-T1-GE3
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4Ohm | 240mA | 350mW | SOT23 | VISHAY | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
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2N7002K
60V 340mA 350mW 1 N-channel SOT-23(TO-236) MOSFETs ROHS
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5,3Ohm | 340mA | 350mW | SOT23 | FUXIN | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
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2N4401 DIOTEC TO92(AMMO)
NPN Si-Epitaxial Planar-Transistoren 2N4401-DIO;
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2N4403 DIOTEC
PNP Si-Epitaxial Planar-Transistors Substitute: 2N4403-DIO; 2N4403BU; 2N4403TA;
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TO92 | DIOTEC | 625mW | 300 | 200MHz | 600mA | 40V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
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2N7002W
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 60V; 50V; 7,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7002W-LGE;
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7,5Ohm | 115mA | 225mW | SOT323 | LGE | 60V | MOSFET | 60V | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | ||||||||||||||||
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MMBF5458 ON Semiconductor
Trans JFET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R
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10mA | 350W | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 25V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | ||||||||||||||||||
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2SK117
N-JFET 10mA 50V 300mW 2SK117-GR(F)
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14mA | 300mW | TO92 | TOSHIBA | N-JFET | 50V | -55°C ~ 125°C | THT | |||||||||||||||||||
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2N5401
PNP 0,6A 150V 350mW
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TO92 | 625mW | 240 | 400MHz | 600mA | 150V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
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2N5551 TO92
Tranzystor NPN; 250; 630mW; 160V; 300mA; 300MHz; -65°C ~ 150°C; Podobny do: 2N5551 C; 2N5551-B; 2N5551-TA; 2N5551L-B-T92-B; 2N5551-AT/P;
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2SK2542
N-MOSFET 8A 500V 80W 0.75Ω
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850mOhm | 8A | 80W | TO220 | TOSHIBA | 500V | N-MOSFET | 500V | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||
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2SK2545
N-MOSFET 6A 600V 40W 0.9Ω Potential Altenatives: STF5N62K3; NDF06N60ZG; STP6NK60ZFP; 2SK2545-VB;
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1,25Ohm | 6A | 40W | TO220iso | 600V | N-MOSFET | 600V | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | |||||||||||||||||
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AIKW50N60CTXKSA1 Infineon Technologies
IC DISCRETE 600V TO247-3 Automotive, AEC-Q101, TrenchStop -40+175°C AIKW50N60CTXKSA1
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TO247 | INFINEON | 310nC | 330W | 80A | 150A | 4,1V ~ 5,7V | -40°C ~ 175°C | THT | 600V | 20V | ||||||||||||||||
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2N6059
Trans Darlington NPN 100V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
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TO 3 | MICROCHIP | 150W | 150 | 12A | 100V | NPN | -55°C ~ 175°C | |||||||||||||||||||
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2N6491
PNP 15A 80V 75W (=BDP396)
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TO220 | CDIL | 75W | 150 | 5MHz | 15A | 80V | PNP | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
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2N6491
Transistor PNP; Bipolar; 90V; 75W; 80V; 15A; 5MHz; -65°C ~ 150°C;
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TO220 | SPTECH | 75W | 150 | 5MHz | 15A | 80V | PNP | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
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LGE2N65U LGE
Substitute: BXP2N65U; LGE2N65U; YFW2N65AMJ;
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2N6660
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 2N6660-2 2N6660-E3 2N6660JTX02 2N6660JTXV02
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TO39 | MICROCHIP | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||
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2N7002W China
N-Channel(with ESD) MOSFET 0.115A 60V 13.05.2020mΩ (product similar to 2N7002K)
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SOT323 | Hongjiacheng | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||
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ADTC114YUAQ-7
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 330mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
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AOT20B65M1
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 227000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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PMBTA64 NEXPERIA
Trans Darlington PNP 30V 0.5A 250mW Automotive 3-Pin TO-236AB PMBTA64 PMBTA64,215
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2SA1012 TOSHIBA
Transistor PNP Complementary to 2SC2562 ; 2SA1012L-Y-TA3-T
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TO220 | TOSHIBA | 25W | 240 | 60MHz | 5A | 50V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
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2SA1013 SOT89
160V 500mW 320@200mA,5V 1A PNP SOT-89-3L Bipolar (BJT) ROHS
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Item available on a request
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300 | PNP | |||||||||||||||||||||||
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Item in delivery
Estimated time: 2025-08-20
Quantity of pieces: 1000
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2SA1013 TO92
160V 0.9W 160@200mA,5V 1A PNP TO-92-3 Bipolar (BJT) ROHS
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TO92 | TOSHIBA | 900mW | 200 | 50MHz | 1A | 160V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
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Item available on a request
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2SA1013 TO92 LGE
Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1A; 900mW; TO92 Substitute: 2SA1013-LGE;
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Item available on a request
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TO92 | LGE | 900mW | 300 | 15MHz | 1A | 160V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||
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Item in delivery
Estimated time: 2025-08-20
Quantity of pieces: 1000
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2SA1015 SOT23(T/R)
50V 200mW 70@2mA,6V 150mA PNP SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS
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Item available on a request
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SOT23 | MSK | 200mW | 400 | 80MHz | 150mA | 50V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||
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Item in delivery
Estimated time: 2025-07-31
Quantity of pieces: 1000
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