AOD417 JSMICRO

Symbol Micros: TAOD417 JSM
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 68mOhm; 15A; 90W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AOD417 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 68mOhm
Maksymalny prąd drenu: 15A
Maksymalna tracona moc: 90W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: JSMICRO
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: JSMicro Semiconductor Symbol producenta: AOD417 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
139 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 40+ 139+ 556+
cena netto (PLN) 1,4300 0,9320 0,6860 0,5930 0,5500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
139
Producent: JSMicro Semiconductor Symbol producenta: AOD417 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
161 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 40+ 161+ 644+
cena netto (PLN) 1,4300 0,9330 0,6880 0,5890 0,5500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
161
Rezystancja otwartego kanału: 68mOhm
Maksymalny prąd drenu: 15A
Maksymalna tracona moc: 90W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: JSMICRO
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD