AOD417

Symbol Micros: TAOD417
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: DPAK
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 55mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 55mOhm
Maksymalny prąd drenu: 25A
Maksymalna tracona moc: 50W
Obudowa: DPAK
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: ALPHA&OMEGA Symbol producenta: AOD417 RoHS Obudowa dokładna: DPAK t/r  
Stan magazynowy:
390 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 2,0400 1,2300 0,9400 0,8460 0,8170
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Rezystancja otwartego kanału: 55mOhm
Maksymalny prąd drenu: 25A
Maksymalna tracona moc: 50W
Obudowa: DPAK
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD