AOD409 UMW
Symbol Micros:
TAOD409 UMW
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 26A; 60W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AOD409 Alpha&Omega Semiconductor AOS
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 55mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 26A |
| Maksymalna tracona moc: | 60W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | UMW |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 55mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 26A |
| Maksymalna tracona moc: | 60W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | UMW |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
AOD409
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 26A; 60W; -55°C ~ 175°C;
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol producenta:
AOD409 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252t/r
Stan magazynowy
300 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 300+ | 900+ |
| cena netto (PLN) | 2,3900 | 1,5100 | 1,1900 | 1,0700 | 1,0400 |
Sposób pakowania: 300
Ilość (wielokrotność 1)