RCK3018W SOT323 REALCHIP

Symbol Micros: T2SK3018w REA
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT323
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 13Ohm; 100mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Podobny do: BSS138PW,115;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 13Ohm
Maksymalna tracona moc: 150mW
Maksymalny prąd drenu: 100mA
Obudowa: SOT323
Producent: RealChip
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: REALCHIP Symbol producenta: RCK3018W RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,3350 0,1290 0,0629 0,0500 0,0478
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 13Ohm
Maksymalna tracona moc: 150mW
Maksymalny prąd drenu: 100mA
Obudowa: SOT323
Producent: RealChip
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD