|
Obudowa:
|
TSOP2-44 |
|
Zakres napięcia zasilania:
|
3.0~3.6V |
|
Pamięć RAM:
|
256kB |
|
Producent:
|
ISSI |
|
Architektura:
|
16-bit |
|
Interfejs ETHERNET:
|
NIE |
|
Interfejs SPI:
|
NIE |
|
Interfejs TWI (I2C):
|
NIE |
|
Interfejs UART/USART:
|
NIE |
|
Przetwornik A/D:
|
NIE |
|
Temperatura pracy (zakres):
|
-40°C ~ 85°C |
|
Interfejs CAN:
|
NIE |
|
Interfejs CRYPT:
|
NIE |
|
Interfejs USB:
|
NIE |
|
Przetwornik D/A:
|
NIE |
Opis szczegółowy
IS61WV25616BLL-10TLI - pamięć SRAM wykonana w technologii CMOS. Informacja jest wprowadzana do pamięci i wydawana z niej w sposób asynchroniczny w postaci słów 16-bitowych. Wybór trybu pracy pamięci odbywa się za pomocą sygnałów: Chip Enable (~CE, uaktywnienie pamięci), Write Enable (~WE, uaktywnienie zapisu), Output Enable (~OE, uaktywnienie odczytu).
Wybrane właściwości:
- pojemność: 4Mbit;
- organizacja: 16-bit;
- czas dostępu: 10ns;
- wyjścia / wejścia kompatybilne z TTL;
- trójstanowe wyjścia – możliwość łączenia ze sobą wielu kostek pamięci;
- pobór prądu:
tryb pracy aktywnej: 45mA max;
tryb standby: 15mA max (TTL), 9mA max (CMOS);
- napięcie zasilania: 3.3V;
- temperatura pracy: -40÷85°C;
Pamięć ta znajduje zastosowanie tam, gdzie wymagana jest duża gęstość zapisu danych oraz duża szybkość przetwarzania.
