AOD409

Symbol Micros: TAOD409
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 26A; 60W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 55mOhm
Maksymalna tracona moc: 60W
Maksymalny prąd drenu: 26A
Obudowa: TO252
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: ALPHA&OMEGA Symbol producenta: AOD409 RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r  
Stan magazynowy:
300 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 300+ 900+
cena netto (PLN) 2,3900 1,5100 1,1900 1,0700 1,0400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Rezystancja otwartego kanału: 55mOhm
Maksymalna tracona moc: 60W
Maksymalny prąd drenu: 26A
Obudowa: TO252
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD