TLP185(GR) TLP185-GR-TPL-E-O  TLP185-GR-TPR.E-O

Symbol Micros: OOTLP185gr
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SO 4
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
pojedynczy CTR 50-400% Vce 80V Uiso 3,75kV NPN Phototransistor TLP181; TLP185(GR,E); TLP185(GR-TPR,E; TLP185(GR,E(O; TLP185(GR-TPL,E(O; proponowana jest wersja: TLP185(GR-TPL,SE ; TLP185-GR-TPL.SE-T;
Parametry
CTR: 50-400%
Obudowa: SO 4
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 3750V
Napięcie wyjściowe: 80V
Producent: Toshiba Symbol producenta: TLP185(GR-TPL,SE(T RoHS Obudowa dokładna: SO 4 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1630 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,8900 1,0400 0,8180 0,7570 0,7260
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
CTR: 50-400%
Obudowa: SO 4
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 3750V
Napięcie wyjściowe: 80V
Opis szczegółowy

Transoptor TLP185 w obudowie Mini-Flat.

Właściwości:
- liczba kanałów: 1;
- prąd przewodzenia diody nadawczej: typ. 16mA;
-prąd kolektora: typ. 1mA;
- napięcie przebicia kolektor-emiter: min. 80V
- napięcie izolacji: min. 3750Vrms;
- rezystancja izolacji: typ. 1014 Ohm;
- współczynnik CTR: min. 100% (wersja -GB);
- temperatura pracy: -55÷110°C;
- obudowa: SMD-4 Mini-Flat.

Główną rolą transoptora w urządzeniach elektronicznych jest przekazywanie sygnału pomiędzy oddzielonymi elektryczne dwoma częściami urządzenia. Transoptor TLP185 składa się z fototranzystora sprzężonego optycznie z diodą LED pracującą w zakresie podczerwieni.
TLP185 jest zamknięty w miniaturowej obudowie Mini-Flat przeznaczonej do montażu powierzchniowego. Jest polecany do zastosowań we wszelkiego typu urządzeniach o dużej gęstości upakowania podzespołów.

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta