TLP185(GB-TPL,SE(T

Symbol Micros: OOTLP185gb-se
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SO 4
pojedynczy CTR 100-400% Vce 80V Uiso 3,75kV NPN Phototransistor TLP185(GB-TPR,SE to jest proponowane jako zamiennik; TLP185-GB-TPL-E; TLP185(GB-TPL,E(O; TLP185(GB-TPR,E(O; TLP185(GB-TPL,SE(O; TLP185(GB-TPL,SE(T; TLP185(GB-TPL,SE; TLP185(GB-TPR,E; TLP185(GB-TPR,SE(T; TLP185-GB-TPL-E-O; TLP185(GB,E); TLP185(GB-TPR,E); TLP185(GB,E(O; TLP185(GB-TPL,E(T; TLP185(GB,SE; TLP185(GB-TPL,E);
Parametry
CTR: 100-400%
Obudowa: SO 4
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 3750V
Napięcie wyjściowe: 80V
Producent: Toshiba Symbol producenta: TLP185(GB-TPL,SE(O RoHS Obudowa dokładna: SO 4 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
10267 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3700 0,7280 0,5640 0,5210 0,4990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Toshiba Symbol producenta: TLP185(GB-TPL,SE(T RoHS Obudowa dokładna: SO 4 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
27000 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3700 0,7280 0,5640 0,5210 0,4990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
CTR: 100-400%
Obudowa: SO 4
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 3750V
Napięcie wyjściowe: 80V