TLP185(GB-SE)

Symbol Micros: OOTLP185gb-se
Obudowa: SO 4
pojedynczy CTR 100-400% Vce 80V Uiso 3,75kV NPN Phototransistor Proponowany odpowiednik: TLP185(GB-SE); TLP185(GB-TPR,SE; TLP185-GB-TPR-SE-T; TLP185(GB,SE(T; TLP185(GB-TPL,S; TLP185GB-S UMW; TLP185(GB-TPR,SE to jest proponowane jako zamiennik TLP185(GB-TPR,E)O; TLP185(GB-TPR,SE); TLP185-GB-TPL.SE-T; TLP185(GB-TPR,S; TLP185(GB-TPR,SE(T; TLP185GB-S UMW; TLP185(GB-TPL,SE(T; TLP185(GB-TPL,SE);
Parametry
CTR: 100-400%
Obudowa: SO 4
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 3750V
Napięcie wyjściowe: 80V
Producent: Toshiba Symbol producenta: TLP185(GB-TPL,SE(T RoHS Obudowa dokładna: SO 4 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
475 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,7600 0,9670 0,7600 0,7040 0,6750
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
750
Producent: Toshiba Symbol producenta: TLP185(GB-TPL,SE(T RoHS Obudowa dokładna: SO 4 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,7600 0,9670 0,7600 0,7040 0,6750
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
CTR: 100-400%
Obudowa: SO 4
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 3750V
Napięcie wyjściowe: 80V