LTV817S-A smd
Symbol Micros:
OOPC817altvs
Obudowa: PDIP04smd
Transoptor; CTR: 160 %; PDIP04smd; fototranzystor NPN; 0,5 kVrms; 35 V FOD817AS, FOD817ASD, LTV-817S-TA1-A
Parametry
| Obudowa: | PDIP04smd |
| CTR: | 160% |
| Napięcie izolacji: | 0,5kV |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie wyjściowe [V]: | 35V |
| Obudowa: | PDIP04smd |
| CTR: | 160% |
| Napięcie izolacji: | 0,5kV |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie wyjściowe [V]: | 35V |
Odpowiedniki
FOD817AS
pojedynczy CTR 80-160% Vce 70V Uiso 5,0kV NPN Phototransistor FOD817ASD
Producent:
ON-Semiconductor
Symbol producenta:
FOD817AS RoHS
Obudowa dokładna:
PDIP04smd
Stan magazynowy
205 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 1,3300 | 0,7260 | 0,4760 | 0,4300 | 0,3790 |
Sposób pakowania: 100
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ON-Semiconductor
Symbol producenta:
FOD817AS RoHS
Obudowa dokładna:
PDIP04smd
Stan magazynowy
91000 szt.
| Ilość szt. | 2000+ |
| cena netto (PLN) | 0,3790 |
Sposób pakowania: 1000
Ilość (wielokrotność 1)
PC817SA GALAXY
pojedynczy CTR 80-160% Vce 80V Uiso 5,0kV NPN Phototransistor Zamiennik dla: LTV-817S-A, EL817S(A), EL817S1(A)(TU)-F, FOD817AS, FOD817ASD
Producent:
GALAXY
Symbol producenta:
PC817SA RoHS
Obudowa dokładna:
PDIP04smd
Stan magazynowy
990 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 1,0100 | 0,5070 | 0,3020 | 0,2500 | 0,2250 |
Sposób pakowania: 1000
Ilość (wielokrotność 1)
MT817ASM MATELIGHT
pojedynczy CTR 80-160% Vce 80V Uiso 5,0kV NPN Phototransistor Zamiennik dla: LTV-817S-A, EL817S(A), EL817S1(A)(TU)-F, FOD817AS, FOD817ASD
Producent:
MATELIGHT
Symbol producenta:
MT817ASM RoHS
Obudowa dokładna:
PDIP04smd
Stan magazynowy
1240 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 400+ | 1500+ |
| cena netto (PLN) | 0,9520 | 0,4490 | 0,2500 | 0,1930 | 0,1730 |
Sposób pakowania: 1500
Ilość (wielokrotność 1)