HPC357B SOP4(T/R) XHE
Symbol Micros:
OOHPC357B
Obudowa: SO 4
Transoptor; CTR: 50-600 %; SO 4; fototranzystor NPN; 3,75 kVrms; 80 V podobny do: TLPQ81(GB-TPL,F); KPC357NT0C; TIL198; TLP185(GB); LTV-356T-B; TLP181(GB-TPL,F);
Parametry
| Obudowa: | SO 4 |
| CTR: | 50-600% |
| Napięcie izolacji: | 3750V |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie wyjściowe [V]: | 80V |
| Obudowa: | SO 4 |
| CTR: | 50-600% |
| Napięcie izolacji: | 3750V |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie wyjściowe [V]: | 80V |