IRLML6401TRPBF JGSEMI

Symbol Micros: TIRLML6401 JGS
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 110mOhm; 3,3A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRLML6401TRPBF; IRLML6401GTRPBF; SP001577044; SP001568584;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 110mOhm
Maksymalna tracona moc: 1,56W
Maksymalny prąd drenu: 3,3A
Obudowa: SOT23
Producent: JGSEMI
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: JGSEMI Symbol producenta: IRLML6401TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 0,9460 0,4480 0,2510 0,1890 0,1720
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Rezystancja otwartego kanału: 110mOhm
Maksymalna tracona moc: 1,56W
Maksymalny prąd drenu: 3,3A
Obudowa: SOT23
Producent: JGSEMI
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 125°C
Montaż: SMD