FOD817AS
Symbol Micros:
OOPC817as FAI
Obudowa: PDIP04smd
pojedynczy CTR 80-160% Vce 70V Uiso 5,0kV NPN Phototransistor FOD817ASD
Parametry
CTR: | 80-160% |
Obudowa: | PDIP04smd |
Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
Napięcie izolacji: | 5000V |
Napięcie wyjściowe: | 70V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FOD817AS RoHS
Obudowa dokładna: PDIP04smd
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 2,5800 | 1,6200 | 1,3400 | 1,2000 | 1,1200 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FOD817ASD
Obudowa dokładna: PDIP04smd
Magazyn zewnetrzny:
611000 szt.
ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,1200 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FOD817ASD
Obudowa dokładna: PDIP04smd
Magazyn zewnetrzny:
54000 szt.
ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,1200 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FOD817ASD
Obudowa dokładna: PDIP04smd
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,1200 |
CTR: | 80-160% |
Obudowa: | PDIP04smd |
Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
Napięcie izolacji: | 5000V |
Napięcie wyjściowe: | 70V |