BAS32L dioda impulsowa
Symbol Micros:
DIBAS32l smd lge
Obudowa: SOD80 (MINIMELF)
0,2A; 75V; ultra szybka <4ns; pakowanie: taśma/krążek
Parametry
| Obudowa: | SOD80 (MINIMELF) |
| Producent: | LGE |
| Prąd przewodzenia: | 200mA |
| Napięcie wsteczne maks. [Vrrm]: | 75V |
| Typ: | Dioda przełączająca |
| Montaż: | SMD |
| Obudowa: | SOD80 (MINIMELF) |
| Producent: | LGE |
| Prąd przewodzenia: | 200mA |
| Napięcie wsteczne maks. [Vrrm]: | 75V |
| Typ: | Dioda przełączająca |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
BAS32L dioda impulsowa
0,2A; 75V; ultra szybka <4ns; pakowanie: taśma/krążek BAS32L,115 BAS32L,135
Producent:
NXP
Symbol producenta:
BAS32L,115 RoHS
Obudowa dokładna:
SOD80 (MINIMELF)
Stan magazynowy
12680 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2500+ |
| cena netto (PLN) | 0,5210 | 0,2390 | 0,1300 | 0,0967 | 0,0868 |
Sposób pakowania: 2500
Ilość (wielokrotność 1)