2SA1941-O

Symbol Micros: T2SA1941
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: 2-16C1A
Tranzystor PNP; 160; 100W; 140V; 10A; 30MHz; -55°C ~ 150°C; Komplementarny do 2SC5198-O; 2SA1941-O(Q);
Parametry
Moc strat: 100W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 160
Częstotliwość graniczna: 30MHz
Producent: Toshiba
Obudowa: 2-16C1A
Maksymalny prąd kolektora: 10A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 140V
Producent: Toshiba Symbol producenta: 2SA1941-O RoHS Obudowa dokładna: 2-16C1A karta katalogowa
Stan magazynowy:
195 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 8,3000 6,1500 5,3800 5,0000 4,8800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100/500/1000
Moc strat: 100W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 160
Częstotliwość graniczna: 30MHz
Producent: Toshiba
Obudowa: 2-16C1A
Maksymalny prąd kolektora: 10A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 140V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP