AP2310GN SOT23 TECH PUBLIC
Symbol Micros:
TAP2310gn-hf-3 TEC
Obudowa: SOT23
SOT-23 MOSFETs RoHS Podobny do: AP2310GN-HF-3; VBsemi AP2310GN-VB;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 125mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3A |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | TECH PUBLIC |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Towar w drodze
Planowany termin:
2026-12-31
Ilość szt.: 3000
| Rezystancja otwartego kanału: | 125mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3A |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | TECH PUBLIC |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |