AO3407A SOT23 FUXINSEMI
Symbol Micros:
TAO3407a FUX
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 87mOhm; 4,1A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3407A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 87mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,4W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | FUXINSEMI |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: FUXINSEMI
Symbol producenta: AO3407A RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5380 | 0,2470 | 0,1340 | 0,1000 | 0,0896 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 87mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,4W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | FUXINSEMI |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |