LGE3407 SOT23 LGE

Name: TAO3407a LGE TAO3407a LGE
Brand: LGE
SKU: TAO3407aLGE
Price: 0.109000 PLN
Availability: InStock

Symbol Micros: TAO3407a LGE

Obudowa: SOT23

Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 78mOhm; 4,3A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3400A 003;

Parametry

Rezystancja otwartego kanału:	48mOhm
Maksymalny prąd drenu:	4,3A
Maksymalna tracona moc:	1,4W
Obudowa:	SOT23-3
Producent:	ALPHA&OMEGA
Maksymalne napięcie dren-źródło:	30V
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	20V

Producent: LGE Symbol producenta: LGE3407 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa

Stan magazynowy:

2990 szt.

ilość szt.	5+	20+	100+	500+	3000+
cena netto (PLN)	0,6000	0,2850	0,1600	0,1220	0,1090

Rezystancja otwartego kanału:	48mOhm
Maksymalny prąd drenu:	4,3A
Maksymalna tracona moc:	1,4W
Obudowa:	SOT23-3
Producent:	ALPHA&OMEGA
Maksymalne napięcie dren-źródło:	30V
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	20V
Typ tranzystora:	P-MOSFET
Temperatura pracy (zakres):	-55°C ~ 150°C
Montaż:	SMD

Ilość szt.	5+	20+	100+	500+	3000+
cena netto (PLN)	1,0400	0,5250	0,3180	0,2520	0,2300

Ilość szt.	5+	20+	100+	500+	3000+
cena netto (PLN)	0,7650	0,3630	0,2040	0,1550	0,1390

Ilość szt.	5+	20+	100+	500+	3000+
cena netto (PLN)	0,5330	0,2450	0,1330	0,0996	0,0889

Ilość szt.	5+	20+	100+	500+	3000+
cena netto (PLN)	0,5990	0,2750	0,1500	0,1120	0,0999