TLP181(GB-TPL,F)

Symbol Micros: OOTLP181
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SO 4
Transoptor; CTR: 50-600 %; SO 4; fototranzystor NPN; 3,75 kVrms; 80 V OBSOLETE; ZAMIENNIKI: TLP181GB-S; KPC357NT0C; TIL198; TLP185(GB); LTV-356T-B; SFH690AT; SFH690BT; VOM617A-4T; PC357NTJ000F; HCPL-181 TLP181(GB-TPL-F); TLP181; TLP181 smd; TLP181(GB-TPL,F); HPC357;
Parametry
Obudowa: SO 4
CTR: 50-600%
Napięcie izolacji: 3750V
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie wyjściowe [V]: 80V
Producent: Toshiba Symbol producenta: TLP181(GB-TPL,F) RoHS Obudowa dokładna: SO 4 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
8 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 6,4800 5,1300 4,3700 4,0100 3,8100
Dodaj do porównywarki
Towar dostępny
do wyczerpania zapasów
Sposób pakowania:
2507
Obudowa: SO 4
CTR: 50-600%
Napięcie izolacji: 3750V
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie wyjściowe [V]: 80V
Opis szczegółowy

Producent: TOSHIBA / ISOCOM
Typ elementu półprzewodnikowego: transoptor
Montaż SMD
Liczba kanałów: 1
Rodzaj wyjścia: tranzystorowe
Napięcie izolacji: 3.75kV
Transkonduktancja prądowa przy prądzie przewodzenia: 50-150%@5mA
Napięcie kolektor-emiter: 80V
Obudowa: MSOP04 t/r