2N7002DW
Symbol Micros:
T2N7002dw
Obudowa: SC70-6
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002DW-7-F;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 13,5Ohm |
| Maksymalna tracona moc: | 200mW |
| Maksymalny prąd drenu: | 115mA |
| Obudowa: | SC70-6 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 13,5Ohm |
| Maksymalna tracona moc: | 200mW |
| Maksymalny prąd drenu: | 115mA |
| Obudowa: | SC70-6 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
2N7002DWH6327
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: 2N7002DW-7-F; 2N7002DWH6327XTSA1;
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
2N7002DWH6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT363
Stan magazynowy
1677000 szt.
| Ilość szt. | 12000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1500 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
2N7002DWH6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT363
Stan magazynowy
8700 szt.
| Ilość szt. | 100+ |
| cena netto (PLN) | 0,2886 |
Sposób pakowania: 100
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
2N7002DWH6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,8250 | 0,3920 | 0,2200 | 0,1670 | 0,1500 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
2N7002DW JSMICRO
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 115mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002DW-7-F; 2N7002DW-G; 2N7002DWH6327XTSA1; 2N7002DW-TP;
Pozycja dostępna na zamówienie