2SA1941 JSMICRO
Symbol Micros:
T2SA1941 JSM
Obudowa: TO 3P
Tranzystor PNP; 160; 100W; 140V; 10A; 30MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SA1941-O(Q); 2SA1941-O(S1,E,S);
Parametry
| Moc strat: | 100W |
| Częstotliwość graniczna: | 30MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 160 |
| Producent: | JSMICRO |
| Obudowa: | TO 3P |
| Maksymalny prąd kolektora: | 10A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 140V |
Producent: JSMicro Semiconductor
Symbol producenta: 2SA1941 RoHS
Obudowa dokładna: TO 3P
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 30+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,6800 | 3,9700 | 3,2700 | 3,0800 | 2,9900 |
| Moc strat: | 100W |
| Częstotliwość graniczna: | 30MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 160 |
| Producent: | JSMICRO |
| Obudowa: | TO 3P |
| Maksymalny prąd kolektora: | 10A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 140V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |
Odpowiedniki
2SA1941-O
Tranzystor PNP; 160; 100W; 140V; 10A; 30MHz; -55°C ~ 150°C; Komplementarny do 2SC5198-O; 2SA1941-O(Q);
Producent:
Toshiba
Symbol producenta:
2SA1941-O RoHS
Obudowa dokładna:
2-16C1A
Stan magazynowy
22 szt.
| Ilość szt. | 1+ | 5+ | 30+ | 150+ | 300+ |
| cena netto (PLN) | 6,7800 | 5,0300 | 4,2900 | 4,0400 | 3,9900 |
Sposób pakowania: 100/500/1000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Toshiba
Symbol producenta:
2SA1941-O RoHS
Obudowa dokładna:
2-16C1A
Stan magazynowy
150 szt.
| Ilość szt. | 1+ | 5+ | 30+ | 150+ | 300+ |
| cena netto (PLN) | 6,7800 | 5,0300 | 4,2900 | 4,0400 | 3,9900 |
Sposób pakowania: 150
Ilość (wielokrotność 1)