HTLP185GB-S HXY MOSFET

Symbol Micros: OOTLP185gb-s HXY
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SO 4
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
pojedynczy CTR 100-600% Vce 80V Uiso 3,75kV NPN Phototransistor Zamiennik dla: TLP185-GB-TPL-E, TLP185-GB-TPL-E-O, TLP185(GB-TPL,E(O, TLP185(GB-TPL,E(T, TLP185(GB-TPL,E), TLP185(GB-TPL,SE, TLP185(GB-TPL,SE(O, TLP185(GB-TPL,SE(T, TLP185(GB-TPR,E, TLP185(GB-TPR,E(O, TLP185(GB-TPR,E), TLP185(GB-TPR,SE(T, TLP185(GB,E(O, TLP185(GB,E), TLP185(GB,SE
Parametry
CTR: 100-600%
Obudowa: SO 4
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 3750V
Napięcie wyjściowe: 80V
Producent: HXY MOSFET Symbol producenta: HTLP185GB-S RoHS Obudowa dokładna: SO 4 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
740 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 0,8780 0,4400 0,2620 0,2170 0,1950
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
CTR: 100-600%
Obudowa: SO 4
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 3750V
Napięcie wyjściowe: 80V

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta