Fototranzystory (wyszukane: 128)

  1  2  3  4  5 
Produkt Koszyk
Producent
Temperatura pracy
Obudowa
Kolor obudowy
Moc
VEMT3700-GS08 VISHAY Phototransistor IR Chip Silicon 850nm 2-Pin PLCC
VEMT3700-GS08 VISHAY SMD-2
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
         
QSD123 No Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin T-1 3/4
QSD123  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
         
SFH 3710 Fototranzystor NPN; 5,5V; 20mA; 570nm; 120°; 12.5µA; -40°C ~ 85°C; Odpowiednik: SFH 3710-Z; SFH3710-Z;
SFH 3710 Rys.SFH3710
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
         
QSE113 No Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker QSE113E3R0
QSE113  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
         
SFH3716 Phototransistors Light Sensor ChipLED; 5,5V; 20mA; 3nA; 570nm; 120°; -40°C - 100°C; Obudowa SMD/SMT 0805 (2012 metric); SFH 3716;
SFH3716 Rys.SFH3716
  OSRAM -40°C ~ 100°C 0805 Przezroczysty
 
Pozycja dostępna na zamówienie
         
QSB363GR No Phototransistor IR Chip Silicon 940nm 2-Pin T-3/4
QSB363GR  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
         
APA3010P3C Kingbright Fototranzystor APA3010P3C; 3x2x1mm; napięcie kolektor-emiter: 30V Kąt widzenia: 120°; moc: 100mW; temperatury pracy: -40°C~85°C
APA3010P3C Kingbright Rys.OIO APA3010P3C
  KingBright -40°C ~ 85°C SMD Przezroczysty 0,1W
 
Pozycja dostępna na zamówienie
         
TLX9188 TOSHIBA Fototranzystor APA3010P3C; 4,55x3,7x2,1mm; napięcie kolektor-emiter: 200V Moc: 150mW; temperatury pracy: -40°C~125°C
TLX9188 TOSHIBA Rys.OIO TLX9188
  Toshiba -40°C ~ 125°C SMD Czarny 150mW
 
Pozycja dostępna na zamówienie
         
  1  2  3  4  5