BC639-16 TO92(AMMO) LGE
Symbol Micros:
TBC63916
Obudowa: TO92
Tranzystor NPN; 250; 625mW; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC639-16-LGE; BC63916_D27Z; BC639-16ZL1G; BC639-16-CDI; BC63916-D27Z; BC63916D27Z; BC639-16TA-CDI; TBC639.16TA;
Parametry
| Moc strat: | 625mW |
| Producent: | LGE |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
| Obudowa: | TO92 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
Producent: LGE
Symbol producenta: BC639-16 RoHS
Obudowa dokładna: TO92amm
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5510 | 0,2520 | 0,1360 | 0,1010 | 0,0918 |
| Moc strat: | 625mW |
| Producent: | LGE |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
| Obudowa: | TO92 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |
Odpowiedniki
BC639-16 JSMICRO
Tranzystor NPN; 250; 625mW; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC639-16ZL1G; BC639-16-BP; BC639-16-LGE; BC639-16-CDI;
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol producenta:
BC639-16 RoHS
Obudowa dokładna:
TO92bul
Stan magazynowy
1000 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 30+ | 200+ | 1000+ | 5000+ |
| cena netto (PLN) | 0,6000 | 0,2400 | 0,1390 | 0,1160 | 0,1090 |
Sposób pakowania: 1000
Ilość (wielokrotność 1)