2SA1941-O
Symbol Micros:
T2SA1941
Obudowa: 2-16C1A
Tranzystor PNP; 160; 100W; 140V; 10A; 30MHz; -55°C ~ 150°C; Komplementarny do 2SC5198-O; 2SA1941-O(Q);
Parametry
| Moc strat: | 100W |
| Producent: | TOSHIBA |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 160 |
| Częstotliwość graniczna: | 30MHz |
| Obudowa: | 2-16C1A |
| Maksymalny prąd kolektora: | 10A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 140V |
| Moc strat: | 100W |
| Producent: | TOSHIBA |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 160 |
| Częstotliwość graniczna: | 30MHz |
| Obudowa: | 2-16C1A |
| Maksymalny prąd kolektora: | 10A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 140V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |
Odpowiedniki
2SA1941 JSMICRO
Tranzystor PNP; 160; 100W; 140V; 10A; 30MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SA1941-O(Q); 2SA1941-O(S1,E,S);
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol producenta:
2SA1941 RoHS
Obudowa dokładna:
TO 3P
Stan magazynowy
100 szt.
| Ilość szt. | 1+ | 5+ | 30+ | 100+ | 300+ |
| cena netto (PLN) | 5,6800 | 3,9700 | 3,2700 | 3,0800 | 2,9900 |
Sposób pakowania: 30/100
Ilość (wielokrotność 1)